System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 磁传感器及电机组装件制造技术_技高网
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磁传感器及电机组装件制造技术

技术编号:40140619 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-23 23:33
本发明专利技术的磁传感器(1)检测沿着轴向(Z)延伸的旋转体(2)的旋转角。磁传感器(1)具有:凹凸结构(22),其在旋转体(2)的轴向(Z)上的前端面(21)设置为环状,由软磁性体形成的;磁铁(3)以及元件(4)。凹凸结构(22)具备凸部(23)和凹部(24),凸部(23)相对于凹部(24)沿着轴向Z突出。元件(4)检测由磁铁(3)和凹凸结构(22)形成的磁场。磁铁(3)和元件(4)与旋转体(2)分开配置,且磁铁(3)和元件(4)的相互的位置关系固定。磁铁(3)和元件(4)中的至少任意个,在轴向Z、和与轴向Z正交的径向R中的至少任意方向上,位于与凹凸结构(22)不同的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁传感器及电机组装件


技术介绍

1、已知一种用磁场检测元件检测旋转体的旋转角的角度传感器。在日本特开2017-151105号公报中公开了一种磁式角度传感器,其具有设置于旋转轴的前端面的凹凸结构、与旋转轴的前端面相对地设置的磁铁、以及检出设置于旋转轴的前端面和磁铁之间的磁场的元件。随着旋转轴的旋转,磁铁和凹凸结构产生的磁场变化。元件通过检出该磁场的变化来检测旋转轴的旋转角。由于磁铁和元件支承于与旋转轴分离的一个基板,因此不会产生由于将磁铁安装于旋转轴而可能产生的磁铁的破损、位置偏移等问题。


技术实现思路

1、专利技术所要解决的技术问题

2、在日本特开2017-151105号公报中公开的角度传感器中,元件位于磁铁和旋转体(旋转轴)之间。因此,在元件的设置位置的磁场难以随着旋转体的旋转而变化,难以提高磁场检出性能。

3、本专利技术的目的在于,提供一种磁铁和元件与旋转体分开配置,并且磁场检出性能提高的磁传感器。

4、用于解决问题的技术方案

5、本专利技术的磁传感器检测沿着轴向延伸的旋转体的旋转角。磁传感器具有:凹凸结构,其在旋转体的轴向上的前端面设置为环状,由软磁性体形成;磁铁;以及至少一个元件。凹凸结构具备至少一个凸部和至少一个凹部,至少一个凸部相对于至少一个凹部沿着轴向突出。至少一个元件检测由磁铁和凹凸结构形成的磁场。磁铁和至少一个元件与旋转体分开配置,且磁铁和凹凸结构的相互的位置关系固定。磁铁和至少一个元件中的至少任意个,在轴向、和与轴向正交的径向中的至少任意方向上,位于与凹凸结构不同的位置。

6、根据本专利技术,能够提供一种磁铁和元件与旋转体分开配置,并且磁场检出性能提高的磁传感器。

7、上述和其他的本申请的目的、特征和优点,通过参照例示本申请的附图的下文中所述的详细的说明而变得显而易见。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁传感器,其中,

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

5.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

6.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

7.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

8.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

9.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

10.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

11.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

12.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

13.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

14.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

15.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

16.根据权利要求15所述的磁传感器,其中,

17.根据权利要求15所述的磁传感器,其中,

18.根据权利要求15所述的磁传感器,其中,

19.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

20.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

21.一种电机组装件,其中,

22.一种磁传感器,其中,

...

【技术特征摘要】

1.一种磁传感器,其中,

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

5.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

6.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

7.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

8.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

9.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

10.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,

11.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:平野裕幸冈祯一郎毛受良一高桥真
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:

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