【技术实现步骤摘要】
【】本申请涉及光学感应，尤其是涉及一种光电传感器和电子设备。
技术介绍
0、
技术介绍
1、光电传感器是各种光电检测系统中实现光电信号转换的关键元件，光电传感器具有非接触、响应速度快、性能可靠等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
2、使用过程中，光电传感器将接收到的光信号转换为电信号输出，但是在光电转换过程中，存在光信号干扰的情况，导致传感电信号的串扰，影响了信号的准确性，降低了光电传感器输出结果的可靠性。所以，解决光电传感器中光信号干扰的问题十分重要。
3、【申请内容】
4、有鉴于此，本申请实施例提供了一种光电传感器和电子设备，以解决上述问题。
5、第一方面，本申请实施例提供了一种光电传感器，包括：衬底和位于衬底一侧的多个光电传感单元；挡墙结构，位于相邻的两个光电传感单元之间，挡墙结构包括层叠设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第二膜层远离衬底的一侧，第一膜层包括阻光材料；
6、其中，挡墙结构的第一膜层和第二膜层中的至少一者与光电传感单元的至少一个膜层同层。
7、第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括如第一方面提供的光电传感器。
8、本申请实施例中，在相邻的两个光电传感单元之间设置挡墙结构，挡墙结构的第一膜层使用阻光材料进行制备，使得挡墙结构具有可靠的阻光特性，则挡墙结构可以阻挡相邻光电传感单元间的反射光线，避免相邻光电传感单元之间光信号干扰，有利于保证光电传感器传输的信号的准确性。
9、此外，设置挡墙结构中第
技术实现思路
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感单元包括第一栅极、有源层和源漏极，所述第一栅极位于所述有源层靠近所述衬底的一侧，所述源漏极位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述挡墙结构中的所述第二膜层与所述有源层同层。
4.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一栅极靠近所述衬底的一侧设置有第一绝缘层，所述挡墙结构的所述第二膜层与所述第一绝缘层同层。
5.根据权利要求3或4所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括栅间绝缘层，所述栅间绝缘层的至少部分位于所述第一栅极与所述有源层之间；
6.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，在所述挡墙结构中，所述第一膜层与所述第三膜层接触连接。
9.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，
10.根据权利要求9
11.根据权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的光电传感器，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一子部和所述第二子部之间间隔的宽度为W1，所述第一子部的宽度为W2，4μm≤W1≤W2。
13.根据权利要求9所述的光电传感器，其特征在于，所述挡墙结构中包括多个第一挡墙结构和多个第二挡墙结构，多个所述第一挡墙结构沿所述第二方向排布，多个所述第二挡墙结构沿所述第一方向排布；
14.根据权利要求13所述的光电传感器，其特征在于，在第一方向上相邻的两个所述光电传感单元之间设置有所述第二挡墙结构，该两个相邻的所述光电传感单元中，一者的源极与所述第二挡墙结构相邻，另一者的漏极与该所述第二挡墙结构相邻；
15.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感单元还包括连接层，所述连接层位于所述源漏极靠近所述有源层的一侧；
16.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，在所述挡墙结构中，所述第一膜层包括远离所述衬底一侧的第一表面，所述第一表面与所述衬底之间的距离为H1；
17.根据权利要求16所述的光电传感器，其特征在于，H1-H2≤1μm。
18.根据权利要求16所述的光电传感器，其特征在于：
19.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述挡墙结构中，所述第二膜层的侧面与所述衬底所在平面的夹角为a，40°≤a≤50°。
20.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-19任意一项所述的光电传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感单元包括第一栅极、有源层和源漏极，所述第一栅极位于所述有源层靠近所述衬底的一侧，所述源漏极位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述挡墙结构中的所述第二膜层与所述有源层同层。
4.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一栅极靠近所述衬底的一侧设置有第一绝缘层，所述挡墙结构的所述第二膜层与所述第一绝缘层同层。
5.根据权利要求3或4所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括栅间绝缘层，所述栅间绝缘层的至少部分位于所述第一栅极与所述有源层之间；
6.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，在所述挡墙结构中，所述第一膜层与所述第三膜层接触连接。
9.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的光电传感器，其特征在于，所述挡墙结构的所述第一膜层与所述光电传感单元的所述源漏极同层，所述挡墙结构中包括多个第一挡墙结构，多个所述第一挡墙结构沿所述第二方向排布；
11.根据权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许凡，周斌，卢浩天，章凯迪，王林志，刘桢，林柏全，席克瑞，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。