【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及半导体器件，并且具体而言，涉及半导体制造技术。
技术介绍
1、用符号或字母数字信息标记半导体器件通常是有益的，该符号或字母数字信息用于唯一地对器件进行识别或传送关于器件的其它信息。然而，随着这些器件的尺寸不断减小，标记半导体器件变得越来越具有挑战性。此外，这样的标记可以增加或改变有源结周围的寄生电容、寄生电感或电介质堆叠。因此，这些标记可干扰或修改所述器件的构造、后续组装约束或电气操作，尤其是在高频和高电压下。
2、上述描述仅旨在提供半导体标记的背景概述，并且不旨在穷举。
技术实现思路
1、以下呈现简化的概述以便提供对本文描述的一些方面的基本理解。本概述不是所公开的主题的广泛性的概述。其既不旨在定义本公开的关键元件也不旨在描绘其范围。其唯一目的是以简化形式呈现一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
2、在一个或多个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括金属焊盘的端子；以及沉积在端子上的钯的图案化层，其中，图案化层在端子上形成标记。
3、此外，根据一个或多个实施例，提供了一种半导体器件，其包括电气接触，所述电气接触是通过第一金属化工艺形成的并且包括通过第二金属化工艺沉积在电气端子上的钯层形成的标记。
4、此外，根据一个或多个实施例，提供了一种用于标记半导体器件的方法，包括在制作中对半导体器件执行第一金属化工艺，该第一金属化工艺在半导体器件上生成至少一个电气端子；以及执行第二金属化工艺，该第二金属化工艺在至少
5、为了实现前述和相关的目的，本文结合以下描述和附图描述了某些说明性方面。这些方面指示出可以实践的各种方式，所有这些方式被意在包含于本文中。当结合附图考虑时，根据以下详细描述，其它优点和新颖特征可以变得显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述端子是金、铜、银或铝中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，钯的所述图案化层经由蒸发、剥离工艺、蚀刻、溅射或镀中的至少一种被沉积在所述端子上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标记为符号、一行字母数字文本或多行字母数字文本中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是电容器、二极管、晶体管、晶闸管、电阻器、电感器或滤波器中的一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，向所述端子添加钯的所述图案化层保持所述端子的可焊接性和引线可接合性。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件能够承受1,000伏或更大的在半导体器件上的部件之间的截止电压。
8.一种半导体器件制造系统，用于制备根据权利要求1所述的半导体器件。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求9所述的半
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体器件支持1,000伏或更大的在所述半导体器件上的部件之间的截止电压。
13.一种用于标记半导体器件的方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述端子是金、铜、银或铝中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，钯的所述图案化层经由蒸发、剥离工艺、蚀刻、溅射或镀中的至少一种被沉积在所述端子上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标记为符号、一行字母数字文本或多行字母数字文本中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是电容器、二极管、晶体管、晶闸管、电阻器、电感器或滤波器中的一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，向所述端子添加钯的所述图案化层保持所述端子的可焊接性和引线可接合性。
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【专利技术属性】
技术研发人员：玛格丽特·巴尔泰拉，蒂莫西·博莱斯，
申请(专利权)人：玛科姆技术方案控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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