一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法技术

本发明专利技术属于无机非金属材料技术领域，具体涉及一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法，所述α氧化铝由含氧化铝原料、脱钠剂、诱导相变生长助剂和稳定剂采用三段升温保温策略煅烧而成；本发明专利技术制备的大单晶类球形α氧化铝的粒径D50≥25μm，比表面积小，吸油值低，且其粒度分布极窄，除单独使用制备高导热产品外，也可作为添加组分与其他导热填料复配，分散性及浸润性好，添加份数高，综合性能优越，可作为制备高导热界面材料的优质填料。本发明专利技术通过设置合理的升温温度、保温时间使得中间烧结后无需取出修饰，一步烧制即可制得高性能产品，简化了工艺流程，降低了生产成本，易于产业化。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术属于无机非金属材料，具体涉及一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法。

技术介绍

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技术介绍

1、近年来5g通讯、光伏、新能源等行业迅猛发展，电子产品芯片尺寸越来越小、功率越来越大，热流密度不断增高，对散热能力的要求越来越严格。芯片的散热借助于发热部位与外壳之间的导热界面材料进行热传导，导热界面材料的导热系数是关键指标。导热界面材料是在硅脂、环氧树脂等有机基体中添加导热填料制成导热硅脂、导热垫片、导热凝胶、导热胶带、导热灌封胶、导热相变材料等。由于硅脂、环氧树脂本身导热系数非常低(0.1-0.3w/m.k)，通常需要添加导热系数高，同时兼具良好的绝缘和耐腐蚀性能的填料。常见的导热填充物包括氧化物(氧化铝、氧化镁、氧化锌、二氧化硅)、氮化物(氮化铝、氮化硼)以及碳材料(金刚石、石墨等)。其中氧化铝由于性价比高、导热系数较高(30w/m.k)、耐酸碱腐蚀和良好的介电绝缘性能，在导热填料占据较大的比重。

2、目前研究普遍认为材料中热传递遵循声子传递理论，即填料颗粒在有机基体材料中相互接触形成无数导热网链或导热网络，颗粒受热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，由含氧化铝原料、脱钠剂、诱导相变生长助剂和稳定剂煅烧而成，其中，含氧化铝原料包括氧化铝及氢氧化铝，氢氧化铝的用量为含氧化铝原料总质量的5％～10％；脱钠剂用量为含氧化铝原料总质量的0.1％～1％；诱导相变生长助剂用量为含氧化铝原料总质量的0.5％～2％；稳定剂用量为含氧化铝原料总质量的0.05％～0.1％。

2.根据权利要求1所述的大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，所述大单晶类球形α氧化铝中脱钠剂用量为含氧化铝原料总质量的0.5％～1％；诱导相变生长助剂用量为含氧化铝原料总质量的1％～2％；稳定剂用量为含氧化铝原料总质量的0.1％。<...

【技术特征摘要】

1.一种大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，由含氧化铝原料、脱钠剂、诱导相变生长助剂和稳定剂煅烧而成，其中，含氧化铝原料包括氧化铝及氢氧化铝，氢氧化铝的用量为含氧化铝原料总质量的5％～10％；脱钠剂用量为含氧化铝原料总质量的0.1％～1％；诱导相变生长助剂用量为含氧化铝原料总质量的0.5％～2％；稳定剂用量为含氧化铝原料总质量的0.05％～0.1％。

2.根据权利要求1所述的大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，所述大单晶类球形α氧化铝中脱钠剂用量为含氧化铝原料总质量的0.5％～1％；诱导相变生长助剂用量为含氧化铝原料总质量的1％～2％；稳定剂用量为含氧化铝原料总质量的0.1％。

3.根据权利要求1所述的大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，所述脱钠剂选自氯化铝、氯化铵、硼酸中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，所述诱导相变生长助剂选自氯化钙、氯化钡、氧化硼中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，所述稳定剂选自氧化铈、氧化镧中的至少一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冠，肖劲，孟凡帅，张丽艳，仲奇凡，王跃军，白建奎，袁丹阳，马蓉蓉，
申请(专利权)人：泰安盛源粉体有限公司，
类型：发明
国别省市：