【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造功率半导体元件的方法，特别地，涉及其中的主动层是通过原子层沉积法形成的制造功率半导体元件的方法。
技术介绍
1、场效晶体管包含形成于基板上的主动层、形成于主动层上方的源极电极和漏极电极、形成为在主动层上方设置于源极电极与漏极电极之间的栅极电极，以及提供于源极电极、漏极电极及主动层之间的阱区。
2、主动层是由金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition，mocvd)方法形成。此处，在基板被调整到约1200℃的高温的状态下，薄膜被沉积以沉积主动层。即，当基板被维持在约1200℃的高温时，主动层可被沉积于基板上。
3、然而，由于形成主动层的同时基板被加热至高温，存在基板或形成在基板上的薄膜被损坏的限制。此外，这现象成为使场效晶体管的功能劣化或导致缺陷的因素。尤其，当场效晶体管用于电子装置的功率转换或控制时，在高温下形成主动层时造成的损坏成为质量或功能显著劣化的因素。
4、〔相关技术文件〕
5、(专利文件)
6、(专利文件1)日本专利号no.2571583。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术提供一种制造功率半导体元件的方法，能够在低温下制造功率半导体元件。
3、本专利技术还提供了一种制造功率半导体元件的方法，能够于低温下形成主动层。
4、解决方案
5、根据一示例性实施例，一种用于制造功率半导体元件的
6、源气体可包含镓、铟、锌和硅中的一者或两者或多者。
7、反应气体可包含砷、磷、氧和碳中的一者或两者或多者。
8、主动层的形成可包含重复地进行在其中依序进行源气体的喷射、初始清理的进行、反应气体的喷射和二次清理的制程循环。
9、主动层的形成可包含在反应气体的喷射后生成电浆。
10、在反应气体的喷射后的电浆的生成可在二次清理的进行后进行，且主动层的形成可包含重复地进行在其中依序进行源气体的喷射、初始清理的进行、反应气体的喷射、二次清理的进行和电浆的生成的制程循环。
11、主动层的形成可包含在源气体的喷射和反应气体的喷射之间生成电浆。
12、电浆的生成可包含喷射氢气。
13、此方法可进一步包含在主动层的形成前于碳化硅基板上形成结晶缓冲层。
14、缓冲层可由氮化铝制成。
15、此方法可进一步包含在主动层的形成后于主动层中形成阱区，其中阱区的形成可包含：暴露出主动层的一部分区域；蚀刻暴露的主动层的部分区域；以及依序进行源气体的喷射、清理气体的喷射、反应气体的喷射和清理气体的喷射，以于主动层的部分区域中形成阱区。
16、主动层的形成和阱区的形成至少其中一者可包含喷射掺杂气体，其中掺杂气体可在掺杂气体与源气体混合后喷射，或是在喷射源气体后喷射。
17、掺杂气体可包含镁、硅、铟、铝和锌的其中一者。
18、此方法可进一步包含：在主动层上形成栅极绝缘层；在阱区上形成源极电极和漏极电极，使得源极电极和漏极电极在水平方向上相互隔开；以及在栅极绝缘层上形成栅极电极。
19、有益功效
20、根据示例性实施例，主动层可在低温下形成。因此，可以防止基板或形成在基板上的薄膜受到高温热能的损坏。此外，还可节省加热基板以形成主动层所需的功率或时间，并且可以缩短整个制程时间。
21、此外，可用结晶的方式形成主动层。也就是说，可在以低温形成主动层的同时形成结晶的主动层。
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1.一种制造功率半导体元件的方法，包含于一碳化硅基板上形成一主动层，其中该主动层的形成包含：
2.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法，其中该源气体包含镓、铟、锌和硅中的一者或两者或多者。
3.如权利要求2所述的制造功率半导体元件的方法，其中该反应气体包含砷、磷、氧和碳中的一者或两者或多者。
4.如权利要求1至3任一项所述的制造功率半导体元件的方法，其中该主动层的形成包含重复地进行依序进行该源气体的喷射、该初始清理的进行、该反应气体的喷射和该二次清理的一制程循环。
5.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法，其中该主动层的形成包含在该反应气体的喷射后生成一电浆。
6.如权利要求5所述的制造功率半导体元件的方法，其中在该反应气体的喷射后的该电浆的生成是在该二次清理的进行后进行，且
7.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法，其中该主动层的形成包含在该源气体的喷射和该反应气体的喷射之间生成一电浆。
8.如权利要求5或7所述的制造功率半导体元件的方法，其中该电浆的生成包含喷射氢气。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造功率半导体元件的方法，包含于一碳化硅基板上形成一主动层，其中该主动层的形成包含：
2.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法，其中该源气体包含镓、铟、锌和硅中的一者或两者或多者。
3.如权利要求2所述的制造功率半导体元件的方法，其中该反应气体包含砷、磷、氧和碳中的一者或两者或多者。
4.如权利要求1至3任一项所述的制造功率半导体元件的方法，其中该主动层的形成包含重复地进行依序进行该源气体的喷射、该初始清理的进行、该反应气体的喷射和该二次清理的一制程循环。
5.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法，其中该主动层的形成包含在该反应气体的喷射后生成一电浆。
6.如权利要求5所述的制造功率半导体元件的方法，其中在该反应气体的喷射后的该电浆的生成是在该二次清理的进行后进行，且
7.如权利要求1所述的制造功率半导体元件的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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