一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜及其制备方法和应用，涉及绝缘薄膜技术领域。所述聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜是以单体苯乙烯、引发剂和单体偶氮苯为原料进行反应制得。本发明专利技术制备的聚苯乙烯/偶氮苯薄膜具有优异的自修复性能，在紫外光和加热条件下均可修复机械损伤和电损伤，并且具有较低的介电常数和较好的绝缘性能，因此在电力电子和绝缘设备领域中具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及绝缘薄膜，具体涉及一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、电力设备与电力电子器件由于长期受到电、热和机械应力等因素的影响，其结构中绝缘材料不可避免地产生不同程度的缺陷或损伤，严重影响其电气及力学性能，缩短设备和器件的使用寿命，导致其安全性面临巨大挑战。因此，近年来材料的自修复性能得到了学术界和工业界的广泛关注，已经成为绝缘材料领域的研究热点。

2、目前已有的自修复方法包括：在绝缘聚合物基体中添加氢键自修复材料[bian wc等.polylmers,2017,9(9):431.]、通过超顺磁性纳米颗粒产生局部高温熔融重塑实现自修复[yang y等.nat nanotechnol,2019,14(2):151-155.]和添加包覆修复液微胶囊实现自修复[gao l等.matter,2020,2(2):451-463.]。但现阶段的自修复方法存在共性缺点，包括：修复条件苛刻、修复成本较高等。因此，研究更加便捷的自修复方法具有重要的工程实践价值。

3、偶氮苯(azobenzene)是一种典型有机小本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，S1中所述溴化亚铜与4,4’-二壬基-2,2’-联吡啶的质量比为1：(3.2-3.8)。

3.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，S2中所述预处理的液氮冷冻，抽真空，然后充入氮气，再冷冻，反复三次；所述单体苯乙烯与引发剂的体积比为(500-750)：1。

4.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，S3中所述油浴锅温...

【技术特征摘要】

1.一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，s1中所述溴化亚铜与4,4’-二壬基-2,2’-联吡啶的质量比为1：(3.2-3.8)。

3.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，s2中所述预处理的液氮冷冻，抽真空，然后充入氮气，再冷冻，反复三次；所述单体苯乙烯与引发剂的体积比为(500-750)：1。

4.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，s3中所述油浴锅温度为90-110℃，反应时间为24-28小时。

5.根据权利要求1所述的一种自修复聚苯乙烯/偶氮苯绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，s4中所述停止反应后，采用四氢呋喃溶解，以四氢呋喃为流动相反应，随后用无水乙醇进行沉淀；所述中性氧化铝柱粒度规格为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱远惟，柯浚鑫，鲁万龙，江以航，李盛涛，聂永杰，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：