【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、异质结(silicon hetero-junction；shj)太阳能电池技术的转换效率达到了25.6％。基于异质结电池开发的异质结背接触(hbc)电池的转换效率达到26.67％，目前异质结太阳电池转换效率已达到26.81％的世界效率记录。异质结太阳电池是一种双面电池，其具有工艺流程简单，转换效率高，温度系数低，全程低温工艺制造节约能耗，适合薄片化，而且天然双面发电，弱光响应好等众多优点，已经在光伏领域中发展迅速。如何提高异质结太阳电池效率，降低其制造成本，最终转化为发电效益，是如今异质结产业化的重点。
2、需要说明的是，异质结太阳电池26.81％的世界效率记录中，其tco(transparentconductive oxide，透明导电氧化物薄膜)薄膜是利用反应离子沉积rpd设备进行沉积制备的。而量产化的异质结太阳的tco薄膜基本是利用物理气相沉积pvd设备进行沉积制备的。如今，也出现极少数的异质结电池利用rpd和pvd设备结合共同沉积tco薄膜，...
【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅基底为N型单晶硅片，所述硅基底的厚度60μm～180μm，电阻率0.2Ω.cm～5Ω.cm。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行清洗制绒处理时，包括如下步骤：
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行清洗时，包括如下步骤：对硅基底进行RCA清洁后，再采用HF溶液清洗硅基底去除表面氧化层，最后经过去离子水清洁及表面干燥处理。<...
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅基底为n型单晶硅片，所述硅基底的厚度60μm～180μm，电阻率0.2ω.cm～5ω.cm。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行清洗制绒处理时，包括如下步骤：
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行清洗时，包括如下步骤：对硅基底进行rca清洁后，再采用hf溶液清洗硅基底去除表面氧化层，最后经过去离子水清洁及表面干燥处理。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层时，具体包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为2nm～10nm。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述n型掺杂层为n型掺杂非晶硅层或纳米晶硅层或微晶硅层；
8.根据权利要求1～6任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在硅基底的正面本征非晶硅层上制备n型掺杂层时，包括如下步骤：
9.根据权利要求1～6任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂层为p型掺杂非晶硅层或纳米晶硅层或微晶硅层；
10.根据权利要求1～6任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在硅基底的背面本征非晶硅层上制备p型掺杂层时，包括如下步骤：通过rf-cvd设备或者vhf-cvd设备在硅基底的背面本征非晶硅层上沉积p型掺杂层；其中，rf-cvd设备或者vhf-cvd设备电源采用13.56mhz～40mhz，工艺气体包含sih4、h2、co2、ch4、n2o、b2h6、tmb中的一种或几种，沉积温度160℃～200℃，沉积压力0.5mbar～5mbar。
11.根据权利要求1～6任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面含铟tco种子层为ito薄膜、vtto薄膜、scot薄膜、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宏伟，侯承利，段誉，杨广涛，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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