【技术实现步骤摘要】
本公开的方面涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、越来越需要被配置为存储高容量数据以在需要数据存储的电子系统中使用的半导体器件。因此，已经研究了用于增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，所提出的一种用于增加半导体器件的数据存储容量的方法包括三维地而不是二维地布置存储单元。
技术实现思路
1、一些示例实施例提供具有改善的电特性和改善的可靠性的半导体器件。
2、一些示例实施例提供电子系统，该电子系统包括具有改善的电特性和改善的可靠性的半导体器件。
3、根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：外围电路区，包括第一衬底、第一衬底上的电路器件、以及电连接到电路器件的第一互连结构；以及存储单元区，与外围电路区重叠。存储单元区可以包括：第二衬底；在垂直于第二衬底的上表面的竖直方向上堆叠的栅电极和层间绝缘层的堆叠；以及沟道结构，延伸穿过堆叠并包括沟道层。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、第二栅电极上的第三栅电极、第三栅电极上的第四栅电...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第四栅电极的所述第一厚度是每一个所述第三栅电极的所述第二厚度的约1.005倍至约1.1倍，并且
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第五栅电极中的每一个具有与每一个所述第三栅电极的所述第二厚度基本相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第一层间绝缘层的第五厚度大于每一个所述第三层间绝缘层的所述第四厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第五栅电极的第六厚度...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第四栅电极的所述第一厚度是每一个所述第三栅电极的所述第二厚度的约1.005倍至约1.1倍，并且
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第五栅电极中的每一个具有与每一个所述第三栅电极的所述第二厚度基本相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第一层间绝缘层的第五厚度大于每一个所述第三层间绝缘层的所述第四厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第五栅电极的第六厚度大于每一个所述第三栅电极的所述第二厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第一层间绝缘层的第五厚度大于每一个所述第三层间绝缘层的所述第四厚度，并且
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道结构还包括分别面向所述栅电极的存储单元，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，每一个所述第一存储单元是三级单元tlc，并且
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极还包括所述第五栅电极上的串选择栅电极，并且
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极还包括所述第一栅电极下方的地选择栅电极，并且
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极还包括所述第五栅电极上的擦除栅电极，并且
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹泳植，李东植，金是完，李昭悧，朴凤泰，沈载株，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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