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显示装置制造方法及图纸

技术编号:40218891 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-02 22:25
提供一种高开口率的液晶显示装置或一种高清晰的液晶显示装置。显示装置包括晶体管、液晶元件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一导电层及第二导电层。第一绝缘层具有位于第一导电层上的第一侧面。半导体层与第一导电层的顶面及第一侧面接触,栅极绝缘层隔着半导体层与第一侧面对置,栅电极隔着半导体层及栅极绝缘层与第一侧面对置。第二导电层位于第一绝缘层上且与半导体层接触。液晶元件包括第二导电层、第三导电层及液晶。第三导电层位于第一绝缘层上且在平面视时与第二导电层重叠。半导体层包含氧化物半导体膜,第二导电层包含氧化物导电膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管。本专利技术的一个方式涉及一种包括晶体管的显示装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。


技术介绍

1、作为显示装置之一,有使用液晶元件作为显示元件的液晶显示装置。例如,像素电极以矩阵状配置且各像素电极连接有开关元件的有源矩阵型液晶显示装置被用于智能手机、平板终端、显示器装置、电视装置、数字标牌等各种设置中。

2、已知液晶显示装置大致分为透射型和反射型这两种类型。液晶显示装置的像素中的有效发光面积比(也称为开口率)越大显示越明亮,还有助于降低功耗,所以要求提高开口率。

3、例如,已知有将以金属氧化物为沟道形成区的晶体管用作连接到各像素电极的开关元件的有源矩阵型液晶显示装置。专利文献1公开了一种采用将金属氧化物用于沟道形成区的晶体管来提高开口率的液晶显示装置。

4、[专利文献1]日本专利申请公开第2018-189938号公报


技术实现思路

1、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的液晶显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰的液晶显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的液晶显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够进行高速驱动的液晶显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高显示品质的显示装置。

2、另外,本专利技术的一个方式提供一种能够进行微型化的晶体管。另外,本专利技术的一个方式提供一种电特性良好的晶体管。另外,本专利技术的一个方式提供一种沟道长度小的晶体管。另外,本专利技术的一个方式提供一种占有面积小的晶体管。

3、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的晶体管、显示装置、电子设备等。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高可靠性的晶体管、显示装置、电子设备等。本专利技术的一个方式的目的之一是至少减轻现有技术的问题中的至少一个。

4、注意,这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意,本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。

5、本专利技术的一个方式是一种包括晶体管、液晶元件以及第一绝缘层的显示装置。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一导电层及第二导电层。第一绝缘层具有第一侧面。第一侧面位于第一导电层上。半导体层以与第一导电层的顶面及第一侧面接触的方式设置。栅极绝缘层具有隔着半导体层与第一侧面对置的部分。栅电极具有隔着半导体层及栅极绝缘层与第一侧面对置的部分。第二导电层位于第一绝缘层上且以与半导体层接触的方式设置。液晶元件包括第二导电层、第三导电层及液晶。第三导电层位于第一绝缘层上且在平面视时具有与第二导电层重叠的部分。半导体层包含氧化物半导体膜。第二导电层包含氧化物导电膜。

6、本专利技术的另一个方式是一种包括晶体管、液晶元件及第一绝缘层的显示装置。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一导电层及第二导电层。第一绝缘层中设置有开口且具有位于开口中的第一侧面。半导体层以与第一导电层的顶面及第一侧面接触的方式设置。栅极绝缘层具有隔着半导体层与第一侧面对置的部分。栅电极具有隔着半导体层及栅极绝缘层与第一侧面对置的部分。第二导电层位于第一绝缘层上且以与半导体层接触的方式设置。液晶元件包括第二导电层、第三导电层及液晶。第三导电层位于第一绝缘层上且在平面视时具有与第二导电层重叠的部分。半导体层包含氧化物半导体膜。第二导电层包含氧化物导电膜。

7、在上述任意显示装置中,优选第三导电层位于第二导电层上且包含氧化物导电膜。再者,优选栅极绝缘层具有位于第三导电层与第二导电层间的部分。

8、另外,在上述显示装置中,优选第三导电层以与栅极绝缘层的顶面接触的方式设置。

9、另外,在上述显示装置中,优选栅电极上有第二绝缘层。在该情况下,优选第三导电层具有隔着栅极绝缘层及第二绝缘层与第二导电层重叠的部分。

10、另外,在上述显示装置中,优选第三导电层具有隔着第二绝缘层与栅电极重叠的部分。

11、另外,在上述显示装置中,优选第三导电层上有第三绝缘层。在该情况下,优选第二导电层具有隔着第三绝缘层与第三导电层重叠的部分。

12、根据本专利技术的一个方式,可以提供一种高开口率的液晶显示装置。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种高清晰的液晶显示装置。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种低功耗的液晶显示装置。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种能够进行高速驱动的液晶显示装置。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种高显示品质的显示装置。

13、根据本专利技术的一个方式,可以提供一种能够进行微型化的晶体管。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种电特性良好的晶体管。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种沟道长度小的晶体管。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种占有面积小的晶体管。

14、根据本专利技术的一个方式,可以提供一种具有新颖结构的晶体管、显示装置、电子设备等。根据本专利技术的一个方式,可以提供一种高可靠性的晶体管、显示装置、电子设备等。根据本专利技术的一个方式,可以至少减轻现有技术的问题中的至少一个。

15、注意,这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个方式不一定需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。

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【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.一种显示装置,包括:

3.根据权利要求1所述的显示装置,

4.根据权利要求3所述的显示装置,

5.根据权利要求3所述的显示装置,还包括:

6.根据权利要求5所述的显示装置,

7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:

8.根据权利要求2所述的显示装置,

9.根据权利要求2所述的显示装置,

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.一种显示装置,包括:

3.根据权利要求1所述的显示装置,

4.根据权利要求3所述的显示装置,

5.根据权利要求3所述的显示装置,还...

【专利技术属性】
技术研发人员:楠纮慈川岛进
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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