System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种PVDF复合膜及其制备方法和应用技术_技高网
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一种PVDF复合膜及其制备方法和应用技术

技术编号:40164663 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-26 23:37
本发明专利技术提供了一种PVDF复合膜及其制备方法和应用,属于膜的制备的技术领域。本发明专利技术提供了一种PVDF复合膜的制备方法,包括以下步骤:将PVDF、含氢键的一维链状分子铁电体和有机溶剂混合,将所得溶液进行自组装成膜,得到所述PVDF复合膜,所述PVDF复合膜中β相PVDF含量为总PVDF的85~92.7wt%。本发明专利技术以取向有序的分子铁电体作为引导剂,利用分子铁电体氢键中的氢与PVDF中氟元素形成新的氢键来诱导来组装成β相PVDF为主的复合PVDF薄膜;分子铁电体自身的自发极化激发了PVDF有序取向的出现,从而提高了复合薄膜的铁电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及膜的制备的,尤其涉及一种pvdf复合膜及其制备方法和应用。


技术介绍

1、聚偏氟乙烯(pvdf)是一类含氟半结晶高分子聚合物材料,其分子链间重复单元是-ch2-cf2-,氟含量可达59.4wt%。-ch2-、-cf2-沿聚合物链不同的空间排列使pvdf具有不同的晶型。常见的pvdf晶型有α,β,γ三种,其中的β-pvdf由于其良好的压电性、热电性和铁电性得到了广泛的应用。

2、常见的获得β相pvdf的方法有以下几种:

3、机械拉伸:通过在高温下对α相pvdf进行双轴或单轴拉伸,可以实现α相到β相的转变。这种方法可以获得高比例的β相pvdf,并且可以控制拉伸方向和速度来调节β相含量和取向。

4、电场极化:通过在高温下对α相pvdf施加交流或直流电场,可以诱导α相到β相的转变。

5、过冷结晶:通过将熔融状态的pvdf快速冷却到低于其结晶温度,可以实现从熔体直接生成β相的过程。

6、共混结晶:通过将pvdf与其他聚合物或添加剂混合,在高温下进行熔融混合,然后冷却结晶,可以实现α相到β相的转变。

7、但是这些获得β相的pvdf的方法中存在铁电性低的技术问题,并且对于大规模生产也存在一些挑战。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种pvdf复合膜及其制备方法和应用,本专利技术可大规模制备pvdf复合膜,并且制备的pvdf复合膜的β相pvdf含量高。

2、为了实现上述专利技术目的,本专利技术提供以下技术方案:

3、本专利技术提供了一种pvdf复合膜的制备方法,包括以下步骤:

4、将pvdf、含氢键的一维链状分子铁电体和有机溶剂混合,将所得溶液进行自组装成膜,得到所述pvdf复合膜,所述pvdf复合膜中β相pvdf含量总pvdf的85~92.7wt%。

5、优选的,所述含氢键的一维链状分子铁电体的分子式为[r4-y]+mx3;

6、所述y为n或p;

7、所述r包括h、烷基、亚烷基和卤代烷基中的一种或多种;

8、所述m为二价金属离子;

9、所述x为卤素离子。

10、优选的,所述二价金属离子包括mn2+、cd2+和pb2+中的一种。

11、优选的,所述卤素离子包括cl-、br-和i-中的一种。

12、优选的,所述pvdf和含氢键的一维链状分子铁电体的质量比为1:0.05~0.3。

13、优选的,所述有机溶剂包括dmf、dma和二甲亚砜中的一种或多种。

14、优选的,所述pvdf和有机溶剂的质量比为1:7~9。

15、优选的,所述自组装成膜前,还包括对所述溶液进行脱泡处理。

16、本专利技术还提供了上述方案所述制备方法制备的pvdf复合膜,所述pvdf复合膜的自发极化强度为4.2~5.2μc/cm2。

17、本专利技术还提供了上述方案所述的pvdf复合膜在柔性电子、传感技术和储能设备领域中的应用。

18、本专利技术提供了一种pvdf复合膜的制备方法,包括以下步骤:将pvdf、含氢键的一维链状分子铁电体和有机溶剂混合,将所得溶液进行自组装成膜,得到所述pvdf复合膜,所述pvdf复合膜中β相pvdf含量为总pvdf的85~92.7wt%。本专利技术以取向有序的分子铁电体作为引导剂,利用分子铁电体氢键中的氢与pvdf中氟元素形成新的氢键来诱导来组装成β相pvdf为主的复合pvdf薄膜;分子铁电体自身的自发极化激发了pvdf有序取向的出现,从而提高了复合薄膜的铁电性能。

19、本专利技术采用溶液法制备pvdf复合膜,相对于传统复杂的制备设备和条件,使制备过程更加简便和高效,从而使得批量生产变得可行,提高了工业化生产的可行性。

20、本专利技术的制备方法保证了产品的一致性和可控性,避免了生产中的不确定性和变异性。

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【技术保护点】

1.一种PVDF复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述含氢键的一维链状分子铁电体的分子式为[R4-Y]+MX3;

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述二价金属离子包括Mn2+、Cd2+和Pb2+中的一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述卤素离子包括Cl-、Br-和I-中的一种。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述PVDF和含氢键的一维链状分子铁电体的质量比为1:0.05~0.3。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂包括DMF、DMA和二甲亚砜中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PVDF和有机溶剂的质量比为1:7~9。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述自组装成膜前,还包括对所述溶液进行脱泡处理。

9.权利要求1~8任一项所述制备方法制备的PVDF复合膜,其特征在于,所述PVDF复合膜的自发极化强度为4.2~5.2μC/cm2。

10.权利要求9所述的PVDF复合膜在柔性电子、传感技术和储能设备领域中的应用。

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【技术特征摘要】

1.一种pvdf复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述含氢键的一维链状分子铁电体的分子式为[r4-y]+mx3;

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述二价金属离子包括mn2+、cd2+和pb2+中的一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述卤素离子包括cl-、br-和i-中的一种。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述pvdf和含氢键的一维链状分子铁电体的质量比为1:0.05~0.3。

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【专利技术属性】
技术研发人员:隋岩李多福钟鸿郭懿徐文昊
申请(专利权)人:井冈山大学
类型:发明
国别省市:

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