锗器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种锗器件及其制备方法。该制备方法包括：将区熔锗原料在650～800℃下进行成型处理，得到锗器件。锗在室温下为脆性材料，难以通过塑性变形加工制备。本发明专利技术创新性探索出区熔锗材料的高温塑性成形温度窗口650～800℃，发现在该温度区间内锗具有优良的塑性，从而可以根据实际需要加工成任意形状的锗器件，有效避免传统工艺的加工效率低、高能耗、尺寸难以精确控制、产品致密度低、产品质量稳定性差等问题，进而极大地拓展了锗金属的应用范围，并提高了加工效率、降低了加工锗器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及锗材料加工，具体而言，涉及一种锗器件及其制备方法。

技术介绍

1、在电子信息、红外光学以及光电子芯片领域的锗靶材包括高纯锗蒸镀靶材和磁控溅射用锗靶材。在高纯锗蒸镀靶材的尺寸均匀性和高致密度的需求背景下，高纯锗蒸镀靶材的制备工艺亟需优化或突破。通常情况下，锗蒸镀靶材可通过敲击方式制备，获得高纯锗蒸镀物料，此方法获得的物料形状不规则，尺寸难控制，已无法满足蒸镀原材料需求；通过进一步优化，形成了熔体滴入液态水成球形颗粒，获得球形的蒸镀靶材，该方法可获得球形度好，尺寸基本可控的锗靶材。然而，液滴在冷却过程中容易卷入水蒸气，形成空心球，影响球形的蒸镀靶材的致密度。高温水蒸气容易与锗反应生成一氧化锗/二氧化锗，使得锗物料利用率低，造成资源浪费。因此，亟需寻找一种形状尺寸精确控制、不卷入气体、加工稳定性强的工艺，制备生产出形状尺寸均匀、高致密度的高纯锗蒸镀靶材。

2、在高纯锗系列靶材质量和加工效率提升需求的背景下，高纯锗蒸镀靶材的制备工艺亟需优化或突破。通常情况下，磁控溅射用锗靶材多采用单晶材料，存在单晶生长效率低、内部应力导致精密加工成品率低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锗器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述成型处理的过程包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述热挤压处理的温度为700～800℃；所述热挤压处理的挤压速率为0.10～15mm/s；将单道次所述热挤压处理的变形量控制在50％以下；所述棒材的直径为1～10mm；所述小段棒材的长度为1～10mm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述热挤压处理的挤压速率为2～10mm/s；将单道次所述热挤压处理的变形量控制在40％以下；所述棒材的直径为2～5mm；所述小段棒材...

【技术特征摘要】

1.一种锗器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述成型处理的过程包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述热挤压处理的温度为700～800℃；所述热挤压处理的挤压速率为0.10～15mm/s；将单道次所述热挤压处理的变形量控制在50％以下；所述棒材的直径为1～10mm；所述小段棒材的长度为1～10mm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述热挤压处理的挤压速率为2～10mm/s；将单道次所述热挤压处理的变形量控制在40％以下；所述棒材的直径为2～5mm；所述小段棒材的长度为2～8mm。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王同波，王云鹏，娄花芬，崔丁方，莫永达，孙燕，子光平，王苗苗，伍晓菁，李腾飞，张姣，
申请(专利权)人：中铝科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：