【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学集成，具体涉及一种光调制结构及其制备方法。
技术介绍
1、硅光芯片中，例如在光通信和相控阵硅光芯片中，对光的调制是一个基本的功能结构。现在大量通信数据的需求及相控阵等硅光芯片中的快速扫描需求，都需要高速光调制的调制结构，同时希望兼具低功耗。现有技术中通常使用热调方式，在硅光芯片中的波导结构上制备发热结构(如金属电阻)，通过发热结构加电后发热并传导到波导结构上，从而改变波导结构中光的相位，从而达到调制的目的；或者使用压电调制，在硅光芯片中的波导结构上制备压电结构(如压电陶瓷)，通过压电结构加电后产生应力，发生形变并使波导结构产生应力而发生形变，从而改变波动结构中光的相位，从而达到调控的目的。
2、然而，热调方式会产生较大热量，速度较慢，功耗比较大，尤其对波导材料为热光系数较小的材料；压电调制功耗相对于热调方式降低，调制速度更快，但压电调制过程会使波导结构产生应力而发生形变，导致波导结构的稳定性差，除此之外，目前相应的波导调制结构的制备工艺与现有cmos工艺兼容性差而使波导结构无法得到量产。
【技术保护点】
1.一种光调制结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述第一波导通过渐变耦合结构、光栅结构、或者定向耦合器将所述第一波导中的光转换到所述第二波导中。
3.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述电极为金属电极，设置于所述平板区的下方，以使所述金属电极产生的电场集中在所述平板区。
4.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述电光材料为铌酸锂薄膜材料。
5.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述第一波导的材料与构成所述第二波导的脊形部分的波导材料相同或不同，所述波
【技术特征摘要】
1.一种光调制结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述第一波导通过渐变耦合结构、光栅结构、或者定向耦合器将所述第一波导中的光转换到所述第二波导中。
3.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述电极为金属电极，设置于所述平板区的下方，以使所述金属电极产生的电场集中在所述平板区。
4.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述电光材料为铌酸锂薄膜材料。
5.根据权利要求1所述的光调制结构，其特征在于，所述第一波导的材料与构成所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘敬伟，张新群，
申请(专利权)人：国科光芯海宁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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