【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于平板探测器，具体地说涉及一种平板探测器。
技术介绍
1、目前，x光成像设备(dr、cbct)多使用基于闪烁晶体(csi、gos)耦合平板探测器实现对x光的探测，如图1所示。闪烁晶体使用碘化铯(csi)或硫氧化钆(gos)把x光转化为可见光，探测器平板上有若干光电转换器像素构成光电转换器阵列，将可见光转化为电信号，然后再使用读出电子学将阵列的电信号按位置读出，就得到像素阵列不同位置的光强度，也就是不同位置的x射线的强度。由众多像素构成的平板探测器，其固有位置分辨率为单个像素(光电二极管，photodiode)的几何尺寸，一般而言，当前使用非晶硅工艺条件下，单个光电二极管(像素)的几个尺寸大约是100umx100um。
2、现有的提升平板探测器固有分辨率的方法是减小单个光电二极管-的设计尺寸，因此，需要重新设计新像素尺寸的光电转换器阵列，周期长，成本高，风险大。单个像素的尺寸并不能无限制减小，越小的像素尺寸意味着平板探测器的填充因子越小，有效探测面积越小，单像素的信噪比变差，探测效率越低。
技术实现思路
1、针对现有技术的种种不足，现提出一种平板探测器，以解决现有技术中存在的受限于像素尺寸，无法显著提升平板探测器固有分辨率的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种平板探测器，包括闪烁晶体，所述闪烁晶体的两个相对侧面均耦合有光电探测器，其一光电探测器与所述闪烁晶体对齐设置，另一光电探测器与所述闪烁晶体错位设置
4、本技术方案进一步设置为，沿着平板探测器的厚度方向，所述闪烁晶体与2个光电探测器对齐设置，所述闪烁晶体与所述光电探测器的错位方向、平板探测器的厚度方向、平板探测器的旋转方向形成正交。
5、本技术方案进一步设置为，所述闪烁晶体与光电探测器的错位间距等于光电探测器的单个像素尺寸的一半。
6、本技术方案进一步设置为，所述闪烁晶体与所述光电探测器的耦合面上设有光学胶涂覆层。
7、本技术方案进一步设置为，2个光电探测器分别连接同一数据读出模块，且2个光电探测器的数据读出进行同步时序控制。
8、本技术方案进一步设置为，所述闪烁晶体和与其错位设置的光电探测器上均设有未重叠区域，所述未重叠区域设有遮光层。
9、本技术方案进一步设置为，所述闪烁晶体与所述光电探测器的尺寸相同。
10、本技术方案进一步设置为，所述光电探测器的像素阵列为m×n，像素尺寸为p×p，光电探测器与闪烁晶体错位p/2，闪烁晶体被等效分割为像素尺寸为p/2×p的像素阵列，与闪烁晶体错位设置的光电探测器中各像素读取的信号强度为aij，与闪烁晶体对齐设置的光电探测器中各像素读取的信号强度为bij，其中，i表示像素阵列的行数，i≤m，j表示像素阵列的列数，j≤n，闪烁晶体上像素阵列对应的像素为sin,其中，i表示像素阵列的行数，i≤m，n表示像素阵列的列数，n＝2j，n≤2n，则：
11、当n＝1时，si1＝ai1；
12、当n≥2，且n为偶数时，sin＝bij-si(n-1)，si(n+1)＝ai(j+1)-sin。
13、本专利技术的有益效果是：
14、在无需改变光电探测器像素阵列的前提下，利用2个光电探测器耦合单层闪烁晶体形成“三明治式”的夹层结构，同时，其中1个光电探测器需要与闪光晶体错位摆放，提高平板探测器本征固有位置的分辨率。
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1.一种平板探测器，其特征在于，包括闪烁晶体，所述闪烁晶体的两个相对侧面均耦合有光电探测器，其一光电探测器与所述闪烁晶体对齐设置，另一光电探测器与所述闪烁晶体错位设置，2个光电探测器的结构相同。
2.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，沿着平板探测器的厚度方向，所述闪烁晶体与2个光电探测器对齐设置，所述闪烁晶体与所述光电探测器的错位方向、平板探测器的厚度方向、平板探测器的旋转方向形成正交。
3.根据权利要求2所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁晶体与光电探测器的错位间距等于光电探测器的单个像素尺寸的一半。
4.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁晶体与所述光电探测器的耦合面上设有光学胶涂覆层。
5.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，2个光电探测器分别连接同一数据读出模块，且2个光电探测器的数据读出需要进行同步时序控制。
6.根据权利要求5所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁晶体和与其错位设置的光电探测器上均设有未重叠区域，所述未重叠区域设有遮光层。
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8.根据权利要求1-7任一所述的一种平板探测器，其特征在于，所述光电探测器的像素阵列为M×N，像素尺寸为P×P，光电探测器与闪烁晶体错位P/2，闪烁晶体被等效分割为像素尺寸为P/2×P的像素阵列，与闪烁晶体错位设置的光电探测器中各像素读取的信号强度为Aij，与闪烁晶体对齐设置的光电探测器中各像素读取的信号强度为Bij，其中，i表示像素阵列的行数，i≤M，j表示像素阵列的列数，j≤N，闪烁晶体上像素阵列对应的像素为Sin,其中，i表示像素阵列的行数，i≤M，n表示像素阵列的列数，n＝2j，n≤2N，则：
...【技术特征摘要】
1.一种平板探测器，其特征在于，包括闪烁晶体，所述闪烁晶体的两个相对侧面均耦合有光电探测器，其一光电探测器与所述闪烁晶体对齐设置，另一光电探测器与所述闪烁晶体错位设置，2个光电探测器的结构相同。
2.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，沿着平板探测器的厚度方向，所述闪烁晶体与2个光电探测器对齐设置，所述闪烁晶体与所述光电探测器的错位方向、平板探测器的厚度方向、平板探测器的旋转方向形成正交。
3.根据权利要求2所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁晶体与光电探测器的错位间距等于光电探测器的单个像素尺寸的一半。
4.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，所述闪烁晶体与所述光电探测器的耦合面上设有光学胶涂覆层。
5.根据权利要求1所述的一种平板探测器，其特征在于，2个光电探测器分别连接同一数据读出模块，且2个光电探测器的数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑子儒，叶煜力，任忠国，吴岱，王远，杨兴繁，周奎，王建新，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
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