【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机、vr(virtual reality，虚拟与现实)、ar(augmented reality，增强现实)等依赖于显示装置的消费性电子产品应用而生。对分辨率具有更高需求的显示装置如vr、ar等领域的显示装置，为提供高分辨率而增大了显示面板的像素密度，从而导致开口率的难以提升。
2、因此，亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种显示面板及其制作方法，可以缓解目前具有高分辨率需求的显示装置的开口率难以提升的技术问题。
2、本专利技术提供一种阵列基板，具有显示区，所述阵列基板包括：
3、衬底；
4、薄膜晶体管层，位于所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管层包括多个沿第一方向排布的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述显示区内；
5、其中，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极及第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
6、沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极相连接，至少两个所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置。
7、优选的，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置。
8、优选的，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。
9、优选的，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距大于或等于1微米，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距小于或等于6.6微米。
10、优选的，所述薄膜晶体管层还包括第一过孔，所述第一过孔位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，沿所述第一方向，每一所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极与所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极连接于所述第一过孔内。
11、优选的，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，所述第一过孔位于所述第一有源层在所述第一方向上的一侧。
12、优选的，在所述第一方向上，所述第一栅极包括相对的第一侧及第二侧，所述第一有源层位于所述第一侧与所述第二侧之间，所述第一过孔位于所述第一侧与所述第一有源层之间；
13、其中，在所述第一方向上，所述第一侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距大于所述第二侧与所述第一有源层之间的间距。
14、优选的，在所述第一方向上，所述第一侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距大于或等于1.5微米，所述第一侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距小于或等于4微米；
15、所述第二侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距大于或等于0.5微米，所述第二侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距小于或等于2微米。
16、优选的，所述第一薄膜晶体管还包括在第二方向上位于所述第一有源层相对两侧的第一源极及第一漏极，所述第二方向与所述第一方向相交；
17、所述第一源极及所述第一漏极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第一源极及所述第一漏极分别与所述第一有源层相连接；
18、所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底的一侧，所述像素电极层包括像素电极，所述第一源极和所述第一漏极中的一者与所述像素电极连接。
19、优选的，所述第一源极与所述像素电极连接，所述第一源极的材料选自透明的导电材料；或者，
20、所述第一漏极与所述像素电极连接，所述第一漏极的材料选自透明的导电材料。
21、优选的，所述薄膜晶体管层还包括多个沿第二方向排布的所述第一薄膜晶体管，沿所述第二方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极间隔设置；
22、其中，在所述第二方向上相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距，大于在所述第一方向上相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距。
23、优选的，沿所述第一方向，至少两个所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间设置连接部，所述连接部连接两个所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；
24、其中，所述连接部在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极在所述衬底上的正投影内。
25、优选的，所述阵列基板还包括位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述薄膜晶体管层还包括位于所述非显示区内的第二薄膜晶体管；
26、其中，所述第二薄膜晶体管包括第二源极及第二漏极，至少一所述第二薄膜晶体管的所述第二源极和所述第二漏极中的一者与至少一所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极连接。
27、本专利技术还提供一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。
28、本专利技术通过将在第一方向上的至少两个第一栅极间隔设置，减少了第一栅极对光线的遮挡，从而增加了应用阵列基板的显示面板的开口率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距大于或等于1微米，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距小于或等于6.6微米。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括第一过孔，所述第一过孔位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，沿所述第一方向，每一所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极与所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极连接于所述第一过孔内。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，所述第一过孔位于所述第一有源层在所述第一方向上的一侧。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距大于或等于1.5微米，所述第一侧与所述第一有源层在所述第一栅极上的正投影之间的间距小于或等于4微米；
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括在第二方向上位于所述第一有源层相对两侧的第一源极及第一漏极，所述第二方向与所述第一方向相交；
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源极与所述像素电极连接，所述第一源极的材料选自透明的导电材料；或者，
11.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括多个沿第二方向排布的所述第一薄膜晶体管，沿所述第二方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极间隔设置；
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，至少两个所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间设置连接部，所述连接部连接两个所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述薄膜晶体管层还包括位于所述非显示区内的第二薄膜晶体管；
14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极间隔设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距大于或等于1微米，相邻的所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极之间的间距小于或等于6.6微米。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括第一过孔，所述第一过孔位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，沿所述第一方向，每一所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极与所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极连接于所述第一过孔内。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层位于所述第一栅极与所述第二栅极之间，所述第一过孔位于所述第一有源层在所述第一方向上的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一栅极包括相对的第一侧及第二侧，所述第一有源层位于所述第一侧与所述第二侧之间，所述第一过孔位于所述第一侧与所述第一有源层之间；
8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。