【技术实现步骤摘要】
本技术涉及沉积炉，具体涉及一种沉积炉的除尘装置。
技术介绍
1、金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition，mocvd)是将ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，通过热分解反应方式在衬底表面进行气相外延，生长各种ⅲ-v主族化合物半导体材料(gan、gaas等)、ⅱ-ⅵ副族化合物半导体材料(si、sic等)以及多元固溶体的薄层单晶材料，是当今世界上生产光电器件和微波器件材料的主要手段。目前，mocvd设备被广泛应用于半导体行业中，是半导体产业生产过程中的关键设备，同时也是整个产业利润最高、投资最大的部分，处于半导体行业价值链的顶端，其价值占整个产业链(外延片-芯片-封装-应用)的70％。
2、石墨基座是mocvd设备中的核心零部件之一，是衬底基片的承载体和发热体，直接决定薄膜材料的均匀性和纯度。然而，在实际生产过程中会有腐蚀性气体的产生和金属有机物的残留，这会使石墨基座产生腐蚀掉粉现象，大大降低石墨基座的使用寿命，同时掉落的石墨粉体也会对芯片造成污染，成为限制mocvd设备应用范围和阻碍半导体行业发展的首要问题之一。
3、解决石墨基座腐蚀掉粉问题的有效措施是对石墨基座表面施加整体致密的涂层，目前广为流行的涂层及其制备方法是通过化学气相沉积的方法在石墨基座表面制备sic涂层。根据石墨基座的应用环境和使用要求，石墨基座表面用sic涂层应具备以下几方面的特性:
4、(1)高致密度和全包裹。石墨基座整体都要处于高
5、(2)良好的表面平整度。由于单晶生长所用的石墨基座要求表面平整度非常高，涂层制备完毕后必需保持基座原有的平整度，即涂层面必须均匀一致。
6、(3)高纯度。由于mocvd设备反应腔内需要达到高纯状态，一旦引入杂质因子，必将导致半导体材料存在各种缺陷，影响半导体材料的使用性能，因此在高纯石墨基座上制备的涂层纯度也要非常搞，杂质比例需≤ppm。因此在石墨基座表面制备涂层时，反应腔内也需要达到高纯状态。
7、因此，要想制备满足上述性能要求、且能有效提高石墨基座使用寿命和满足芯片生长需求的sic涂层、tac涂层时，需要对涂层制备过程进行严格管控。
8、采用化学气相沉积法在石墨基座表层制备sic、tac涂层过程中，对于反应腔内洁净度要求非常严格。反应腔内任何一处出现反应残留物脱落、碳基热承载件碳粉脱落，最终在石墨基座表面存留，均将导致石墨基座表面涂层形成大于100μm的凸起点，导致涂层平整度降低；其次，由于杂质突起的依附，这将导致石墨基座表层涂层的纯度降低，在使用过程中将优先形成腐蚀坑点，加速涂层腐蚀失效；最后，由于杂质依附于基体表面，在沉积sic、tac涂层时，涂层将优先于杂质表面沉积后于基体表面沉积，这将导致无法实现涂层与基体的有效结合，导致涂层在高速旋转、高温、强腐蚀性气氛下保持良好的结合强度，最终导致涂层在杂质位点出现开裂失效。
9、目前，对于反应腔内的清理工作均只采用了简单的人工吸尘，清理，炉内高纯气体吹洗等工序。其中，人工吸尘是保证反应腔内较大颗粒粉尘完全洁净的关键步骤，这是最终确保反应腔内做到超洁净的关键。但这道工序采用的是人工操作，效率低，还会根据个人工作能力影响反应腔内效果。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是克服现有技术存在的不足，提供一种沉积炉的除尘装置，解决除尘不彻底、人工差异性大和效率低等问题，从而保证涂层纯度和晶型稳定性。
2、为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
3、一种沉积炉的除尘装置，包括吸尘器和多个吸尘管，所述吸尘器置于沉积炉外部、且设有贯穿沉积炉壁体至腔体内的连通管，所述腔体内转动安装有连通座，所述连通座与连通管活动密封连接，所述连通座承载各吸尘管、并带动各吸尘管在腔体内转动，所述连通座中设有与连通管连通的连通腔，所述吸尘管的一端与腔体连通，各所述吸尘管的另一端通过连通腔和连通管与吸尘器连通，各所述吸尘管上设有与腔体内壁紧贴的毛刷。
4、作为上述技术方案的进一步改进：
5、所述连通座上设有多个与连通腔连通的吸尘管，多个所述吸尘管间隔设置。
6、多个所述吸尘管包括中心管和多个周边管，所述中心管沿连通座的转动轴方向连接于连通座上，多个所述周边管沿中心管的周向均匀连接于连通座上。
7、所述中心管的顶端连接有多个与中心管距离不同且刷毛朝腔体顶端设置的毛刷，各所述周边管上设有刷毛朝腔体侧壁设置的毛刷。
8、所述中心管的顶端靠近腔体顶端，多个所述周边管的高度不同。
9、各所述吸尘管上均布有多个吸尘孔。
10、所述腔体呈圆柱状，所述连通座设于腔体的底部、并沿腔体的轴线转动。
11、所述连通管靠近沉积炉的一端贯穿沉积炉的底部、并与连通座的底端连接。
12、所述连通座上设有与连通腔连通的接头，各所述吸尘管与接头连接。
13、各所述吸尘管2与接头卡套连接。
14、与现有技术相比，本技术的优点在于：
