【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于花卉种植，具体地说，本专利技术涉及一种兜兰培植方法。
技术介绍
1、兜兰属是兰科下一个属，全世界约有80种，分布于亚洲至太平洋岛屿的热带、亚热带地区。兜兰属兰花的培育存在组多困难，在培育过程中，兰花可能会被基质中残留的病菌污染，也能在培育过程中遭遇病虫害，或是施肥操作不合适造成兰花培育失败。
技术实现思路
1、为克服
技术介绍
中存在的问题，本专利技术公开了一种兜兰培植方法，所述兜兰培植方法从基质制备开始对栽培基质进行高温消毒，同时将基质粉碎成至少三个规格备用，培育过程中练苗后进行第一次移栽，栽植至少九天后施肥，兰苗长叶后进行第二次移栽，移栽至少九天后施肥，第二次移栽并施肥后进行催花操作，催花成功后进行针对性的病虫害防治，配制针对性药剂，可有效保证兰花病虫害的放置效果，另外，本专利技术记载的兜兰属培育方法还公开了兰花培育后的出圃后的包装转运方法，避免兰花因包装转运不恰当造成损坏。
2、为实现上述目的，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
3、所述兜兰培植方法包括以下步骤：
4、1）栽培基质制备：栽培基质制备采用松树皮配方基质，将基质粉碎成三个规格的粒径备用，三个粒径规格分别为0.3—2cm、0.5—1cm、1—2cm，基质使用前，用清水冲洗并高温消毒；
5、2）兜兰栽培：所述兜兰栽培的步骤包括：
6、（1）炼苗引种：炼苗引种的兰苗连同苗瓶在栽培场地驯化10d～15d，驯化后种入到装有基质的苗盘内，种有小苗的苗盘放
7、（2）第一次移栽：60-90天后将苗盘内的花苗移入裁培杯内，栽植后9d～10d即可开始施肥；
8、（3）第二次移栽：小苗长出产生2片～3片新叶，并且根系发育良好后移栽至栽培盆，移栽后开始施肥；
9、（4）催花：催花过程停止施肥，控制浇水，增加光照强度，管控直至出现花芽，花芽出现后，开始恢复水肥供应，降低光照强度，恢复生长适宜温度；
10、（5）病虫害防治：细菌性软腐病防治，蜗牛与蛞蝓防治；
11、（6）出圃包装：栽培盆内花1/4以上花朵绽放后，即可以出圃包装。
12、作为优选：所述步骤2）中炼苗后幼苗栽植时，用清水清洗根部后栽入苗盘，栽培过程中勿造成兰苗的机械损伤，栽培深度以基质完全遮盖根系为度，苗盘需留出上部约1/5空间，密度按50×50mm行间距裁入苗盘内，将裁好幼苗的苗盘放入到苗床后立即淋水，使苗盘浇透为度，调控夜温在15～25℃的范围，幼苗进入苗床后每天9:00-10:00间，喷水2～3分钟，大棚内湿度保持在65～75%。
13、作为优选：所述步骤2）中，第一次移栽时，将兰苗连同基质移入∮50mm的裁培杯内，兰苗摆放时杯栽叶片方向排列一致，将其叶片按苗盘的对角线平行摆放。
14、作为优选：所述步骤2）中，施肥操作在第一次移栽9d～10d后开始，选择水溶性平衡肥，水溶性平衡肥中氮、磷、钾的含量氮:磷:钾为20:20:20，以4000倍～5000倍浓度，施肥以浇透苗盘为度，施肥频率为每周1次，每月用清水冲洗栽培基质1次，第二次移栽后，前6个月施高氮肥，高氮肥中氮、磷、钾的含量为氮:磷:钾30:10:10，施肥以灌满苗盘为度，施肥频率为每周1次，光照强度控制在8000lx，最高温度≤35℃。
15、作为优选：所述步骤2）中，催花操作时，停止施肥，并控制浇水，保持基质处于干爽状态，以不引起萎蔫为度，适当的叶面喷水，在喷淋后尽快吹干叶面，且在出现花芽后绝对禁止叶面喷水，此阶段增加光照强度，可在原种植条件的基础上增加20%，花芽出现有恢复施肥，施肥施平衡肥，灌根施用，光照强度降低至8000lx～10000lx，温度25℃，当花芽抽出约10cm左右时，设立支架。
16、作为优选：所述步骤2）中，病虫害防治时，防治细菌性软腐病选用77%氢氧化铜可湿性粉剂400倍液、30.3%四环霉素可溶性粉剂1000倍液、68.8%多保链霉素可湿性粉剂1000倍液、10%链四环霉素可湿性粉剂1000倍液；防治蜗牛与蛞蝓选用6%的密达颗粒剂放于花盆的周围，在浇水的前1d傍晚放药。
17、作为优选：所述步骤2）中，出圃包装时，采用瓦楞纸箱，纸箱规格为110cm×45cm×20cm，瓦楞纸箱应符合gb/t6543规定要求，花朵用无纺布包裹，横向平放，放置于纸箱中间处，花盆用胶布固定于纸箱两边，装运兰花的交通工具和贮存的场所都应保持20℃～25℃恒温。
18、本专利技术的有益效果：所述兜兰培植方法从基质制备开始对栽培基质进行高温消毒，同时将基质粉碎成至少三个规格备用，培育过程中练苗后进行第一次移栽，栽植至少九天后施肥，兰苗长叶后进行第二次移栽，移栽至少九天后施肥，第二次移栽并施肥后进行催花操作，催花成功后进行针对性的病虫害防治，配制针对性药剂，可有效保证兰花病虫害的放置效果，另外，本专利技术记载的兜兰属培育方法还公开了兰花培育后的出圃后的包装转运方法，避免兰花因包装转运不恰当造成损坏。
