一种体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种体声波谐振器及其制备方法。其中，体声波谐振器包括：衬底、换能器堆叠结构和保护层，换能器堆叠结构位于衬底一侧；衬底中设置有空腔，空腔贯穿部分衬底；换能器堆叠结构中设置有释放通道，释放通道贯穿换能器堆叠结构；释放通道与空腔连通，且释放通道的开口面积小于空腔的开口面积；换能器堆叠结构靠近衬底一侧的表面包括释放区域和非释放区域；释放区域与释放通道对应；保护层覆盖非释放区域，且覆盖空腔的侧壁。本发明专利技术的技术方案，在体声波谐振器中设置保护层，一方面可以隔离腐蚀气体与换能器堆叠结构，保护换能器堆叠结构不被腐蚀气体腐蚀；另一方面可以起到对空腔范围限位的作用，避免腐蚀气体在衬底中过释放的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、体声波谐振器包括一个声反射结构和两个电极，以及位于两个电极之间的被称作压电激励的压电层。有时也将两个电极称为激励电极，其作用是引起谐振器各层的机械振荡。

2、现有的体声波谐振器多采用硅衬底预埋牺牲层的方法形成声反射结构，但这种方法使得工作区的压电层生长在牺牲层，如二氧化硅层上面，由于牺牲层与压电层晶格的不匹配，很难获得较好的薄膜质量。

3、进一步地，为了提高薄膜的沉积质量，可以将压电层和激励电极中的底电极直接沉积在衬底上，一般采用腐蚀气体释放硅衬底的形式来形成空腔，但腐蚀气体在腐蚀硅衬底时由于没有腐蚀范围的限制，易在硅衬底内部产生过释放的问题，同时由于底电极沉积在衬底上且为金属材料，故底电极易被对金属材料有腐蚀的腐蚀气体腐蚀，影响体声波谐振器的正常工作。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种体声波谐振器及其制备方法，以解决现有技术中腐蚀气体释放硅衬底时存在易腐蚀换能器堆叠结构和空腔范围的过释放问题。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、换能器堆叠结构和保护层，所述换能器堆叠结构位于所述衬底一侧；

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括保护墙；

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括种子层；

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述种子层的晶格与所述保护层的晶格匹配。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述换能器堆叠结构包括叠层设置的底电极层、压电层、上电极层和钝化层。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、换能器堆叠结构和保护层，所述换能器堆叠结构位于所述衬底一侧；

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括保护墙；

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括种子层；

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述种子层的晶格与所述保护层的晶格匹配。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述换能器堆叠结构包括叠层设置的底电极层、压电层、上电极层和钝化层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：谢英，孙成亮，孙博文，丁志鹏，蔡耀，刘炎，邹杨，陈祥，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：