一种用于水下读出电子学系统的散热方法及装置制造方法及图纸

技术编号:40179896 阅读:28 留言:0更新日期:2024-01-26 23:46
本发明专利技术公开了一种用于水下读出电子学系统的散热方法及装置。本方法步骤包括:1)将水下读出电子学系统的电路板密封在一腔体内,腔体的密封盖上设有多个密封接插件;两高压电路板通过密封接插件与腔体外的光电倍增管互联;2)在腔体的底部设置一突起结构,突起结构穿过环形铜板中心,利用环形铜板支撑两传热铜板,两高压电路板设置于靠近腔体的中心,两低压电路板置于高压电路板的两侧,每一低压电路板的外侧设置一传热铜板;低压电路板的功耗芯片与传热铜板上的散热铜块贴合;3)功耗芯片通过传热铜板和环形铜板将部分热量传递到腔体外侧的环境中;部分热量通过自然对流的方式传递到腔体内的空气中,然后经侧壁传递到外界环境中。本发明专利技术散热效率高且可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电倍增管制造领域,涉及一种用于光电倍增管水下读出电子学系统的散热方法及装置。


技术介绍

1、光电倍增管(photomultiplier tube,pmt)是一种高灵敏度的光电转换器件,广泛应用于医学成像、天文学观测、粒子物理学实验等众多领域。该器件由光电阴极、一系列倍增极和收集极组成。当光子照射到光电阴极上时,会释放出电子,这些电子会被加速并进入第一个倍增极。由于倍增极上的高电压,这些电子会在倍增极上撞击产生更多的电子,这些电子又会被加速并进入下一个倍增极,最终产生大量的电子,并被收集极收集,形成一个电流信号输出,并被其配套的读出电子学系统获取、处理。光电倍增管及其读出电子学经常在各类水下探测器中使用(例如切伦科夫探测器)。这是因为水有很好的抗辐射性能,可以保护光电倍增管免受高能带电粒子的辐射损伤。此外,水还可以起到减弱背景辐射的作用,提高探测器的信噪比。

2、为了确保光电倍增管及其读出电子学可以在水下正常工作,通常会设计高可靠的防水结构,将读出电子学和水进行隔离。此外,还需要将读出电子学的热量高效、可靠地传递到防水结构外侧,以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于水下读出电子学系统的散热方法,其步骤包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述传热铜板(7)一端与所述环形铜板(12)连接,另一端与所述密封盖(1)连接;所述传热铜板(7)与所述低压电路板(6)之间电绝缘连接;相邻电路板之间通过螺柱(8)固定并控制间距。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,两所述传热铜板(7)的边缘是高度一致的铆柱(9),所述铆柱(9)与所述低压电路板(6)之间设有绝缘垫片(20),通过放松螺钉(15)依次穿过所述低压电路板(6)、绝缘垫片(20)、铆柱(9)、绝缘平垫(21)与螺母(16),实现所述传热铜板(7...

【技术特征摘要】

1.一种用于水下读出电子学系统的散热方法,其步骤包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述传热铜板(7)一端与所述环形铜板(12)连接,另一端与所述密封盖(1)连接;所述传热铜板(7)与所述低压电路板(6)之间电绝缘连接;相邻电路板之间通过螺柱(8)固定并控制间距。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,两所述传热铜板(7)的边缘是高度一致的铆柱(9),所述铆柱(9)与所述低压电路板(6)之间设有绝缘垫片(20),通过放松螺钉(15)依次穿过所述低压电路板(6)、绝缘垫片(20)、铆柱(9)、绝缘平垫(21)与螺母(16),实现所述传热铜板(7)与所述低压电路板(6)的电绝缘连接。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在固体传热的缝隙填充导热硅胶垫(14),所述导热硅胶垫(14)的压缩量控制在初始厚度的20%-30%。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述环形铜板(12)、传热铜板(7)、散热铜块(11)的表面均电镀一层无磁性镍,用于避免铜与所述导热硅胶垫(14)直接接触。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述低压电路板(6)的第一区域内仅有一个功耗芯片(18),且该功耗芯片(18)的高度小于设定值,则所述功耗芯片(18)对应的散热铜块(11)为一面平整、另外一面带有凹槽的第一散热铜块;该凹槽的深度为所述导热硅胶垫(14)初始厚度的70%-80%,通过沉头螺钉(17)将该第一散热铜块固定在所述传热铜板(7)上;当所述低压电路板(6)的第二区域内有多个相邻的功耗芯片(18),且相邻各功耗芯片的高度不一致,则该第二区域内各功耗芯片(18)对应的散热铜块(11)为一面带有凹槽结构、另外一面是台阶结构的第二散热铜块,通过该第二散热铜块台阶结构控制该第二区域内各功耗芯片与该第二散热铜块之间的间距,从而控制该第二区域内各功耗芯片与对应散热铜块(11)间的硅胶垫压缩量一致;当所述低压电路板(6)的功耗芯片(18)高度大于所述低...

【专利技术属性】
技术研发人员:王仰夫江晓山何苗
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所
类型:发明
国别省市:

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