【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及真空清洁，具体涉及一种真空腔、清洁方法及半导体制造设备。
技术介绍
1、用于半导体器件生产的真空设备内部需要保持高洁净度，以避免灰尘或其他微粒等污染物损坏半导体器件，从而影响半导体器件的良率和可靠性。随着半导体技术的发展，半导体器件的集成度越来越高，尺寸越来越小，由污染物导致半导体器件出现瑕疵的可能性也越来越高，这就对真空设备内部的清洁度提出了更高的要求。在半导体器件的制备过程中，会不断产生污染物，真空设备需要定期清洁，避免半导体器件受到污染。污染物的清洁效率低会导致时间成本的增加，从而影响半导体器件的制备效率。
2、因此，如何减少真空环境中的污染物成为一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种真空腔、清洁方法及半导体制造设备，能够在真空环境下实现原位清洁，提高真空腔内的洁净度。
2、第一方面，提供了一种真空腔，真空腔的出气口与真空泵相连，真空泵用于对真空腔进行排气处理，真空腔内设置有供气组件，供气组件包括供气管路和至少一个喷嘴，供气管路用于连接至少一个喷嘴和清洁气体源，喷嘴用于向真空腔内喷射清洁气体，在清洁气体的喷射过程中真空腔内的气压小于或等于第一阈值，第一阈值小于或等于103pa，清洁气体在离开喷嘴时形成具有方向性的喷射气流。
3、在本申请实施例的方案中，在清洁过程中的真空腔内处于真空状态，实现了真空环境下的原位清洁，避免了由于破坏真空环境所导致的生产效率的降低。真空环境下的气体稀薄，气体质量较小，因此对气
4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴包括一排或多排喷嘴，其中，每一排的相邻喷嘴之间的间隔为50～100mm。
5、示例性地，处于同一排的多个喷嘴可以理解为处于同一条直线上，且喷射方向相同的多个喷嘴。
6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，至少一个喷嘴包括第一组喷嘴，第一组喷嘴包括位于真空腔的第一内壁的一侧的一排喷嘴，第一组喷嘴用于沿第一内壁喷射清洁气体，第一组喷嘴朝向真空腔的出气口。
7、示例性地，第一组喷嘴的喷射方向可以平行于第一内壁。
8、这样有利于实现喷射气流对第一内壁的全面覆盖，提高对第一内壁的清洁效果。流经第一内壁的清洁气体可以朝着真空腔的出气口流动，有利于避免出现气体回流或出现乱流，进而影响清洁效果。
9、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，至少一个喷嘴包括第二组喷嘴，第二组喷嘴包括呈l型排列的两排喷嘴，两排喷嘴分别位于真空腔的第二内壁的一侧和真空腔的第三内壁的一侧，两排喷嘴分别用于沿第二内壁和第三内壁喷射清洁气体，第二组喷嘴朝向真空腔的出气口。
10、第二组喷嘴沿第二内壁和第三内壁喷射清洁气体，有利于实现喷射气流对第二内壁和第三内壁的全面覆盖，提高第二内壁和第三内壁的清洁效果。第二组喷嘴朝向腔体的出气口，使得流经第二内壁和第三内壁的清洁气体可以朝着真空腔的出气口流动，有利于避免出现气体回流或出现乱流，进而影响清洁效果。
11、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，真空腔的腔体呈筒状，至少一个喷嘴包括第三组喷嘴，第三组喷嘴包括沿平行于真空腔的轴向的方向间隔设置的两排喷嘴，第三组喷嘴用于沿真空腔的第四内壁的切线方向喷射清洁气体，第三组喷嘴位于真空腔的出气口的对侧。
12、第三组喷嘴沿第四内壁喷射清洁气体，有利于实现喷射气流对第四内壁的全面覆盖，提高第四内壁的清洁质量。第三组喷嘴位于真空腔的出气口的对侧，喷射气流沿着第四内壁流动直至到达第三组喷嘴对侧的真空腔的出气口，由真空腔的出气口排出，有利于避免出现气体回流或出现乱流，进而影响清洁效果。
13、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴包括第四组喷嘴，第四组喷嘴包括位于真空腔的顶部的一个或多个喷嘴，第四组喷嘴朝向真空腔的底部的出气口。
14、第四组喷嘴的喷射气流的流动方向经过真空腔的侧壁。第四组喷嘴朝向真空腔的底部的出气口，流经侧壁的清洁气体可以朝着真空腔的出气口流动，有利于避免出现气体回流或出现乱流，进而影响清洁效果。
15、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴用于向真空腔内的目标区域喷射清洁气体，至少一个喷嘴的出气口的尺寸与目标区域相关，或者，至少一个喷嘴的长度与目标区域相关。
16、示例性地，目标区域可以包括真空腔的内壁或真空腔内的部件中的至少一项。
17、本申请实施例的方案中，通过喷嘴向真空腔内喷射清洁气体，形成了具有方向性的喷射气流，通过调整喷嘴尺寸可以调整喷射气流，例如，喷射气流分布的集中性以及初速度等，从而调整喷射气流的覆盖范围。本申请实施例的方案能够精确控制喷射气流的覆盖范围到厘米级别，这样，可以根据目标区域调整喷头的尺寸以实现对目标区域更全面更准确地覆盖，有利于实现定点清洁，在提高清洁效果的同时，避免影响其他区域。
18、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴用于向真空腔内的目标区域喷射清洁气体，至少一个喷嘴的出气口的尺寸是根据喷嘴与目标区域之间的距离确定的。
19、在目标区域较远时，可以采用出气口尺寸较小的喷嘴。出气口尺寸较小的喷嘴可以为喷射气流提供更大的初速度，有利于使得喷射气流到达目标区域。在目标区域较近时，可以采用出气口尺寸较大的喷嘴。出气口尺寸较大的喷嘴可以为喷射气流提供更小的初速度，避免喷射气流在到达目标区域时动量过大，从而导致真空腔内的部件的位置发生移动甚至损坏真空腔内的部件。
20、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴的长度是根据喷嘴与目标区域之间的距离确定的。
21、喷嘴为喷射气流提供了方向性，使得气流的方向更集中。喷嘴的长度越长，喷射气流的集中性越高，喷射气流能够达到的距离越远。喷嘴的长度越短，喷射气流的集中性越低，喷射气流能够到达的距离越近。
22、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，至少一个喷嘴的长度是根据目标区域的范围确定的。至少一个喷嘴的长度与目标区域的范围的尺寸呈负相关关系。
