【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体产品加工技术，更具体地说，它涉及一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法。
技术介绍
1、目前有一种快速退火炉rtp设备上用的高纯热压碳化硅环产品在我司加工。应用于高制程半导体快速退火炉中，起到支撑硅片的作用，硅片在快速退火炉中需要快速升温300~1200℃，在这快速退火炉中的热压碳化硅环就尤为重要，需要有优秀的耐热冲击性。热压碳化硅的硬度比普通碳化硅更大，它的材料硬度为26gpa，比一般碳化硅硬度高4gpa。而且高纯热压碳化硅环的最薄处内径段差壁厚仅0.21mm，产品结构上有两处环槽，侧壁的厚度仅0.7mm，结构相对复杂，加工难度很高，产品在加工时有很大的断裂风险。并且在加工完成后需要保证产品表面有机物残留颗粒小于0.2ug/ cm²且数量≤100000，表面洁净度要求较高。现有的加工工艺很难实现对该产品的可靠加工，加工过程中存在产品断裂风险。
技术实现思路
1、为了克服上述不足，本专利技术提供了一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，它能实现热压碳...
【技术保护点】
1.一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法， 其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，治具包括底座和定位环，定位环安装在底座表面上形成安装槽，定位环和底座之间安装若干个径向锁止销。
3.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，热压碳化硅环毛坯外壁和安装槽侧壁之间的间隙为0.01-0.02mm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，磨削刀刃两端面偏离径向倾斜设置，相邻两磨削刀刃
【技术特征摘要】
1.一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法， 其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，治具包括底座和定位环，定位环安装在底座表面上形成安装槽，定位环和底座之间安装若干个径向锁止销。
3.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，热压碳化硅环毛坯外壁和安装槽侧壁之间的间隙为0.01-0.02mm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，磨削刀刃两端面偏离径向倾斜设置，相邻两磨削刀刃之间形成排屑槽。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，洗净治具包括两立板，两立板之间安装若干挡杆，所有挡杆一起围成一个上端开口的支撑槽；s8时，热压碳化硅环毛坯装载到支撑槽中。
6.根据权利要求5所述的一种半导体快速退火炉用超薄热压碳化硅环加工方法，其特征是，挡...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚相民，倪晓锋，马玉琦，
申请(专利权)人：杭州大和江东新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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