【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板加工装置。
技术介绍
1、通常，诸如溅射(sputtering)装置、等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition)装置或干式蚀刻装置之类的基板加工装置是利用等离子体形成薄膜或图案化薄膜的装置，广泛用于半导体工艺或液晶显示面板的形成中。
2、这种基板加工装置利用腔室、放置基板的第二电极及与第二电极面对并将基板置于两者之间的第一电极构成。腔室所包括的侧壁中的一个侧壁包括将基板引入腔室内部的闸门。由于一个侧壁包括闸门，因此腔室内部的电场表现不均衡状态。即，对于包括闸门的侧壁部分而言，电流需要绕过闸门，由此对应部分的电场可能减弱，从而电场可能整体地偏向包括闸门的侧壁的相反方向。
3、并且，由于电场随着远离具有最大值的地点而减小，因此在第一电极与第二电极之间的边角部分的电场可能过度减弱。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于，以简单的结构缓解基板加工装置的腔室内部的电场的非对称分布现象。
2、本专利技术所要解决的另一技术问题在于，以简单的结构增强基板加工装置的腔室内部的边角部分的电场，从而缓解不均匀的电场分布现象。
3、本专利技术的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过以下记载明确理解未提及的其他技术问题。
4、用于解决上述技术问题的根据一实施例的基板加工装置包括：腔室，包括侧壁、连接所述侧壁的下壁以及与所述下壁对
5、所述第二电极可以包括沿着所述第二电极的各边而布置的接地部，所述接地部的长度可以为与所述接地部相邻的所述第二电极的边的长度的88％至92％。
6、所述第二电极的与所述第一电极面对的一表面可以包括沿第一方向延伸的第一边，其中，所述接地部可以包括与所述第一边相邻而布置并且沿所述第一方向延伸的第一接地部，所述第一接地部以经过所述第一边的中心且垂直于所述第一方向的直线为基准可以对称。
7、所述第二电极的所述一表面还可以包括沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二边，所述接地部还可以包括与所述第二边相邻而布置且沿所述第二方向延伸的第二接地部，所述第二接地部以经过所述第二边的中心且与所述第二方向垂直的直线为基准可以对称。
8、所述第二电极的所述一表面还可以包括沿着与所述第二方向交叉的第三方向延伸的第三边，所述接地部还可以包括与所述第三边相邻而布置且沿所述第三方向延伸的第三接地部，所述第三接地部以经过所述第三边的中心且垂直于所述第三方向的直线为基准可以对称。
9、所述第一方向与所述第三方向可以彼此平行。
10、所述第一侧壁可以布置于所述信号施加部的所述第一方向侧，所述第二侧壁可以布置于所述信号施加部的所述第一方向的相反方向侧，从所述第一接地部到所述第一侧壁的最短距离可以与从所述第二接地部到所述第二侧壁的最短距离相同。
11、从所述信号施加部到所述第一接地部的距离可以与从所述信号施加部到所述第二接地部的距离不同。
12、所述上壁可以包括外壁孔，所述信号施加部可以贯通所述外壁孔而与所述第一电极连接。
13、从所述外壁孔到所述第一侧壁的距离可以大于从所述外壁孔到所述第二侧壁的距离。
14、所述基板加工装置还可以包括：连接部，连接所述第一电极与所述侧壁，其中，所述连接部可以包括绝缘体。
15、从所述信号施加部与所述第一电极相接的地点到所述第三侧壁的最短距离可以与从所述信号施加部与所述第一电极相接的地点到所述第四侧壁的最短距离相同。
16、所述第一侧壁的与所述第二侧壁对向的面的面积可以小于所述第二侧壁的与所述第一侧壁对向的面的面积。
17、用于解决上述技术问题的根据另一实施例的基板加工装置可以包括：电源部，生成电流；第一电极，从所述电源部接收所述电流；信号施加部，连接所述电源部和所述第一电极，并提供所述电流的路径；第二电极，与所述第一电极对向，供从所述第一电极流出的所述电流流入；以及侧壁，围绕所述第一电极及所述第二电极而布置，其中，所述第二电极可以包括沿第一方向延伸的接地部以及沿所述第一方向延伸的第一边，并且在所述第一方向上测量的所述接地部的长度可以为所述第一边的长度的88％至92％。
18、所述接地部以经过所述第一边的中心且垂直于所述第一方向的直线为基准可以对称。
19、所述第二电极还可以包括沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二边以及沿所述第二方向延伸的第二接地部，所述第二接地部以经过所述第二边的中心且与所述第二方向垂直的直线为基准可以对称。
20、所述第一方向与所述第二方向可以彼此垂直。
21、所述基板加工装置还可以包括：上壁，与所述侧壁直接接触并与所述侧壁一起定义反应空间，其中，所述上壁可以包括外壁孔，其中，所述信号施加部可以贯通所述外壁孔而与所述第一电极连接。
22、从所述外壁孔到所述接地部的距离可以与从所述外壁孔到所述第二接地部的距离不同。
23、所述基板加工装置还可以包括：连接部，连接所述第一电极与所述侧壁。
24、其他实施例的具体事项包括于详细的说明及附图中。
25、根据实施例的无掩模基板加工装置通过调节在第一电极的一表面被施加交流电流的地点的位置而具有缓解腔室内部的电场的非对称分布现象的效果。即，通过以抵消由于布置有闸门的侧壁的影响而引起的电场的偏转的方式调节交流电流的施加地点的布置，可以在整体上对称地分布电场。
26、根据实施例的无掩模基板加工装置，可以调节第二电极的接地部的布置而增强边角部分的电场，从而能够改善整体上不均匀的电场分布现象。
27、根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，在本说明书中包括更加多样的效果。
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1.一种基板加工装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
3.根据权利要求2所述的基板加工装置，其中，
4.根据权利要求3所述的基板加工装置，其中，
5.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
6.根据权利要求5所述的基板加工装置，其中，
7.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
8.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
9.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
10.根据权利要求9所述的基板加工装置，其中，
11.根据权利要求9所述的基板加工装置，还包括：
12.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
13.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
14.一种基板加工装置，包括：
15.根据权利要求14所述的基板加工装置，其中，
16.根据权利要求15所述的基板加工装置，其中，
17.根据权利要求16所述的基板加工装置，其中，
18.根据权利要
19.根据权利要求18所述的基板加工装置，其中，
20.根据权利要求14所述的基板加工装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板加工装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
3.根据权利要求2所述的基板加工装置，其中，
4.根据权利要求3所述的基板加工装置，其中，
5.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
6.根据权利要求5所述的基板加工装置，其中，
7.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
8.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，
9.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，
10.根据权利要求9所述的基板加工装置，其中，
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：金仁敎，李大贤，任兴均，郑石源，朱儇佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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