【技术实现步骤摘要】
本公开涉及包括射频吸收性特征的射频器件。此外，本公开涉及用于制造中这样的器件的方法。
技术介绍
1、在诸如雷达系统的射频应用中，越来越多的功能被封装到具有小封装件的组件中，这可能导致功率损耗增加和雷达信号信道之间的干扰增强。因此，在小区域中热量可能增加，并且可能需要更多的工作来保持雷达信号信道之间的信号隔离。射频器件的制造者不断地努力改进其产品。特别地，可能期望提供具有增强的热量排除并且具有在雷达信号信道之间的改进的隔离的射频器件。在这方面，还期望提供用于制造这样的器件的合适方法。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种器件。该器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的层堆叠体。层堆叠体包括包含第一材料的第一层、热界面材料，以及布置在第一材料和热界面材料之间的金属层。
2、本公开的一个方面涉及一种器件。该器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的射频吸收体材料(radio frequencyabsorber material)。射频吸收体材料的相对介电常数(relative permittivity)大于3，并且射频吸收体材料的损耗角正切(loss tangent)大于0.2。
3、本公开的一个方面涉及一种器件。该器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的模制复合材料。模制复合材料的相对介电常数大于2，模制复合材料的损耗角正切小于
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1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一材料(16)包括射频吸收体材料。
3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述第一材料(16)邻近所述射频芯片(2)布置，并且所述热界面材料(18)邻近所述散热片(22)布置。
4.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
5.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
6.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一材料(16)的厚度在0.2mm至0.6mm的范围中。
8.根据权利要求6或7所述的器件，其中所述第一材料(16)包括以下至少一项：碳、橡胶材料、导电聚合物、手性材料，或包括导电颗粒或磁性颗粒中的至少一种颗粒的聚合物基体。
9.根据权利要求1所述的器件，其中：
10.根据权利要求1所述的器件，其中：
11.根据权利要求9或10所述的器件，其中所述第一材料(16)包括模制复合材料。
12.根据权利要求11所
13.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中所述金属层(20)的厚度比所述金属层(20)在处于所述射频芯片(2)的操作频率时的趋肤深度大两倍。
14.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
15.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中所述热界面材料(18)包括具有无机填充料的硅酮基体。
16.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中所述射频芯片(2)的操作频率大于1GHz。
17.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中所述散热片(22)包括金属部件，其中所述金属部件在垂直于所述射频芯片(2)的主表面的方向上的厚度至少为1mm。
18.一种器件，包括：
19.根据权利要求18所述的器件，其中所述射频吸收体材料(36)的厚度大于1mm。
20.根据权利要求18所述的器件，其中所述射频吸收体材料(36)的所述相对介电常数大于5，并且所述射频吸收体材料(36)的厚度大于0.1mm。
21.根据权利要求18至20中的任一项权利要求所述的器件，其中所述射频芯片(2)布置在印刷电路板(12)之上，并且所述散热片(22)的表面不接触所述印刷电路板(12)。
22.根据权利要求21所述的器件，其中所述散热片(22)被完全地布置在所述射频芯片(2)的背离所述印刷电路板(12)的顶表面之上。
23.一种器件，包括：
24.根据权利要求23所述的器件，其中所述射频芯片(2)被包封在所述模制复合材料(38)中。
...【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一材料(16)包括射频吸收体材料。
3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述第一材料(16)邻近所述射频芯片(2)布置，并且所述热界面材料(18)邻近所述散热片(22)布置。
4.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
5.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
6.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中：
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一材料(16)的厚度在0.2mm至0.6mm的范围中。
8.根据权利要求6或7所述的器件，其中所述第一材料(16)包括以下至少一项：碳、橡胶材料、导电聚合物、手性材料，或包括导电颗粒或磁性颗粒中的至少一种颗粒的聚合物基体。
9.根据权利要求1所述的器件，其中：
10.根据权利要求1所述的器件，其中：
11.根据权利要求9或10所述的器件，其中所述第一材料(16)包括模制复合材料。
12.根据权利要求11所述的器件，其中所述射频芯片(2)被包封在所述模制复合材料中。
13.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的器件，其中所述金属层(20)的厚度比所述金属层(20)在处于所述射频芯片(2)的操作频率时的趋肤深度大两倍。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：T·埃尔多尔，W·哈特纳，P·布伦纳，S·康普罗布斯特，M·迈尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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