光模块结构制造技术

技术编号:40193838 阅读:41 留言:0更新日期:2024-01-26 23:56
关于一种光模块结构,包含电路板以及光发射次模块。电路板具有容置穿孔。光发射次模块包含光发射单元以及薄膜铌酸锂调制器。薄膜铌酸锂调制器与光发射单元光耦合,且薄膜铌酸锂调制器设置于容置穿孔内。容置穿孔允许容置支持不同光模块规格的薄膜铌酸锂调制器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光通讯装置,特别是一种光模块。


技术介绍

1、在现代高速光通网络中,通常有光通讯器件安装于电子通讯设备中。随着通訊系统的升级和各种因特网服务对通讯带宽需求的快速增加,通讯系统对通讯带宽需求快速增长,从昔日的10g、40g、100g直到如今高传输速率的400g、800g光模块,发展非常迅速。

2、随着5g网络逐渐发展,电吸收调制激光器(eml)逐渐取代直调激光器(dml)成为现有光模块中的主流激光器。eml电吸收调制激光拥有不改变激光特性的特点,在长途传输应用(通常传输距离大于10公里)方面具有优势。然而,使用eml的光模块除了需要符合多源协议(msa)标准而可能设计成气密封装结构之外,也需要更高的功率和更复杂的电路布局来实现运作,这导致架设5g基站的成本高昂因而阻碍5g网络的普及化。

3、另外,考虑到网络对带宽的需求蓬勃增长以及建设通讯系统的成本需要维持,800g光模块可能是未来面对长途传输时的较佳选择。近期,国际光电委员会(theinternational photonics&electronics co本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光模块结构,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的光模块结构,其特征在于,该薄膜铌酸锂调制器选用支持400G光模块的第一薄膜铌酸锂调制器或支持800G光模块的第二薄膜铌酸锂调制器,且该第二薄膜铌酸锂调制器的尺寸小于该第一薄膜铌酸锂调制器的尺寸。

3.如权利要求1所述的光模块结构,其特征在于,该电路板包含具有该容置穿孔的主体以及设置于该容置穿孔内的基座,该光发射单元与该薄膜铌酸锂调制器承载于该基座,且该基座的厚度小于该容置穿孔的总长度。

4.如权利要求3所述的光模块结构,其特征在于,该基座为金属制。

5.如权利要求1所述的光模块结...

【技术特征摘要】

1.一种光模块结构,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的光模块结构,其特征在于,该薄膜铌酸锂调制器选用支持400g光模块的第一薄膜铌酸锂调制器或支持800g光模块的第二薄膜铌酸锂调制器,且该第二薄膜铌酸锂调制器的尺寸小于该第一薄膜铌酸锂调制器的尺寸。

3.如权利要求1所述的光模块结构,其特征在于,该电路板包含具有该容置穿孔的主体以及设置于该容置穿孔内的基座,该光发射单元与该薄膜铌酸锂调制器承载于该基座,且该基座的厚度小于该容置穿孔的总长度。

4.如权利要求3所述的光模块结构,其特征在于,该基座为金属制。

5.如权利要求1所述的光模块结构,其特征在于,该容置穿孔相较于该电路板的中心轴偏位设置。

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗建洪黄瑞潘晏榕
申请(专利权)人:宁波环球广电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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