【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅缺陷检测，特别涉及一种硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法。
技术介绍
1、目前，单晶硅通常采用直拉法制备，通过将高纯多晶硅在石英坩埚中形成硅熔体，然后将籽晶没入硅熔体中，依次经过引晶、收颈、放肩、等径生长、以及收尾等工序后得到单晶硅。后续再经过成型、打磨抛光、清洗等工序得到硅片。
2、直拉法生长出来的单晶硅会出现间隙缺陷swirl、条纹缺陷striation和杂质管道缺陷等。swirl缺陷在硅片上呈现为不同状态的宏观花纹，有同心圆、偏心圆、d字形条纹，微观下为大密度蝶状腐蚀坑和腐蚀小丘；striation在硅片上呈密集螺旋状条纹分布，在微观下为明暗交替起伏的条纹。杂质富集形成的杂质管道缺陷在硅片上呈中心实心暗圆分布，微观下在实心圆的边缘处有扭曲褶皱出现。硅片中这些缺陷的出现会引起器件热击穿等问题，从而导致器件的效率下降，因此为了提高硅片的质量，以及避免不良硅片流入客户，需要对这些缺陷进行检测。然而，目前现有的硅单晶缺陷的检测方法针对性较强，即通常一种缺陷检测方法只能用来检测一种...
【技术保护点】
1.一种硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：将测试样片放入预先配制的碱腐蚀液中超声碱洗3-15min，取出后利用去离子水清洗。
3.根据权利要求2所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述碱腐蚀液由质量分数为49%的氢氧化钠溶液、界面活性剂和去离子水按照380-400:3-5:2000-4000的体积配比配制而成。
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【技术特征摘要】
1.一种硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：将测试样片放入预先配制的碱腐蚀液中超声碱洗3-15min，取出后利用去离子水清洗。
3.根据权利要求2所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述碱腐蚀液由质量分数为49%的氢氧化钠溶液、界面活性剂和去离子水按照380-400:3-5:2000-4000的体积配比配制而成。
4.根据权利要求1所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：将碱洗后的测试样片放入预先配制的酸腐蚀液中反应1-5min，酸洗后迅速将测试样片从酸腐蚀液中取出，并转移到去离子水中浸泡10min。
5.根据权利要求4所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述酸腐蚀液由质量分数49%的氢氟酸、质量分数70%的硝酸、质量分数99%的醋酸和去离子水按照12:38:15:35的体积配比混合配制而成。
6.根据权利要求1所述的硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：将测试样片表面的去离子水去除干净后...
【专利技术属性】
技术研发人员：王若男，祁海滨，芮阳，徐慶晧，王黎光，曹启刚，徐佳美，冉泽平，陈国喆，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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