System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法技术_技高网

一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法技术

技术编号:40239309 阅读:4 留言:0更新日期:2024-02-02 22:38
本发明专利技术提供了一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷技术领域。本发明专利技术提供的温度稳定型毫米波介质陶瓷组成表达式为Ba4Nd9.33‑xSmxTi17.5‑yHf0.5AlyO54,式中x为0‑3,y为0.5‑2。本发明专利技术提供的温度稳定型毫米波介质陶瓷温度稳定性好,同时具有可调的介电常数和较高的Qf值,可匹配多频段毫米波介质谐振器、介质超材料等无源器件应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子陶瓷,特别涉及一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法


技术介绍

1、随着5g毫米波技术的不断发展,“万物互连”下的多场景应用对当代无源器件的发展提出了更严格的要求(高可靠性、高性能、低功耗等),相应的毫米波介质陶瓷应该具有良好的温度稳定性,同时具有合适的介电常数(介电常数过大会引起信号延迟)和较低的介电损耗(器件集成度高,功耗大会导致其性能恶化)。

2、在无线通信领域,谐振频率温度系数(τf)是衡量介质谐振器、介质超材料等无源器件温度稳定性的关键指标,该数值近零意味着无源器件在较宽温区范围内具有良好的选频特性;同时,陶瓷介电常数与器件尺寸密切相关,而当今5g毫米波技术覆盖频率范围宽(24.25ghz-52.6ghz),此时需要有相应的介电常数体系去匹配特定频率器件需求,并保持较低的功耗。因此,为应对5g毫米波复杂的应用场景和功能要求,高性能温度稳定型毫米波介质陶瓷是面向上述场景必需的关键材料。


技术实现思路

1、鉴于以上所述,本专利技术目的在于提供一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法,本专利技术提供的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷温度稳定性好,同时具有可调的介电常数和较高的qf值,可匹配多频段毫米波介质谐振器、介质超材料等无源器件应用需求。

2、为了实现上述目的及其相关目的,本专利技术提供一种温度稳定型毫米波介质陶瓷,该温度稳定型毫米波介质陶瓷组成表达式为ba4nd9.33-xsmxti17.5-yhf0.5alyo54,式中x为0-3,y为0.5-2,优选后,x为0、1、2或3,y为0.5、1、1.5或2。

3、本专利技术还提供了上述技术方案所述温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,包括以下步骤:

4、1)将baco3、sm2o3、nd2o3、tio2、al2o3、hf2o3按照化学方程式ba4nd9.33-xsmxti17.5-yhf0.5alyo54称量所需原料,将所称取的物料混合后球磨、烘干、粉碎、过筛,然后进行预烧结,初步合成单相钨青铜结构ba4nd9.33-xsmxti17.5-yhf0.5alyo54介质陶瓷粉体;

5、2)将步骤1)所得介质陶瓷粉体加入聚乙烯醇缩丁醛酯后进行球磨、烘干、粉碎、过筛,使用自动压片机压制成圆柱形陶瓷生坯;

6、3)将步骤2)所得陶瓷生坯1280-1350℃烧结4-8h,得到温度稳定型毫米波介质陶瓷样品。

7、优选地,步骤1)所述球磨还包括加入氧化锆球和无水乙醇进行球磨;所述球磨转速为400转/min,球磨时间为4-10h。

8、优选地,步骤1)所述烘干温度为80℃;所述过筛为先过40目筛,再过80目筛。

9、优选地,步骤1)所述预烧结温度为1150-1200℃,预烧结时间为4-8h。

10、优选地,步骤2)所述聚乙烯醇缩丁醛酯的加入量为粉体质量的0.8%-1.5%。

11、优选地,步骤2)所述球磨时间为10-14h。

12、优选地,步骤2)所述过筛为过80目筛。

13、优选地,步骤2)所述陶瓷生坯直径为10mm,厚度为5mm。

14、有益技术效果:

15、本专利技术提供了一种温度稳定型毫米波介质陶瓷及其制备方法,本专利技术提供的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷组成表达式为ba4nd9.33-xsmxti17.5-yhf0.5alyo54,式中x为0-3,y为0.5-2,本专利技术提供的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷温度稳定性好,同时具有可调的介电常数和较高的qf值,可匹配多频段毫米波介质谐振器、介质超材料等无源器件应用需求。

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【技术保护点】

1.一种温度稳定型毫米波介质陶瓷,其特征在于,其组成表达式为Ba4Nd9.33-xSmxTi17.5-yHf0.5AlyO54,式中x为0-3,y为0.5-2。

2.根据权利要求1所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷,其特征在于,所述组成表达式中,x为0、1、2或3,y为0.5、1、1.5或2。

3.权利要求1-2任一项所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

4.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述球磨还包括加入氧化锆球和无水乙醇进行球磨;所述球磨转速为400转/min,球磨时间为4-10h。

5.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述烘干温度为80℃;所述过筛为先过40目筛,再过80目筛。

6.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述预烧结温度为1150-1200℃,预烧结时间为4-8h。

7.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2)所述聚乙烯醇缩丁醛酯的加入量为粉体质量的0.8%-1.5%。

8.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2)所述球磨时间为10-14h。

9.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2)所述过筛为过80目筛。

10.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2)所述陶瓷生坯直径为10mm,厚度为5mm。

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【技术特征摘要】

1.一种温度稳定型毫米波介质陶瓷,其特征在于,其组成表达式为ba4nd9.33-xsmxti17.5-yhf0.5alyo54,式中x为0-3,y为0.5-2。

2.根据权利要求1所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷,其特征在于,所述组成表达式中,x为0、1、2或3,y为0.5、1、1.5或2。

3.权利要求1-2任一项所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

4.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述球磨还包括加入氧化锆球和无水乙醇进行球磨;所述球磨转速为400转/min,球磨时间为4-10h。

5.根据权利要求3所述的一种温度稳定型毫米波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述烘干温度为80℃;所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:邢孟江罗伟嘉杨圆圆李小珍罗艳玲柴良
申请(专利权)人:嵊州剡溪协同创新研究院
类型:发明
国别省市:

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