【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，更具体地，涉及一种电平移位电路、驱动电路和半桥电路。
技术介绍
1、随着电子电力技术的飞速发展，特别是igbt和mosfet等高频自关断元器件应用的日益广泛，驱动电路的设计就显得十分重要，尤其是高压集成电路hvic(high voltage ic：高压ic)驱动。良好的驱动电路能够保证hvic芯片的高性能运作，比如出色的系统可靠性和效率等。目前的消费与工业应用中，hvic被广泛运用于多个领域，如变频电机驱动，开关电源以及电子镇流器等。
2、高压电平移位电路作为驱动芯片的核心组成部分，其传输延迟和可靠性严重影响着高压驱动芯片的性能。在驱动芯片中，电平移位是基于耐高压ldmos器件实现，该器件具有较大的漏与衬底的寄生电容cpar。在共模噪声dv/dt发生时，由于寄生电容cpar的存在，会导致电平移位电路的输出节点跟不上高侧浮动电源电压轨的瞬态跳变速度而产生毛刺。当dv/dt较大时，容易导致后级电路误触发，产生错误输出，即电平移位电路共模瞬态噪声抑制能力(cmti，common-mode-transient...
【技术保护点】
1.一种电平移位电路，用于将第一电压域的输入信号转换为第二电压域的输出信号，包括：
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，还包括：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，还包括：
4.根据权利要求3所述的电平移位电路，其中，所述第二压流转换电路包括：
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其中，所述第一压流转换电路中还包括：
6.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中，所述锁存误动作保护电路包括：
7.根据权利要求6所述的电平移位电路，其中，所述锁存误动作保护电路还包括：
8.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，用于将第一电压域的输入信号转换为第二电压域的输出信号，包括：
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，还包括：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，还包括：
4.根据权利要求3所述的电平移位电路，其中，所述第二压流转换电路包括：
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其中，所述第一压流转换电路中还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：何学宇，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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