【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种像素电路及其运行方法，更特别涉及一种可降低浮动扩散节点的暗电流且不偏离源极跟随器运行电压范围的包含感光材料的像素电路及其运行方法。
技术介绍
1、已知使用感光材料(osm)累积电荷至浮动扩散节点的图像传感器可以提升影像质量，但具有在浮动扩散节点存在暗电流(dark current)的情形，该暗电流形成像素的定讯噪声(fixed pattern noise)而降低影像质量。目前已知浮动扩散节点与其周围井区(well)的pn接面(pn junction)之间的电压差是形成暗电流的原因之一，暗电流变化例如可以公式k×f(vfd-vwell)表示，其中vfd为浮动扩散节点的重置电压、vwell为浮动扩散节点的周围井区的电压、f(x)为产生暗电流的机率函数、k为介于100至10000的参数。
2、为了抑制暗电流，浮动扩散节点的重置电压可选择尽量靠近周围井区的电压，例如维持大致为0伏特。然而，像素电路的读出电路通常会使用源极跟随器(sourcefollower)来放大浮动扩散节点累积的信号电荷。当浮动扩散节点的重置电压设置为0伏特时，其位于源极跟随器的运行电压范围(operating voltage rage)外，导致无法读出浮动扩散节点上的电压。
3、美国专利公开号us 2017/0013218中，为了解决无法读出浮动扩散节点上的电压的问题，在像素读取期间提供正突波至感光材料的上电极(top electrode)，以使浮动扩散节点上的电压暂时进入源极跟随器的运行电压范围。然而，此举却同时提高了元件
4、此外，日本专利公开号jp 2019-125907中，提供了与浮动扩散节点并联的电容器。在像素读取期间，正突波提供至该电容器以使浮动扩散节点上的电压暂时进入源极跟随器的运行电压范围。然而，此举却降低了浮动扩散节点的转换增益(conversion gain)。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种可无须在读取期间通过暂时改变浮动扩散节点上的电压以使其落入其后的源极跟随器的运行电压范围的像素电路。
2、本专利技术提供一种在像素电路中使用不同型式的晶体管连接至浮动扩散节点的像素电路及其运行方法。
3、本专利技术还提供一种在像素电路中使用氧化铟镓锌(igzo)晶体管及nmos晶体管的像素电路及其运行方法。
4、本专利技术提供一种包含感光材料层及读出电路的像素电路。所述感光材料层配置于第一电极与第二电极之间，且所述第二电极连接至节点，其中所述感光材料层用于接收光并产生信号电荷累积至所述节点。所述读出电路包含重置晶体管、读出晶体管及行选择晶体管。所述重置晶体管的源极用作为所述节点。所述读出晶体管的栅极连接所述节点。所述行选择晶体管连接于所述读出晶体管与读取线之间。所述重置晶体管是nmos晶体管，所述读出晶体管及所述行选择晶体管是pmos晶体管。
5、本专利技术还提供一种包含感光材料层及读出电路的像素电路。所述感光材料层配置于第一电极与第二电极之间，且所述第二电极连接至节点，其中所述感光材料层用于接收光并产生信号电荷累积至所述节点。所述读出电路包含重置晶体管、读出晶体管及行选择晶体管。所述重置晶体管的源极用作为所述节点。所述读出晶体管的栅极连接所述节点。所述行选择晶体管连接于所述读出晶体管与读取线之间。所述重置晶体管是pmos晶体管，所述读出晶体管及所述行选择晶体管是nmos晶体管。
6、本专利技术还提供一种包含感光材料层及读出电路的像素电路。所述感光材料层配置于第一电极与第二电极之间，且所述第二电极连接至节点，其中所述感光材料层用于接收光并产生信号电荷累积至所述节点。所述读出电路包含氧化铟镓锌晶体管、读出晶体管及行选择晶体管。所述氧化铟镓锌晶体管用作为重置晶体管，且其源极用作为所述节点。所述读出晶体管的栅极连接所述节点。所述行选择晶体管连接于所述读出晶体管与读取线之间。所述读出晶体管及所述行选择晶体管是nmos晶体管。
7、本专利技术中，所述感光材料层例如是有机光导薄膜(organic photoconductivefilm)或量子点薄膜(quantum dots film)，但不限于此。
8、为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显，下文将配合所附图示，详细说明如下。此外，于本专利技术的说明中，相同的构件以相同的符号表示，于此合先述明。
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1.一种像素电路，该像素电路包含：
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述感光材料层配置于所述重置晶体管、所述读出晶体管及所述行选择晶体管上方。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述感光材料层是有机光导薄膜或量子点薄膜。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其中，
5.根据权利要求4所述的像素电路，其中，
6.根据权利要求4所述的像素电路，其中，
7.根据权利要求1所述的像素电路，其中，
8.一种像素电路，该像素电路包含：
9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述感光材料层配置于所述重置晶体管、所述读出晶体管及所述行选择晶体管上方。
10.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述感光材料层是有机光导薄膜或量子点薄膜。
11.根据权利要求8所述的像素电路，其中，
12.根据权利要求8所述的像素电路，其中，
13.根据权利要求12所述的像素电路，其中，
14.根据权利要求8所述的像素电路，其中，
15.
16.根据权利要求15所述的像素电路，其中，所述感光材料层是有机光导薄膜或量子点薄膜。
17.根据权利要求15所述的像素电路，其中，所述氧化铟镓锌晶体管堆叠于所述感光材料层与所述读出晶体管之间。
18.根据权利要求15所述的像素电路，其中，
19.根据权利要求18所述的像素电路，其中，
20.根据权利要求19所述的像素电路，其中，所述行选择信号开启所述行选择晶体管的期间，所述节点不接收所述信号电荷及所述重置电压以外的电压突波以改变其电位。
...【技术特征摘要】
1.一种像素电路，该像素电路包含：
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述感光材料层配置于所述重置晶体管、所述读出晶体管及所述行选择晶体管上方。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述感光材料层是有机光导薄膜或量子点薄膜。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其中，
5.根据权利要求4所述的像素电路，其中，
6.根据权利要求4所述的像素电路，其中，
7.根据权利要求1所述的像素电路，其中，
8.一种像素电路，该像素电路包含：
9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述感光材料层配置于所述重置晶体管、所述读出晶体管及所述行选择晶体管上方。
10.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述感光材料层是有机光导薄膜或量子点薄膜。
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【专利技术属性】
技术研发人员：米本和也，
申请(专利权)人：原相科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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