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1.一种兜兰培植方法，其特征在于，所述兜兰培植方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中炼苗后幼苗栽植时，用清水清洗根部后栽入苗盘，栽培过程中勿造成兰苗的机械损伤，栽培深度以基质完全遮盖根系为度，苗盘需留出上部约1/5空间，密度按50×50mm行间距裁入苗盘内，将裁好幼苗的苗盘放入到苗床后立即淋水，使苗盘浇透为度，调控夜温在15～25℃的范围，幼苗进入苗床后每天9:00-10:00间，喷水2～3分钟，大棚内湿度保持在65～75%。
3.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，第一次移栽时，将兰苗连同基质移入∮50mm的裁培杯内，兰苗摆放时杯栽叶片方向排列一致，将其叶片按苗盘的对角线平行摆放。
4.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，施肥操作在第一次移栽9d～10d后开始，选择水溶性平衡肥，水溶性平衡肥中氮、磷、钾的含量氮:磷:钾为20:20:20，以4000倍～5000倍浓度，施肥以浇透苗盘为度，施肥频率为每周1次，每月用清水冲洗栽培基质
5.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，催花操作时，停止施肥，并控制浇水，保持基质处于干爽状态，以不引起萎蔫为度，适当的叶面喷水，在喷淋后尽快吹干叶面，且在出现花芽后绝对禁止叶面喷水，此阶段增加光照强度，可在原种植条件的基础上增加20%，花芽出现有恢复施肥，施肥施平衡肥，灌根施用，光照强度降低至8000Lx～10000Lx，温度25℃，当花芽抽出约10cm左右时，设立支架。
6.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，病虫害防治时，防治细菌性软腐病选用77%氢氧化铜可湿性粉剂400倍液、30.3%四环霉素可溶性粉剂1000倍液、68.8%多保链霉素可湿性粉剂1000倍液、10%链四环霉素可湿性粉剂1000倍液；防治蜗牛与蛞蝓选用6%的密达颗粒剂放于花盆的周围，在浇水的前1d傍晚放药。
7.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，出圃包装时，采用瓦楞纸箱，纸箱规格为110cm×45cm×20cm，瓦楞纸箱应符合GB/T6543规定要求，花朵用无纺布包裹，横向平放，放置于纸箱中间处，花盆用胶布固定于纸箱两边，装运兰花的交通工具和贮存的场所都应保持20℃～25℃恒温。
...【技术特征摘要】
1.一种兜兰培植方法，其特征在于，所述兜兰培植方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中炼苗后幼苗栽植时，用清水清洗根部后栽入苗盘，栽培过程中勿造成兰苗的机械损伤，栽培深度以基质完全遮盖根系为度，苗盘需留出上部约1/5空间，密度按50×50mm行间距裁入苗盘内，将裁好幼苗的苗盘放入到苗床后立即淋水，使苗盘浇透为度，调控夜温在15～25℃的范围，幼苗进入苗床后每天9:00-10:00间，喷水2～3分钟，大棚内湿度保持在65～75%。
3.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，第一次移栽时，将兰苗连同基质移入∮50mm的裁培杯内，兰苗摆放时杯栽叶片方向排列一致，将其叶片按苗盘的对角线平行摆放。
4.根据权利要求1中所述的一种兜兰培植方法，其特征在于：所述步骤2）中，施肥操作在第一次移栽9d～10d后开始，选择水溶性平衡肥，水溶性平衡肥中氮、磷、钾的含量氮:磷:钾为20:20:20，以4000倍～5000倍浓度，施肥以浇透苗盘为度，施肥频率为每周1次，每月用清水冲洗栽培基质1次，第二次移栽后，前6个月施高氮肥，高氮肥中氮、磷、钾的含量为氮:磷:钾30:10:10，施肥以灌满苗盘为度，施肥频率为每周1次，光照强度控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓克云，柏孝辉，刘森银，肖春，
申请(专利权)人：黔西南州绿缘动植物科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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