23、在目标区域较小时，可以采用长度较大的喷嘴。长度较大的喷嘴可以使得喷射气流更加集中，更有利于精确控制喷射气流在的覆盖范围，对目标区域实现更全面且更精确地覆盖，有本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种真空腔，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴包括一排或多排喷嘴，其中，每一排的相邻喷嘴之间的间隔为50～100mm。
3.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，所述至少一个喷嘴包括第一组喷嘴，所述第一组喷嘴包括位于所述真空腔的第一内壁的一侧的一排喷嘴，所述第一组喷嘴用于沿所述第一内壁喷射所述清洁气体，所述第一组喷嘴朝向所述真空腔的出气口。
4.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，所述至少一个喷嘴包括第二组喷嘴，所述第二组喷嘴包括呈L型排列的两排喷嘴，所述两排喷嘴分别位于所述真空腔的第二内壁的一侧和所述真空腔的第三内壁的一侧，所述两排喷嘴分别用于沿所述第二内壁和所述第三内壁喷射所述清洁气体，所述第二组喷嘴朝向所述真空腔的出气口。
5.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈筒状，所述至少一个喷嘴包括第三组喷嘴，所述第三组喷嘴包括沿平行于所述真空腔的轴向的方向间隔设置的两排喷嘴，所
6.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴包括第四组喷嘴，所述第四组喷嘴包括位于所述真空腔的顶部的一个或多个喷嘴，所述第四组喷嘴朝向所述真空腔的底部的出气口。
7.根据权利要1至6中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴用于向所述真空腔内的目标区域喷射清洁气体，所述至少一个喷嘴的出气口的尺寸是根据所述喷嘴与所述目标区域之间的距离确定的。
8.根据权利要7所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴的长度是根据所述目标区域的范围确定的，所述至少一个喷嘴的长度与所述目标区域的范围的尺寸呈负相关关系。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴的出气口尺寸为1～10mm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴的长度为30～300mm。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述清洁气体包括氮气或惰性气体。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔配置有阀门，所述阀门用于控制所述清洁气体源向所述喷嘴提供喷射气体。
13.一种清洁方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的清洁方法，其特征在于，当所述真空腔内的气压升至第一阈值时，通过所述真空泵继续对所述真空腔进行排气处理至所述真空腔内的气压再次小于等于所述第二阈值，还包括：
15.根据权利要求13或14所述的清洁方法，其特征在于，清洁气体包括氮气或惰性气体。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的清洁方法，其特征在于，所述第二阈值小于或等于10-1pa。
17.一种半导体制造设备，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的真空腔。
18.一种半导体制造设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述处理器和所述存储器耦合，用于读取并执行所述存储器中的指令，以执行如权利要求13至16中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种真空腔，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴包括一排或多排喷嘴，其中，每一排的相邻喷嘴之间的间隔为50～100mm。
3.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，所述至少一个喷嘴包括第一组喷嘴，所述第一组喷嘴包括位于所述真空腔的第一内壁的一侧的一排喷嘴，所述第一组喷嘴用于沿所述第一内壁喷射所述清洁气体，所述第一组喷嘴朝向所述真空腔的出气口。
4.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈立方体状或长方体状，所述至少一个喷嘴包括第二组喷嘴，所述第二组喷嘴包括呈l型排列的两排喷嘴，所述两排喷嘴分别位于所述真空腔的第二内壁的一侧和所述真空腔的第三内壁的一侧，所述两排喷嘴分别用于沿所述第二内壁和所述第三内壁喷射所述清洁气体，所述第二组喷嘴朝向所述真空腔的出气口。
5.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述真空腔的腔体呈筒状，所述至少一个喷嘴包括第三组喷嘴，所述第三组喷嘴包括沿平行于所述真空腔的轴向的方向间隔设置的两排喷嘴，所述第三组喷嘴用于沿所述真空腔的第四内壁的切线方向喷射所述清洁气体，所述第三组喷嘴位于所述真空腔的出气口的对侧。
6.根据权利要求1或2所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴包括第四组喷嘴，所述第四组喷嘴包括位于所述真空腔的顶部的一个或多个喷嘴，所述第四组喷嘴朝向所述真空腔的底部的出气口。
7.根据权利要1至6中任一项所述的真空腔，其特征在于，所述至少一个喷嘴用于向所述真空腔内的目标区域喷射清洁气体，所述至少一个喷嘴的出气...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾杰，王少雷，杨荣，辛桂珍，时小山，张畅，姚道宇，赵杰，许继业，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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