【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示面板，具体涉及一种光刻机。
技术介绍
1、对于玻璃基集成电路的光刻工艺，由于涉及到高精细纳米级的金属或光刻胶线路，故相对于常规的微米级光刻而言，很可能会存在曝光不完全甚至曝光失败等不良问题。一般地，在显影等制程结束后会进行aoi等光学检测，这种光学检测方法的最小精度通常在2um以上，而对于玻璃基集成电路上的纳米级图形难以检测出来，同时，不良基板在曝光后会进入下一个制程直到显影等制程结束后才进行光学检测，而不良基板没法被尽早检出，导致了产能的浪费。
2、因此，现有光刻机存在不能检测出不良基板的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种光刻机，可以缓解现有现有光刻机存在不能检测出不良基板的技术问题。
2、本申请实施例提供一种光刻机，包括：
3、框架；
4、载台，所述载台呈水平的固定于所述框架上；
5、掩模版，所述掩模版可移动的设置于所述载台上方；
6、照明系统，所述照明系统设置于所述掩模版远离所述载台的一侧，所述照明系统射出的光线穿过所述掩模版照射到所述载台；
7、其中，所述光刻机还包括缺陷量测单元，所述载台上设置有待检测面板，所述待检测面板至少包括一待检测区域，所述缺陷量测单元可移动的与所述待检测区域对位设置。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述待检测区域为微米级区域，所述缺陷量测单元为光学量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置。
9、可
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述待检测区域包括微米级区域、纳米级区域，所述缺陷量测单元包括光学量测模块、电子束量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置，所述电子束量测模块与所述纳米级区域对位设置。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子束量测模块的最小精度约为2纳米，所述光学量测模块的最小精度约为2微米。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述光刻机还包括至少一机械臂，所述机械臂的一端与所述框架连接，所述机械臂的另一端与所述掩模版或所述缺陷量测单元连接，所述机械臂用于移动所述掩模版和/或所述缺陷量测单元。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述掩模版、所述缺陷量测单元共用一所述机械臂。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述光刻机还包括置物仓，所述机械臂从所述置物仓内取出所述掩模版或所述缺陷量测单元进行使用，在使用完毕后，所述机械臂将所述掩模版或所述缺陷量测单元放回所述置物仓。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述机械臂包括与所述掩模版连接的第一机械臂、与所述缺陷量测单元连接的第二机械臂。
16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述待检测区域包括微米级区域、纳米级区域，所述缺陷量测单元包括光学量测模块、电子束量测模块，所述机械臂还包括第三机械臂，所述第二机械臂与所述光学量测模块连接，所述第二机械臂用于将所述光学量测模块移动到所述微米级区域对位设置，所述第三机械臂与所述电子束量测模块连接，用于将所述光学量测模块移动到所述纳米级区域对位设置。
17、有益效果：通过在光刻机内集成有缺陷量测单元，通过缺陷量测单元实现在曝光工艺后及时对基板进行检测，将不良基板检测出，从而避免不良基板进入下一步制程，从而减少了产能的浪费，缓解了现有现有光刻机存在不能检测出不良基板的技术问题。
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1.一种光刻机，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域为微米级区域，所述缺陷量测单元为光学量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置。
3.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域为纳米级区域，所述缺陷量测单元为电子束量测模块，所述电子束量测模块与所述纳米级区域对位设置。
4.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域包括微米级区域、纳米级区域，所述缺陷量测单元包括光学量测模块、电子束量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置，所述电子束量测模块与所述纳米级区域对位设置。
5.如权利要求4所述的光刻机，其特征在于，所述电子束量测模块的最小精度约为2纳米，所述光学量测模块的最小精度约为2微米。
6.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括至少一机械臂，所述机械臂的一端与所述框架连接，所述机械臂的另一端与所述掩模版或所述缺陷量测单元连接，所述机械臂用于移动所述掩模版和/或所述缺陷量测单元。
7.如权利要求6所述的光刻机，其特
8.如权利要求7所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括置物仓，所述机械臂从所述置物仓内取出所述掩模版或所述缺陷量测单元进行使用，在使用完毕后，所述机械臂将所述掩模版或所述缺陷量测单元放回所述置物仓。
9.如权利要求6所述的光刻机，其特征在于，所述机械臂包括与所述掩模5版连接的第一机械臂、与所述缺陷量测单元连接的第二机械臂。
10.如权利要求9所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域包括微米级区域、纳米级区域，所述缺陷量测单元包括光学量测模块、电子束量测模块，所述机械臂还包括第三机械臂，所述第二机械臂与所述光学量测模块连接，所述第二机械臂用于将所述光学量测模块移动到所述微米级区域对位设置，所述0第三机械臂与所述电子束量测模块连接，用于将所述光学量测模块移动到所述纳米级区域对位设置。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻机，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域为微米级区域，所述缺陷量测单元为光学量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置。
3.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域为纳米级区域，所述缺陷量测单元为电子束量测模块，所述电子束量测模块与所述纳米级区域对位设置。
4.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述待检测区域包括微米级区域、纳米级区域，所述缺陷量测单元包括光学量测模块、电子束量测模块，所述光学量测模块与所述微米级区域对位设置，所述电子束量测模块与所述纳米级区域对位设置。
5.如权利要求4所述的光刻机，其特征在于，所述电子束量测模块的最小精度约为2纳米，所述光学量测模块的最小精度约为2微米。
6.如权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述光刻机还包括至少一机械臂，所述机械臂的一端与所述框架连接，所述机械臂的另一端与所述掩模版或所述缺陷量测单元连...
【专利技术属性】
技术研发人员：段淼，朱钦富，李林霜，陈黎暄，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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