【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电力电子变换器，尤其涉及一种用于高压大电流输出的软开通boost变换器。
技术介绍
1、现有技术的boost电路拓扑如图1所示，该boost电路拓扑由输入电容c1、升压电感l1、主功率mos管q1、升压二极管d2、输出电容c4组成。r1是电路的负载；c2和d1是q1的寄生电容和体二极管；
2、在mos管q1导通时，电感l1电流线性上升，二极管d2截止，输出靠电容c4维持，当mos管关断时，二极管d2续流，电感和输入源同时向电容c4充电和对负载提供能量，电感电流线性下降，如果二极管续流期间电感电流可以下降到0，则电感电流断续或者临界。如果二极管续流期间电感电流没有下降至0，则电感电流连续，在mos管的下个导通周期到来时，二极管的反向恢复电流会流过mos管，增加mos管的开通损耗。
3、而由于输出电压高，单boost的电路拓扑，mos管的coss损耗及开关损耗大，热量集中，影响了变换器的高频化，使变换器的体积无法小型化。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问...
【技术保护点】
1.一种用于高压大电流输出的软开通Boost变换器，其特征在于，包括主功率回路，所述主功率回路包括串联连接的直流电源、升压电感L1、主MOS管Q1，所述主功率回路的输入侧并联输入电容C3，所述主功率回路的输出侧并联输出电容C5及负载R1，所述主功率回路还串联有谐振回路，所述谐振回路包括谐振电感L2、谐振电容C4及与所述主MOS管Q1配合并通过死区延时进行交错关断导通的箝位MOS管Q2，所述谐振电感L2、谐振电容C4及箝位MOS管Q2相互串联，所述箝位MOS管Q2寄生有体二极管D2，所述主MOS管Q1寄生有体二极管D1；所述主功率回路与所述输出电容C5之间设置有功率二极
【技术特征摘要】
1.一种用于高压大电流输出的软开通boost变换器，其特征在于，包括主功率回路，所述主功率回路包括串联连接的直流电源、升压电感l1、主mos管q1，所述主功率回路的输入侧并联输入电容c3，所述主功率回路的输出侧并联输出电容c5及负载r1，所述主功率回路还串联有谐振回路，所述谐振回路包括谐振电感l2、谐振电容c4及与所述主mos管q1配合并通过死区延时进行交错关断导通的箝位mos管q2，所述谐振电感l2、谐振电容c4及箝位mos管q2相互串联，所述箝位mos管q2寄生有体二极管d2，所述主mos管q1寄生有体二极管d1；所述主功率回路与所述输出电容c5之间设置有功率二极管d3。
2.根据权利要求1所述的用于高压大电流输出的软开通boost变换器，其特征在于，所述升压电感l1输入端与所述直流电源正端及输入电容c3一端连接，所述升压电感l1的输出端与谐振电感l2的一端、其特征在于，的d端连接及功率二极管d3的输入端连接，所述功...
【专利技术属性】
技术研发人员：王灿然，周党生，谢峰，张永岚，
申请(专利权)人：深圳市禾望电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。