一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体及其制备方法和应用，属于闪烁材料技术领域。针对现有发光卤化物闪烁体的电离辐射发光强度较差、自吸收强等问题，本发明专利技术提供了锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其化学组成为A<subgt;3</subgt;B<subgt;2‑y</subgt;Mn<subgt;y</subgt;X<subgt;9</subgt;；其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs中的一种；B选自Sc、Y、Lu、La、Gd中的一种；X选自F、Cl、Br、I中的一种；0＜y≤0.4。本发明专利技术锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体具有高电离辐射发光效率等优势，可用于探测X射线、γ射线等射线或粒子探测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体及其制备方法和应用，属于闪烁材料。

技术介绍

1、闪烁体是一种能够将入射的高能射线或高能粒子转换为紫外或可见光的能量转换体，闪烁体因其自身的这种独特性能而被作为辐射探测器的核心部件，并在高能物理、核医学影像、国土安全及工业检测等领域中体现出巨大的应用价值。现有的闪烁体材料在电离辐射发光效率、时间分辨率和能量分辨率等存在局限性，限制了其在高性能辐射探测器中的进一步应用。因此，为满足日新月异的科研、医学、工业等领域对闪烁探测材料提出的更高性能要求，新型高性能闪烁材料的研发已迫在眉睫。

2、 零维钙钛矿材料打破了传统钙钛矿材料中八面体之间的连通性，保留了单个金属卤化物八面体的光物理性质。其发光原因大多归因于卤化物多面体[axn]m-的自陷激子（ste）发光。当材料受到光激发时，电子和声子之间会产生强烈的耦合效应，使晶格瞬态畸变并打断激子在晶格点中的运动，导致晶格自陷，从而形成自陷激子。被俘获的光生电子通过复合发光的形式释放能量，最终表现出宽光谱发射和较大的斯托克斯位移，发光自吸收因而较小或者不存在，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，所述锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体的化学组成为A3B2-yMnyX9；

2.根据权利要求1所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，B为La。

3.根据权利要求1所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.05≤y≤0.3。

4.根据权利要求3所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.08≤y≤0.15。

5.根据权利要求4所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.09≤y≤0.12。

6.根据权利要求5所述的锰...

【技术特征摘要】

1.一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，所述锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体的化学组成为a3b2-ymnyx9；

2.根据权利要求1所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，b为la。

3.根据权利要求1所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.05≤y≤0.3。

4.根据权利要求3所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.08≤y≤0.15。

5.根据权利要求4所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，0.09≤y≤0.12。

6.根据权利要求5所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，y=0.1。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，所述锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体的形态为块体单晶。

8. 根据权利要求7所述的锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体，其特征在于，当所述锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体为块体单晶时，所述锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴云涛，宗蕾，王玉捷，闻学敏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：