【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子器件领域，涉及一种高耐压大电流光控双向晶闸管。
技术介绍
1、光控双向晶闸管是一种交流器件，可以用光信号产生的门极电流触发开通。由于采用光信号触发，可以使门极回路与主回路完全绝缘开来，具有很高的换向能力及良好的门极触发对称性，同时省去了普通双向晶闸管所必需的门极变压器等多种控制回路元件，使线路简化。光控双向晶闸管被广泛应用于光电耦合器、固体继电器和电动机调速、控温、焊接等工业领域，对于要求高换向能力、较高频率特性的高可靠性变流装置，光控双向晶闸管具有其他器件不可比拟的优势。
2、大功率光控双向晶闸管一般采用v形槽光敏区结构，如图1所示，主要特点是器件的两个晶闸管被一个断面为v形的沟槽分隔开，采用一个led在门极部位控制器件在两个方向上的开通。由于两个晶闸管彼此分离，避免了工作状态下的互相干扰，因此，这种结构能够获得很高的换向能力。但大面积挖槽不利于获得高耐压、大电流，图1所示的晶闸管结构下，电压、电流水平一般为1000v、100a，且这种结构工艺一致性差，成品率低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高耐压大电流光控双向晶闸管，通过改变光敏门极结构为球形槽，使光控双向晶闸管在两个方向上的光触发灵敏度相近，增强晶闸管耐大电压大电流的能力。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种高耐压大电流光控双向晶闸管，该光控双向晶闸管具有球形槽状的光敏门极结构，球形槽状的光敏门极结构形成于双向晶闸管的
4、可选地，减反射膜的光学厚度接近于入射光波长的四分之一；减反射膜的折射率接近于空气折射率与硅折射率乘积的平方根。
5、可选地，可通过比例为hf:hno3:h3po4:ch3cooh＝2:2:1:l的腐蚀液进行腐蚀得到球形槽。
6、可选地，球形槽的深度不低于300μm。
7、本专利技术的有益效果在于：本专利技术采用中心球形槽状光敏门极结构，使得光控双向晶闸管不仅具有很高的换向能力，而且具有良好的触发参数对称性，能够获得较高的电压、电流水平；同时，在光敏区表面蒸镀一层sio减反射膜，可以大大提高器件的光触发灵敏度。
8、本专利技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
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1.一种高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：具有球形槽状的光敏门极结构，所述球形槽状的光敏门极结构形成于双向晶闸管的中心区域；在球形槽的表面蒸镀有减反射膜，在所述减反射膜表面粘附有钝化膜。
2.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：所述减反射膜的光学厚度接近于入射光波长的四分之一。
3.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：所述减反射膜的折射率接近于空气折射率与硅折射率乘积的平方根。
4.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：通过比例为HF:HNO3:H3PO4:CH3COOH＝2:2:1:l的腐蚀液进行腐蚀得到所述球形槽。
5.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：所述球形槽的深度不低于300μm。
【技术特征摘要】
1.一种高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：具有球形槽状的光敏门极结构，所述球形槽状的光敏门极结构形成于双向晶闸管的中心区域；在球形槽的表面蒸镀有减反射膜，在所述减反射膜表面粘附有钝化膜。
2.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控双向晶闸管，其特征在于：所述减反射膜的光学厚度接近于入射光波长的四分之一。
3.根据权利要求1所述的高耐压大电流光控...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢俊聃，董益钦，段玲，罗杰仙，郭娟，文莎莎，慕丽，钟雪，熊振国，淳宗洁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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