【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其是涉及一种半导体器件和电子器件。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，现有显示器件为了实现窄边框、高开口率、高亮度和高分辨率，会采用金属氧化物薄膜晶体管替代非晶硅薄膜晶体管。金属氧化物薄膜晶体管相对于非晶硅薄膜晶体管具有更高的迁移率及相较于低温多晶硅薄膜晶体管具有更低的漏电流，但随着分辨率和清晰度的要求增大，对金属氧化物薄膜晶体管的迁移率的要求更高。现有显示器件为了增大金属氧化物薄膜晶体管的迁移率，会通过提高半导体层内的载流子浓度，但在实际使用过程中会发现，提高半导体层的载流子浓度会导致薄膜晶体管的关态特性较差，导致漏电严重。
2、所以，现有金属氧化物薄膜晶体管存在无法兼顾高迁移率和低关态电流的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体器件和电子器件，用以缓解现有金属氧化物薄膜晶体管存在无法兼顾高迁移率和低关态电流的技术问题。
2、本申请实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括：
3、衬底；
4、栅极层，设置于所述衬底一侧；
5、有源层，设置于所述栅极层的一侧，所述有源层包括叠层设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层设置于所述栅极层与所述第二有源层之间；
6、其中，所述第一有源层的带隙大于所述第二有源层的带隙，且所述第一有源层内设有抑制载流子移动的元素。
7、在一些实施例中，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第一有源层中的氧化物半导体材料内设有镓
8、在一些实施例中，所述第一有源层的材料包括氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓中的至少一种。
9、在一些实施例中，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第二有源层内掺杂有稀土金属氧化物。
10、在一些实施例中，所述第二有源层的材料包括氧化铟、氧化铟锌中的至少一种，所述第二有源层中掺杂的稀土金属氧化物包括氧化钐、氧化铽、氧化镝、氧化铕、氧化铒、氧化锡、氧化镧、氧化铈、氧化镱和氧化镨中的一种或多种。
11、在一些实施例中，所述第二有源层的厚度与所述第一有源层的厚度的比值范围为1.5至2.5。
12、在一些实施例中，所述第二有源层中的氧原子含量的范围为40％至70％。
13、在一些实施例中，所述栅极层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述半导体器件还包括源漏极层，所述源漏极层设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧，所述源漏极层与所述第一有源层连接。
14、在一些实施例中，所述有源层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述半导体器件还包括源漏极层，所述源漏极层设置于所述有源层远离所述栅极层的一侧，所述源漏极层与所述第二有源层连接。
15、同时，本申请实施例提供一种电子器件，该电子器件包括如上述实施例任一所述的半导体器件。
16、有益效果：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件包括衬底、栅极层和有源层，栅极层设置于衬底一侧，有源层设置于栅极层一侧，有源层包括叠层设置的第一有源层和第二有源层，第一有源层设置于栅极层与第二有源层之间；其中，第一有源层的带隙大于第二有源层的带隙，且第一有源层内设有抑制载流子移动的元素。本申请通过使有源层包括叠层设置的第一有源层和第二有源层，使第一有源层设置于栅极层和第二有源层之间，第一有源层的带隙大于第二有源层的带隙，则第二有源层的载流子浓度较高，有源层的迁移率较高，且第一有源层和第二有源层在接触的界面上可以形成准二维电子气效应，限制电子在厚度方向上的移动，增大源漏极之间的电流，提高开态电流，且第一有源层内设有抑制载流子移动的元素，则第一有源层具有较低的关态电流，从而兼顾半导体器件的高迁移率和低关态电流，且可以通过对有源层的厚度和离子浓度进行调控以调节阈值电压，从而使半导体器件适应不同需求。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第一有源层中的氧化物半导体材料内设有镓、锡中的至少一种元素。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源层的材料包括氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓中的至少一种。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第二有源层内掺杂有稀土金属氧化物。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层的材料包括氧化铟、氧化铟锌中的至少一种，所述第二有源层中掺杂的稀土金属氧化物包括氧化钐、氧化铽、氧化镝、氧化铕、氧化铒、氧化锡、氧化镧、氧化铈、氧化镱和氧化镨中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层的厚度与所述第一有源层的厚度的比值范围为1.5至2.5。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层中的氧原子含量的范围为40％至70％。
8.如权利要
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述半导体器件还包括源漏极层，所述源漏极层设置于所述有源层远离所述栅极层的一侧，所述源漏极层与所述第二有源层连接。
10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第一有源层中的氧化物半导体材料内设有镓、锡中的至少一种元素。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源层的材料包括氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓中的至少一种。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体材料，且所述第二有源层内掺杂有稀土金属氧化物。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二有源层的材料包括氧化铟、氧化铟锌中的至少一种，所述第二有源层中掺杂的稀土金属氧化物包括氧化钐、氧化铽、氧化镝、氧化铕、氧化铒、氧化锡、氧化镧、氧化铈、氧化镱和氧化镨中的一种或多种。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：董钰华，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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