【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及光器件领域，尤其涉及一种外腔芯片和激光器。
技术介绍
1、半导体激光器具有体积小、功耗低等优点，在原子物理、高分辨率光谱、光通讯、激光雷达等领域都有很重要的应用。
2、然而，通常芯片级宽调谐半导体激光器的连续调谐能力较强，但线宽最低仅可以压窄至数百khz的范围内。使用外腔反馈的方式可以将半导体激光器的线宽压缩至赫兹量级，但其调谐能力受限于所参考的外腔的谐振频率，难以实现窄线宽连续调谐。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种外腔芯片和激光器。
2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供一种外腔芯片，所述外腔芯片包括：依次设置的第一耦合器、调谐模块和反射器；其中，所述调谐模块包括：微环谐振器和不等臂干涉仪组，所述不等臂干涉仪组包括至少两个级联的不等臂干涉仪；
4、其中，光信号经过所述第一耦合器输入所述外腔芯片，并经过所述调谐模块输入所述反射器，所述反射器将至少部分所述光信号输入所述调谐模块，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。
5、在一些实施例中，所述微环谐振器和所述第一耦合器连接，且所述不等臂干涉仪组和所述反射器连接；
6、其中，光信号经过所述第一耦合器进入所述外腔芯片，并依次经过所述微环谐振器和所述不等臂干涉仪组输入所述反射器，所述反射器将至少部分所述光信号依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。
7、在一些实施例中，所述不等臂干涉仪组和所述第一耦合器连接，且所述微环谐振器和所述反射器连接；
8、其中，光信号经过所述第一耦合器进入所述外腔芯片，并依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器输入所述反射器，所述反射器将至少部分所述光信号依次经过所述微环谐振器和所述不等臂干涉仪组，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。
9、在一些实施例中，所述微环谐振器包括：
10、第一直波导；和
11、设于所述第一直波导一侧的第一微环波导，所述第一直波导和所述第一微环波导之间具有间隙，所述第一直波导和所述第一微环波导的相邻部分形成第一定向耦合器；其中，所述第一直波导沿光信号传输方向上相对设置的两端分别和所述第一耦合器、所述不等臂干涉仪组连接。
12、在一些实施例中，所述外腔芯片还包括：和所述反射器连接的第二耦合器；
13、在所述反射器为高反射率反射器的情况下，所述反射器将全部所述光信号依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出；
14、在所述反射器为低反射率反射器的情况下，所述反射器将部分所述光信号依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出，并且所述反射器将剩余所述光信号经过所述第二耦合器从所述外腔芯片输出。
15、在一些实施例中，所述微环谐振器包括：
16、第二直波导；
17、第三直波导；和
18、设于所述第二直波导和所述第三直波导之间的第二微环波导；所述第二微环波导和所述第二直波导、所述第三直波导之间均具有间隙，所述第二直波导和所述第二微环波导的相邻部分形成第二定向耦合器，所述第三直波导和所述第二微环波导的相邻部分形成第三定向耦合器；其中，所述第二直波导沿光信号传输方向上相对设置的两端分别和所述第一耦合器、第三耦合器连接，所述第三直波导沿光信号传输方向上相对设置的两端分别和所述不等臂干涉仪组、第四耦合器连接。
19、在一些实施例中，所述反射器为高反射率反射器，所述反射器将全部所述光信号依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。
20、在一些实施例中，所述不等臂干涉仪组包括第一加热器；所述微环谐振器包括第二加热器。
21、第二方面，本公开实施例提供一种激光器，所述激光器包括：增益芯片和如上述技术方案中所述的外腔芯片；其中，所述增益芯片用于提供光信号耦合至所述外腔芯片，并经过所述外腔芯片处理后输出。
22、在一些实施例中，所述增益芯片沿光信号传输方向上相对设置的两端分别镀有增透膜和高反膜；或者，所述增益芯片沿光信号传输方向上相对设置的两端分别镀有增透膜和低反膜；其中，所述增益芯片镀有增透膜的一端和所述外腔芯片耦合。
23、本公开实施例提供一种外腔芯片和激光器。所述外腔芯片包括：依次设置的第一耦合器、调谐模块和反射器；其中，所述调谐模块包括：微环谐振器和不等臂干涉仪组，所述不等臂干涉仪组包括至少两个级联的不等臂干涉仪；其中，光信号经过所述第一耦合器输入所述外腔芯片，并经过所述调谐模块输入所述反射器，所述反射器将至少部分所述光信号输入所述调谐模块，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。本公开实施例中，外腔芯片的调谐模块包括不等臂干涉仪组和微环谐振器，通过不等臂干涉仪组和微环谐振器的协同调谐，以实现窄线宽连续调谐。
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1.一种外腔芯片，其特征在于，所述外腔芯片包括：依次设置的第一耦合器、调谐模块和反射器；其中，所述调谐模块包括：微环谐振器和不等臂干涉仪组，所述不等臂干涉仪组包括至少两个级联的不等臂干涉仪；
2.根据权利要求1所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器和所述第一耦合器连接，且所述不等臂干涉仪组和所述反射器连接；
3.根据权利要求1所述的外腔芯片，其特征在于，所述不等臂干涉仪组和所述第一耦合器连接，且所述微环谐振器和所述反射器连接；
4.根据权利要求2所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器包括：
5.根据权利要求4所述的外腔芯片，其特征在于，所述外腔芯片还包括：和所述反射器连接的第二耦合器；
6.根据权利要求2所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器包括：
7.根据权利要求6所述的外腔芯片，其特征在于，所述反射器为高反射率反射器，所述反射器将全部所述光信号依次经过所述不等臂干涉仪组和所述微环谐振器，并经过所述第一耦合器从所述外腔芯片输出。
8.根据权利要求1所述的外腔芯片，其特征在于，所述不等
9.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括：增益芯片和如权利要求1至8中任一项所述的外腔芯片；其中，所述增益芯片用于提供光信号耦合至所述外腔芯片，并经过所述外腔芯片处理后输出。
10.根据权利要求9所述的激光器，其特征在于，所述增益芯片沿光信号传输方向上相对设置的两端分别镀有增透膜和高反膜；或者，所述增益芯片沿光信号传输方向上相对设置的两端分别镀有增透膜和低反膜；其中，所述增益芯片镀有增透膜的一端和所述外腔芯片耦合。
...【技术特征摘要】
1.一种外腔芯片，其特征在于，所述外腔芯片包括：依次设置的第一耦合器、调谐模块和反射器；其中，所述调谐模块包括：微环谐振器和不等臂干涉仪组，所述不等臂干涉仪组包括至少两个级联的不等臂干涉仪；
2.根据权利要求1所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器和所述第一耦合器连接，且所述不等臂干涉仪组和所述反射器连接；
3.根据权利要求1所述的外腔芯片，其特征在于，所述不等臂干涉仪组和所述第一耦合器连接，且所述微环谐振器和所述反射器连接；
4.根据权利要求2所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器包括：
5.根据权利要求4所述的外腔芯片，其特征在于，所述外腔芯片还包括：和所述反射器连接的第二耦合器；
6.根据权利要求2所述的外腔芯片，其特征在于，所述微环谐振器包括：
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶艳霞，肖希，傅焰峰，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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