本技术揭示了一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，包括N沟道MOS管和PCB板，PCB板上设有贴片封装区，贴片封装区包括焊盘区及两个管脚焊接区，焊盘区包括贯穿PCB板的若干贯通孔道，贯通孔道的两端分别设有位于PCB板表面的开窗焊圈，贯通孔道设有用于两个开窗焊圈相导通连接的导通体。本技术提供了封装后的通道散热，相较传统封装其散热效果得到显著提升。易于实现贯通导通配接配合，焊接结构可靠性与导通可靠性得到保障。开窗过孔与导通体内置结合巧妙，易于PCB板设计与加工成型，适于推广应用。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，属于pcb板贴片结构的。
技术介绍
1、pcb电源供电系统中常用n沟道mos管来实现电源转换，但是在上电后，由于电子元器件本身存在一定的阻抗会消耗一部分能量，这部分能量又以热能的形式表现出来，为了优化pcb性能，pcb设计过程中，需要考虑这部分热能尽可能小的对整板的影响。
2、在pcb板的设计中，会进行相应地封装优化，而mos管一般包括g/s管脚与漏极，在进行传统散热优化时，通过进行增加焊接开窗的方式，实现增加面积的散热，但是其仅能实现单面的散热，散热效果非常有限。
3、目前也存在贯通孔道的设计，其能满足单侧气流通的散热需求，但是贯通孔道本身并不满足电性导通的需求，同时其较难实现两侧的导通配接配合需求。
技术实现思路
1、本技术的目的是解决上述现有技术的不足，针对传统pcb贴片封装的散热性能较差且贴片导通性能差的问题，提出一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构。
2、为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案为：
3、一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，包括n沟道mos管和pcb板，所述pcb板上设有贴片封装区，
4、所述贴片封装区包括焊盘区及两个管脚焊接区，
5、所述焊盘区包括贯穿pcb板的若干贯通孔道，所述贯通孔道的两端分别设有位于所述pcb板表面的开窗焊圈，
6、所述贯通孔道设有用于两个所述开窗焊圈相导通连接的导通体。
>7、优选地，所述导通体为在所述贯通孔道的孔壁上电镀成型的导通管壁层。8、优选地，所述导通体为填充在所述贯通孔道内的填充导通体。
9、优选地，所述填充导通体为沉积金属柱体。
10、优选地，所述填充导通体朝向所述n沟道mos管的一侧设有助焊凹槽。
11、优选地，所述焊盘区朝向所述n沟道mos管的一侧设有与若干所述开窗焊圈相连通的连通层开窗。
12、优选地，所述n沟道mos管为to252 mosfet。
13、优选地，所述管脚焊接区和所述开窗焊圈分别为在pcb表面去除绝缘层的导体内层。
14、本技术的有益效果主要体现在：
15、1.提供了封装后的通道散热，相较传统封装其散热效果得到显著提升。
16、2.易于实现贯通导通配接配合，焊接结构可靠性与导通可靠性得到保障。
17、3.开窗过孔与导通体内置结合巧妙，易于pcb板设计与加工成型，适于推广应用。
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【技术保护点】
1.一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，包括N沟道MOS管和PCB板，所述PCB板上设有贴片封装区，其特征在于：
2.根据权利要求1所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
6.根据权利要求1~5任意一项所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
7.根据权利要求1~5任意一项所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述一种N沟道MOS管的PCB贴片封装散热结构，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，包括n沟道mos管和pcb板，所述pcb板上设有贴片封装区，其特征在于：
2.根据权利要求1所述一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述一种n沟道mos管的pcb贴片封装散热结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：申云龙，
申请(专利权)人：苏州海鹏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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