一种立式LPCVD反应设备制造技术

本发明专利技术公开一种立式LPCVD反应设备，包括：反应室、水冷法兰和炉门；水冷法兰的上部与反应室密封连接，水冷法兰的下部与炉门密封连接；水冷法兰上设有控温系统，控温系统包括主控制器，以及与主控制器连接的热偶和水温控制器；水温控制器将厂务冷却水加热至预设温度后再输送至水冷法兰的环形流道内，以实现水冷法兰外周，以及水冷法兰与反应室和炉门的连接处均进行冷却降温，环形流道中排出的冷却水流经水温控制器后再排出；热偶设置在水冷法兰的环形流道上，以监测环形流道内的冷却水温度，并将温度数据传递至主控制器，主控制器根据热偶反馈的温度信息，向水温控制器发出水温控制指令。本发明专利技术具有结构紧凑、冷却均匀性高且控制精准等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅片加工工艺设备，具体涉及一种用于硅片表面薄膜淀积工艺的立式lpcvd反应设备。

技术介绍

1、现有的立式lpcvd反应室水冷法兰的冷却水由厂务直接提供，一般水温为20℃左右，通过热交换带走密封圈上的热量，使得密封圈的温度维持在正常工作温度范围内，从而保证真空密封的可靠性。但是，该冷却方案带来的副作用就是冷却水道附近的法兰温度较低，使得工艺过程中产生的副产物会粘附在水冷法兰内壁，特别是进水口附近。随着粘附在水冷法兰内壁上的工艺副产物越积越多，部分副产物将会在工艺过程中脱落，成为硅片表面颗粒污染的一个来源。随着半导体先进制程对颗粒污染控制要求的日趋严格，关于颗粒污染源问题的解决就显得尤为重要。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种结构紧凑、冷却均匀性高且控制精准的立式lpcvd反应设备。

2、为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：

3、一种立式lpcvd反应设备，包括：反应室、水冷法兰和炉门；所述水冷法兰的上部与反应室密封连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种立式LPCVD反应设备，其特征在于，包括：反应室(1)、水冷法兰(2)和炉门(3)；所述水冷法兰(2)的上部与反应室(1)密封连接，水冷法兰(2)的下部与炉门(3)密封连接；所述水冷法兰(2)上设有控温系统，所述控温系统包括主控制器(13)，以及与主控制器(13)连接的热偶和水温控制器(11)；所述水温控制器(11)用于将厂务冷却水加热至预设温度后再输送至水冷法兰(2)的环形流道内，以实现水冷法兰(2)外周，以及水冷法兰(2)与反应室(1)和炉门(3)的连接处均进行冷却降温，且环形流道中排出的冷却水流经水温控制器(11)后再排出；所述热偶设置在水冷法兰(2)的环形流道上，用于监测...

【技术特征摘要】

1.一种立式lpcvd反应设备，其特征在于，包括：反应室(1)、水冷法兰(2)和炉门(3)；所述水冷法兰(2)的上部与反应室(1)密封连接，水冷法兰(2)的下部与炉门(3)密封连接；所述水冷法兰(2)上设有控温系统，所述控温系统包括主控制器(13)，以及与主控制器(13)连接的热偶和水温控制器(11)；所述水温控制器(11)用于将厂务冷却水加热至预设温度后再输送至水冷法兰(2)的环形流道内，以实现水冷法兰(2)外周，以及水冷法兰(2)与反应室(1)和炉门(3)的连接处均进行冷却降温，且环形流道中排出的冷却水流经水温控制器(11)后再排出；所述热偶设置在水冷法兰(2)的环形流道上，用于监测环形流道内的冷却水温度，并将温度数据传递至主控制器(13)，所述主控制器(13)根据热偶反馈的温度信息，向水温控制器(11)发出水温控制指令。

2.根据权利要求1所述的立式lpcvd反应设备，其特征在于，所述控温系统还包括加热包(12)，所述加热包(12)环绕在水冷法兰(2)外周，且加热包(12)上设有与主控制器(13)连接的热偶；所述热偶用于监测加热包(12)的温度，并将温度数据传递至主控制器(13)，所述主控制器(13)根据热偶反馈的温度信息，向加热包(12)发出温控制指令。

3.根据权利要求2所述的立式lpcvd反应设备，其特征在于，所述加热包(12)包括分段设置在水冷法兰(2)外周的环形加热片ⅰ(121)、环形加热片ⅱ(122)、环形加热片ⅲ(123)和环形加热片ⅳ(124)，各所述环形加热片上均设有热偶，且各环形加热片独立控温。

4.根据权利要求2所述的立式lpcvd反应设备，其特征在于，所述控温系统还包括流量控制阀(10)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇平，龙会跃，黄志海，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：