System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池制造技术_技高网

二次电池制造技术

技术编号:40262954 阅读:9 留言:0更新日期:2024-02-02 22:52
提供一种劣化小的二次电池。提供一种可靠性高的二次电池。二次电池中的正极活性物质包含钴酸锂的结晶。正极活性物质具有包括平行于结晶的(00l)面的表面的第一区域及包括平行于与(00l)相交的面的表面的第二区域。正极活性物质包含镁。第一区域包括镁浓度为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。第二区域包括镁浓度高于第一区域且为4atomic%以上且30atomic%以下的部分。并且第二区域包括氟浓度高于第一区域且为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个方式涉及一种电池。本专利技术的一个方式涉及一种二次电池。本专利技术的一个方式涉及一种电池的正极材料。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述。本专利技术的一个方式涉及一种包括二次电池的蓄电装置、半导体装置、显示装置、发光装置、照明装置、电子设备或它们的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。


技术介绍

1、近年来,对锂离子二次电池、锂离子电容器、空气电池及全固态电池等各种蓄电池的研究日益火热。随着半导体产业的发展,对高输出、大容量的锂离子二次电池的需求剧增,作为可充电的能量供应源,成为现代信息化社会的必需品。

2、尤其是,对用于便携式电子设备的单位重量的放电容量大且循环特性良好的锂离子二次电池的需求很大。因此,正在积极地对锂离子二次电池的正极所包含的正极活性物质进行改良(例如参照专利文献1至专利文献4、非专利文献1至非专利文献4)。

3、[专利文献1]日本专利申请公开第2019-179758号公报

4、[专利文献2]wo2020/026078号小册子

5、[专利文献3]日本专利申请公开第2020-140954号公报

6、[专利文献4]日本专利申请公开第2019-129009号公报

7、[非专利文献1]toyoki okumura et al,“correlation of lithium iondistribution and x-ray absorption near-edge structure in o3-and o2-lithiumcobalt oxides from first-principle calculation”,journal of materialschemistry,2012,22,p.17340-17348

8、[非专利文献2]t.motohashi,t.et al,“electronic phase diagram of thelayered cobalt oxide system lixcoo2(0.0≤x≤1.0)”,physical review b,80(16);165114

9、[非专利文献3]zhaohui chen et al,“staging phase transitions inlixcoo2”,journal of the electrochemical society,2002,149(12)a1604-a1609

10、[非专利文献4]g.g.amatucci et.al.,“coo2,the end member of the lix coo2solid solution”j.electrochem.soc.143(3)1114(1996).

11、[非专利文献5]k.momma and f.izumi,“vesta 3for three-dimensionalvisualization of crystal,volumetric and morphology data”j.appl.cryst.(2011).44,1272-1276

12、[非专利文献6]a.belsky,a.et al.,“new developments in the inorganiccrystal structure database(icsd):accessibility in support of materialsresearch and design”,acta cryst.,(2002)b58 364-369.


技术实现思路

1、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种劣化小的二次电池。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的二次电池。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种充放电循环中的放电容量下降得到抑制的二次电池。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种安全性高的二次电池。

2、注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意,本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的目的。

3、本专利技术的一个方式是一种包括包含正极活性物质的正极的二次电池。正极活性物质包含钴酸锂的结晶。正极活性物质具有包括平行于结晶的(00l)面的表面的第一区域及包括平行于与(00l)相交的面的表面的第二区域。正极活性物质包含镁。第一区域包括镁浓度为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。第二区域包括镁浓度高于第一区域且为4atomic%以上且30atomic%以下的部分。

4、另外,在上述结构中,正极活性物质优选包含氟。此时,第二区域优选包括氟浓度高于第一区域且为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。

5、另外,在上述结构中,第一区域优选包括利用电子能量损失谱分析的氟浓度低于0.5atomic%的部分。

6、另外,在上述结构中,优选的是,在对第二区域利用电子能量损失谱进行分析时,离表面越近氟浓度越高。

7、另外,在上述结构中,正极活性物质优选包含镍。此时,第二区域优选包括镍浓度高于第一区域且为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。

8、另外,在上述结构中,正极活性物质优选包含铝。此时,第一区域及第二区域优选包括铝浓度分别独立地为0.5atomic%以上且10atomic%以下的部分。更优选的是,第一区域与第二区域的该部分的铝浓度之差为0atomic%以上且7atomic%以下。

9、根据本专利技术的一个方式可以提供一种劣化小的二次电池。另外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种可靠性高的二次电池。另外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种充放电循环中的放电容量下降得到抑制的二次电池。另外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种安全性高的二次电池。

10、注意,这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外,本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的效果。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,

3.根据权利要求2所述的二次电池,

4.根据权利要求2所述的二次电池,

5.根据权利要求1所述的二次电池,

6.根据权利要求1所述的二次电池,

7.一种二次电池,包括:

8.根据权利要求7所述的二次电池,

9.根据权利要求7所述的二次电池,

10.根据权利要求7所述的二次电池,

11.根据权利要求7所述的二次电池,

12.一种二次电池,包括:

13.根据权利要求12所述的二次电池,

14.根据权利要求12所述的二次电池,

15.根据权利要求12所述的二次电池,

16.根据权利要求12所述的二次电池,

【技术特征摘要】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,

3.根据权利要求2所述的二次电池,

4.根据权利要求2所述的二次电池,

5.根据权利要求1所述的二次电池,

6.根据权利要求1所述的二次电池,

7.一种二次电池,包括:

8.根据权利要求7所述的二次电池,

9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐藤丞门马洋平福岛邦宏小国哲平
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1