15、本技术通过在腔体内设置转动的多个吸尘管，以及在在吸尘管上安装毛刷，毛刷能随吸尘管转动，即可对腔体内壁进行清扫，毛刷所清扫下来的杂物和尘埃能及时通过吸尘管的吸力进行吸引，吸尘管通过连通座和连通管与吸尘器连通，通过吸尘器收集存储杂物和尘埃；解决了现有人工除尘工作过程中除尘不彻底、人工差异性大和效率低等问题，能有效保证化学气相沉积炉反应腔内所有区域均达到超级洁净的状态，使石墨基座的涂层涂敷均匀平整不脱落，从而保证涂层纯度和晶型稳定性；并且实现了对沉积炉腔体的清扫、收集尘埃和吸尘，提高了自动程度。另外，连通座与连通管活动密封连接，能保证连通座的旋转运动。
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1.一种沉积炉的除尘装置，其特征在于，包括吸尘器(1)和多个吸尘管(2)，所述吸尘器(1)置于沉积炉外部、且设有贯穿沉积炉壁体至腔体内的连通管(3)，所述腔体内转动安装有连通座(4)，所述连通座(4)与连通管(3)活动密封连接，所述连通座(4)承载各吸尘管(2)、并带动各吸尘管(2)在腔体内转动，所述连通座(4)中设有与连通管(3)连通的连通腔，所述吸尘管(2)的一端与腔体连通，各所述吸尘管(2)的另一端通过连通腔和连通管(3)与吸尘器(1)连通，各所述吸尘管(2)上设有与腔体内壁紧贴的毛刷(5)。
2.根据权利要求1所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述连通座(4)上设有多个与连通腔连通的吸尘管(2)，多个所述吸尘管(2)间隔设置。
3.根据权利要求2所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，多个所述吸尘管(2)包括中心管(21)和多个周边管(22)，所述中心管(21)沿连通座(4)的转动轴方向连接于连通座(4)上，多个所述周边管(22)沿中心管(21)的周向均匀连接于连通座(4)上。
4.根据权利要求3所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述中
5.根据权利要求4所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述中心管(21)的顶端靠近腔体顶端，多个所述周边管(22)的高度不同。
6.根据权利要求5所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，各所述吸尘管(2)上均布有多个吸尘孔(6)。
7.根据权利要求1所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述腔体呈圆柱状，所述连通座(4)设于腔体的底部、并沿腔体的轴线转动。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述连通管(3)靠近沉积炉的一端贯穿沉积炉的底部、并与连通座(4)的底端连接。
9.根据权利要求8所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述连通座(4)上设有与连通腔连通的接头，各所述吸尘管(2)与接头连接。
10.根据权利要求9所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，各所述吸尘管（2）与接头卡套连接。
...【技术特征摘要】
1.一种沉积炉的除尘装置，其特征在于，包括吸尘器(1)和多个吸尘管(2)，所述吸尘器(1)置于沉积炉外部、且设有贯穿沉积炉壁体至腔体内的连通管(3)，所述腔体内转动安装有连通座(4)，所述连通座(4)与连通管(3)活动密封连接，所述连通座(4)承载各吸尘管(2)、并带动各吸尘管(2)在腔体内转动，所述连通座(4)中设有与连通管(3)连通的连通腔，所述吸尘管(2)的一端与腔体连通，各所述吸尘管(2)的另一端通过连通腔和连通管(3)与吸尘器(1)连通，各所述吸尘管(2)上设有与腔体内壁紧贴的毛刷(5)。
2.根据权利要求1所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，所述连通座(4)上设有多个与连通腔连通的吸尘管(2)，多个所述吸尘管(2)间隔设置。
3.根据权利要求2所述的沉积炉的除尘装置，其特征在于，多个所述吸尘管(2)包括中心管(21)和多个周边管(22)，所述中心管(21)沿连通座(4)的转动轴方向连接于连通座(4)上，多个所述周边管(22)沿中心管(21)的周向均匀连接于连通座(4)上。
4.根据权利要求3所述的沉积炉的...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓南军，胡传辉，
申请(专利权)人：湖南泰坦未来科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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