【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于电驱动的宽光谱隐身系统，属于化工材料合成和功能材料。
技术介绍
1、可变发射率材料是指可通过外界场(如电场、温度场等)的作用实现对发射率可控的材料，因而具备一定的与环境背景变化相适应的能力，实现目标的红外动态隐身。目前，研究较多的可变发射率材料主要有热致变色类与电致变色类两种，热致变色类主要有钙钛矿掺杂锰酸盐类和二氧化钒，电致变色类主要有三氧化钨(wo3)、聚苯胺(pani)以及聚噻吩及其衍生物等。电致变发射率材料的应用方式为电致变发射率器件，图1为电致变发射率器件的结构示意图，当在低发射率电极层上施加电信号后，变发射率材料层会产生相应的发射率调节。与热致变色类相比，由于施加的电信号简单连续可控，从而可实现变发射率材料的发射率连续调节，另外电致变发射率材料的发射率调节范围可达到0.1～0.8，远高于热致变色类。因此电致变发射率器件已成为目前红外动态隐身技术的研究热点，期望在下一代隐形飞机上采用这种红外动态隐身技术。此外，在航天器热控上，电致变发射率器件也具有非常广阔的应用前景。
2、由基尔霍夫定律以及吸...
【技术保护点】
1.一种基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，包括依次层叠设置的基体、多层复合电极、电致变色层、凝胶电解质层和透明电极；所述多层复合电极由第一透明半导体层/贵金属层/第二透明半导体层组成。
2.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述基体为硅片基体、透明玻璃基体或金属基体。
3.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述第一透明半导体层和第二透明半导体层的材质独立选自ITO、FTO和AZO中的一种；所述贵金属层的材质选自Ag、Au、Pt和Pd中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的基于...
【技术特征摘要】
1.一种基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，包括依次层叠设置的基体、多层复合电极、电致变色层、凝胶电解质层和透明电极；所述多层复合电极由第一透明半导体层/贵金属层/第二透明半导体层组成。
2.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述基体为硅片基体、透明玻璃基体或金属基体。
3.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述第一透明半导体层和第二透明半导体层的材质独立选自ito、fto和azo中的一种；所述贵金属层的材质选自ag、au、pt和pd中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述第一透明半导体层的厚度为50～500 nm, 贵金属层的厚度为1～10 nm，第二透明半导体层的厚度为10～100 nm。
5.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述电致变色层的材质选自wo3-x、v2o5、moo3、布鲁士蓝和tio2中的至少一种；所述电致变色层的厚度为100～500 nm。
6.根据权利要求1所述的基于电驱动的宽光谱隐身系统，其特征在于，所述透明电极选自透明导电氧化物、金属纳米线中至少一种；所述透明电极的表面方阻为10～40ω/cm2，透过率≥75%。
【专利技术属性】
技术研发人员：曹逊，黄爱彬，徐放，季晓炜，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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