【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种衬底处理装置和衬底处理方法。
技术介绍
1、由于半导体器件要求精细，因此提出了使用短波长(约13.5nm)的极紫外(euv)光刻方法。通过使用euv光刻，可以形成具有小水平尺寸和高纵横比的光刻胶图案。在半导体器件制造技术中已经考虑并检验了超临界流体以防止光刻胶图案在形成精细光刻胶图案的过程期间坍塌，但是存在一些问题，例如，在半导体器件的制造过程期间残留在衬底上的颗粒缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种用于提高衬底处理的均匀性的衬底处理装置。
2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种衬底处理装置，包括：处理室，包括处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理室中支撑衬底；排放管，布置在处理室的底壁上；排放设备，被配置为经由排放管排出处理空间中的处理流体；第一供应管，包括插入排放管中的第一部分和在排放管外部的第二部分；以及流体供应设备，被配置为经由第一供应管向处理空间供应处于超临界状态的处理流体，其中，在第一供应管的端部处的第一入口和在排放管的端部处的排放开口在处理室的中心轴上。
3、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种衬底处理装置，包括：处理室，包括处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理室中支撑衬底；第一供应管，布置在处理室的底壁的安装孔内，并且包括第一入口，该第一入口被配置为将处于超临界状态的处理流体注入处理空间；以及排放管，布置在处理室的底壁的安装孔内，并且被配置为排放处理空间中的处理流体，其中，第一供应管和排放管中的任一
4、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种衬底处理方法，包括：将衬底装载到处理室的处理空间中；经由设置在处理室的底壁中的第一供应管和设置在处理室的上壁中的第二供应管中的至少一个将处于超临界状态的处理流体供应到处理室中；以及经由设置在处理室的底壁上的排放管排放处理室中的处理流体，其中，第一供应管包括插入排放管中的第一部分和在排放管外部的第二部分。
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1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一供应管的所述第一入口与所述排放管的所述排放开口竖直地重叠。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在平面图中，所述第一入口的中心在所述排放开口内。
4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在平面图中，所述排放开口的中心在所述第一入口内。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括：第二供应管，布置在所述处理室的上壁上，并且被配置为向所述处理空间供应由所述流体供应设备提供的所述处理流体。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，在所述第二供应管的端部处的第二入口与所述第一供应管的所述第一入口竖直地重叠。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述第一入口的中心、所述排放开口的中心和所述第二入口的中心沿所述处理室的中心轴对齐。
8.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述流体供应设备被配置为：经由所述第一供应管向所述处理空间的下部供应第一温度的处理流体，并且经由所述第二供应管向所述处理空间的上部
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述排放管从所述第一供给管的所述端部朝向所述处理空间突出。
10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一供应管从所述排放管的所述端部朝向所述处理空间突出。
11.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括：挡板，布置在所述处理空间中，以覆盖所述第一供应管的所述第一入口和所述排放管的所述排放开口，
12.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述处理流体包含二氧化碳。
13.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一供应管的所述第一部分的外直径小于所述排放管的内直径。
14.一种衬底处理装置，包括：
15.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其中，在平面图中，所述第一入口的中心在排放开口内，所述排放开口形成在所述排放管的端部处，并且
16.根据权利要求14所述的衬底处理装置，还包括：第二供应管，布置在所述处理室的上壁的安装孔中，并且包括第二入口，所述第二入口被配置为将所述处理流体注入所述处理空间，
17.根据权利要求16所述的衬底处理装置，其中，所述第一入口的中心、所述排放开口的中心和所述第二入口的中心沿所述处理室的中心轴对齐。
18.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其中，所述排放管包括插入所述第一供应管中的第一部分和在所述第一供应管外部的第二部分，并且
19.一种衬底处理方法，包括：
20.根据权利要求19所述的衬底处理方法，其中，将所述处理流体供应到所述处理室中包括：
...【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一供应管的所述第一入口与所述排放管的所述排放开口竖直地重叠。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在平面图中，所述第一入口的中心在所述排放开口内。
4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在平面图中，所述排放开口的中心在所述第一入口内。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括：第二供应管，布置在所述处理室的上壁上，并且被配置为向所述处理空间供应由所述流体供应设备提供的所述处理流体。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，在所述第二供应管的端部处的第二入口与所述第一供应管的所述第一入口竖直地重叠。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述第一入口的中心、所述排放开口的中心和所述第二入口的中心沿所述处理室的中心轴对齐。
8.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述流体供应设备被配置为：经由所述第一供应管向所述处理空间的下部供应第一温度的处理流体，并且经由所述第二供应管向所述处理空间的上部供应高于所述第一温度的第二温度的处理流体。
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述排放管从所述第一供给管的所述端部朝向所述处理空间突出。
10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第...
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