【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体，特别是关于一种高压隔离器件的制作方法及高压隔离器件结构。
技术介绍
1、高压隔离器件的使用较为普遍，其通过隔离防护的方式可以消除高电压与接地电压之间的电位差对半导体元器件的不利影响。近年来，采用电容式或电感式的高压隔离器件变得越来越普遍。
2、现有高压隔离器件中，包括底层金属层、隔离介质层以及顶层金属层，隔离介质层位于底层金属层与顶层金属层之间，且隔离介质层中设置有通孔，使得可以通过在通孔内填充金属方式实现部分底层金属层与顶层金属层之间的电连接，并通过隔离介质层实现另一部分底层金属层与顶层金属层之间的隔离。
3、然而，隔离介质层的制作是属于后道工艺，前道工艺制作完器件的底层部分后，在底层部分的基础上进行隔离介质层的制作，需要对制作时的温度进行一定限制，防止温度过高引起器件的底层部分损坏。因此，在低温限制下制作的隔离介质层，其隔离耐压的性能就比较弱，想要满足需求就需要增加隔离介质层的厚度，然而，厚的隔离介质层的沉积速率低，且产生的应力可能影响器件的底层结构。其次，在隔离介质层上进行深孔蚀刻工艺是十分困难的，尤其是当隔离介质层的厚度增加时，工艺难度更加困难。
4、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高压隔离器件的制作方法及高压隔离器件结构，其能够解决现有技术中隔离介
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种高压隔离器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面；在所述衬底的第一表面一侧形成若干沟槽，所述若干沟槽包括具有第一深度的第一沟槽以及具有第二深度的第二沟槽，所述第一深度大于所述第二深度；对所述沟槽的内壁进行氧化直至相邻所述沟槽之间的衬底被完全氧化，形成氧化介质层；向所述第一沟槽内沉积导电材料；去除位于所述衬底的第一表面上的导电材料；将所述衬底的第一表面键合于高压隔离器件的底层部分，其中，所述导电材料与所述底层部分的金属层相接触；减薄所述衬底；制作所述高压隔离器件的顶层部分。
3、在本专利技术的一个或多个实施方式中，通过刻蚀工艺在所述衬底的第一表面一侧形成若干沟槽，其中，相邻所述沟槽之间的衬底的厚度相等。
4、在本专利技术的一个或多个实施方式中，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后部分或全部贴合，以封闭所述第二沟槽。
5、在本专利技术的一个或多个实施方式中，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后，中间仍形成有间隙。
6、在本专利技术的一个或多个实施方式中，对所述沟槽的内壁进行氧化直至相邻所述沟槽之间的衬底被完全氧化的步骤之后，还包括：在所述沟槽内沉积掩膜层的步骤，所述掩膜层封堵住所述第二沟槽设置；在去除位于所述衬底的第一表面上的导电材料的步骤之后，还包括：去除位于所述衬底的第一表面上的掩膜层的步骤。
7、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述沟槽内沉积掩膜层的步骤之后，还包括：刻蚀并去除所述第一沟槽底壁上的所述掩膜层的步骤。
8、在本专利技术的一个或多个实施方式中，在所述衬底的第一表面一侧形成若干沟槽的步骤之前，还包括在所述衬底的第一表面依次形成氧化物层和氮化物层的步骤；在将所述衬底的第一表面键合于高压隔离器件的底层部分的步骤之前，还包括：去除所述氮化物层的步骤。
9、在本专利技术的一个或多个实施方式中，将所述衬底的第一表面键合于高压隔离器件的底层部分的步骤之前，还包括：对所述衬底的第一表面与高压隔离器件的底层部分的表面进行清洁或等离子处理的步骤。
10、在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述的减薄所述衬底，包括：对所述衬底远离第一表面的一侧进行研磨和抛光，至完全去除所述衬底未被氧化的部分并暴露出所述导电材料。
11、本专利技术的实施例还提供了一种高压隔离器件结构，包括：底层部分、隔离介质层以及顶层部分。其中，所述底层部分中包括第一金属层；所述隔离介质层位于所述底层部分的一侧，所述隔离介质层包括氧化介质层；所述顶层部分位于所述隔离介质层远离所述底层部分的一侧，所述顶层部分包括第二金属层；所述隔离介质层中设置有沟槽，所述沟槽包括第一沟槽，所述第一沟槽内填充有导电材料，部分所述第一金属层与所述第二金属层通过所述导电材料连接；其中，所述氧化介质层是通过先在衬底中形成沟槽，再对沟槽的内壁进行氧化直至相邻沟槽之间的衬底被完全氧化而形成。
12、与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的高压隔离器件的制作方法及高压隔离器件结构，在衬底上进行隔离介质层的单独制作，在制作过程中不会对高压隔离器件的底层部分造成影响，隔离介质层可以在更高的温度下完成制作，使得隔离介质层的隔离耐压性能更高，器件性能更佳。
13、根据本专利技术实施方式的高压隔离器件的制作方法及高压隔离器件结构，通过先在衬底上进行深沟槽的刻蚀，再对深沟槽进行氧化，以在衬底上形成氧化介质层，后进行其他工序制作隔离介质层(隔离介质层包括氧化介质层)，能够解决直接在隔离介质层上刻蚀深沟槽存在工艺困难的问题，同时又能在高温环境下形成致密的氧化介质层，提高后续隔离介质层的隔离耐压性能更高，器件性能更佳。
14、根据本专利技术实施方式的高压隔离器件的制作方法及高压隔离器件结构，工艺步骤更简单，成本更低廉。
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1.一种高压隔离器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，通过刻蚀工艺在所述衬底的第一表面一侧形成若干沟槽，其中，相邻所述沟槽之间的衬底的厚度相等。
3.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后部分或全部贴合，以封闭所述第二沟槽。
4.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后，中间仍形成有间隙。
5.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，对所述沟槽的内壁进行氧化直至相邻所述沟槽之间的衬底被完全氧化的步骤之后，还包括：在所述沟槽内沉积掩膜层的步骤，所述掩膜层封堵住所述第二沟槽设置；
6.如权利要求5所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内沉积掩膜层的步骤之后，还包括：
7.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底的第一表面
8.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，将所述衬底的第一表面键合于高压隔离器件的底层部分的步骤之前，还包括：
9.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，所述的减薄所述衬底，包括：
10.一种高压隔离器件结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高压隔离器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，通过刻蚀工艺在所述衬底的第一表面一侧形成若干沟槽，其中，相邻所述沟槽之间的衬底的厚度相等。
3.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后部分或全部贴合，以封闭所述第二沟槽。
4.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺对所述沟槽的内壁进行氧化，其中，所述第二沟槽的两个侧壁被完全氧化后，中间仍形成有间隙。
5.如权利要求1所述的高压隔离器件的制作方法，其特征在于，对所述沟槽的内壁进行氧化直至相邻所述沟槽之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：马小波，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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