一种Micro LED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Micro LED器件及其制备方法，该器件包括依次连接的衬底、缓冲层和n‑GaN层，在n‑GaN层上设置有发光单元、绝缘层和出光结构；所述绝缘层包裹于所述发光单元侧壁上；所述出光结构覆盖所述n‑GaN层并将所述发光单元和绝缘层包裹，并在所述发光单元的顶部发光位置设置有出光口。本发明专利技术提供了一种Micro LED器件，通过在Micro LED器件上制作可以控制器件发光路径的出光结构，以避免光线发散，使得光线可以最大概率以直线射出，减少光串扰；同时，出光结构将绝缘层包裹，可以有效减少绝缘层的透光率，进而有效提升器件发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种micro led器件及其制备方法。

技术介绍

1、micro led(微型发光二极管)作为新一代的显示技术，比现有的oled(有机发光二极管)的亮度更高、发光效率更好、功率更低，具有较高的研发价值及使用价值。在microled生产过程中，需要进行硅基氮化镓器件的制备，目前该micro led器件采用氮化镓材料逐层生长后进行光刻和刻蚀，以及绝缘层的制作，最终得到顶端可发光的器件。

2、然而，现有的micro led器件侧壁绝缘层材料为透明材质的二氧化硅，存在透光问题，且顶端的光线容易发散，发光点间存在光串扰，严重影响器件发光效率的提升。

技术实现思路

1、本专利技术旨在提供一种micro led器件及其制备方法，以解决上述技术问题，实现对器件发光路径的控制，避免光线发散，减少光串扰，有效提升器件发光效率。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种micro led器件，包括依次连接的衬底、缓冲层和n-gan层，在n-gan层上设置有发光单元、绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED器件，包括依次连接的衬底、缓冲层和n-GaN层，其特征在于，在n-GaN层上设置有发光单元、绝缘层和出光结构；所述绝缘层包裹于所述发光单元侧壁上；所述出光结构覆盖所述n-GaN层并将所述发光单元和绝缘层包裹，并在所述发光单元的顶部发光位置设置有出光口。

2.根据权利要求1所述的一种Micro LED器件，其特征在于，所述发光单元由n-GaN块、多层量子阱块和p-GaN块依次连接而成。

3.根据权利要求1所述的一种Micro LED器件，其特征在于，所述出光口小于所述发光单元顶部发光位置。

4.根据权利要求1所述的一种Micro...

【技术特征摘要】

1.一种micro led器件，包括依次连接的衬底、缓冲层和n-gan层，其特征在于，在n-gan层上设置有发光单元、绝缘层和出光结构；所述绝缘层包裹于所述发光单元侧壁上；所述出光结构覆盖所述n-gan层并将所述发光单元和绝缘层包裹，并在所述发光单元的顶部发光位置设置有出光口。

2.根据权利要求1所述的一种micro led器件，其特征在于，所述发光单元由n-gan块、多层量子阱块和p-gan块依次连接而成。

3.根据权利要求1所述的一种micro led器件，其特征在于，所述出光口小于所述发光单元顶部发光位置。

4.根据权利要求1所述的一种micro led器件，其特征在于，所述出光结构为金属结构。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种micro led器件，其特征在于，所述出光结构包括挡光壁和挡光盖，所述出光口设置在所述挡光盖上；所述挡光壁覆盖所述n-gan层并将所述绝缘层侧壁包裹；所述挡光盖设置于所述挡光壁顶部，将所述绝缘层顶部包裹；所述出光口与所述发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思维，方士伟，葛明月，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：