阵列基板和显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括衬底以及设置于衬底的一侧的晶体管和第一遮光部，晶体管包括有源层、源极和漏极，源极和漏极位于有源层远离衬底的一侧，有源层包括沟道区，第一遮光部设置于源极以及漏极与有源层之间，第一遮光部在衬底上的正投影覆盖沟道区在衬底上的正投影，且超出沟道区在衬底上的正投影范围；本申请通过在源极和漏极与有源层之间设置第一遮光部，第一遮光部能够遮挡源极和漏极所在金属层的反射光线，以减少背光经源极和漏极所在金属层反射到沟道区的光线，进而降低晶体管器件的光生漏电流，改善器件的电学性能，以缓解现有薄膜晶体管液晶显示器存在的光生漏电流增加而导致串扰的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

1、与传统的非晶硅(a-si)薄膜晶体管技术相比，低温多晶硅(low temperaturepoly-silicon，ltps)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，tft lcd)，比如应用到vr(virtual reality，虚拟现实)设备中。vr设备需求显示器具备高亮度、高像素密度(pixels per inch，ppi)、低功耗等性能，然而现有vr设备在高亮度背光、长时间光照下存在光生漏电流增加的问题，而光生漏电流增加的问题会引起串扰(crosstalk)等问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有薄膜晶体管液晶显示器存在的光生漏电流增加而导致串扰的技术问题。

2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

3、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：

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【技术保护点】

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述有源层远离所述衬底一侧的栅极，所述栅极对应所述沟道区设置，所述第一遮光部位于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底上的正投影，且超出所述栅极在所述衬底上的正投影范围。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线与所述栅极连接并同层设置，所述数据线与所述源极连接并同层设置；

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述有源层远离所述衬底一侧的栅极，所述栅极对应所述沟道区设置，所述第一遮光部位于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底上的正投影，且超出所述栅极在所述衬底上的正投影范围。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线与所述栅极连接并同层设置，所述数据线与所述源极连接并同层设置；

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部在所述第一方向上呈长条状。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部上设置有至少一个断口，位于所述断口两侧的所述第一遮光部彼此分离，且所述断口位于相邻的两条数据线之间。

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【专利技术属性】
技术研发人员：余茵茵，黄灿，宋德伟，艾飞，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：