发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。制备方法包括：(1)提供衬底；(2)生长AlN层；(3)将AlN层采用H<subgt;2</subgt;和/或NH<subgt;3</subgt;进行处理；(4)在处理后的AlN层上生长Si掺AlGaN层；(5)将Si掺AlGaN层采用H<subgt;2</subgt;和/或NH<subgt;3</subgt;进行处理；(6)在处理后的Si掺AlGaN层上生长Si掺GaN层；(7)周期性重复步骤(2)至步骤(6)，得到缓冲层；(8)在缓冲层上依次生长N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。实施本发明专利技术，可提升发光二极管外延片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

1、现有的gan基led均生长在异质衬底上，这导致衬底与外延层间存在较大晶格失配和热失配，使得外延材料在生长过程中形成了大量的位错缺陷，这些缺陷延伸进入多量子阱区后会形成非辐射复合中心，降低发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光效率。

2、本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高。

3、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种发光二极管外延片的制备方法，其包括以下步骤：

4、(1)提供衬底；

5、(2)生长aln层，其生长温度≤950℃；

6、(3)将aln层采用h2和/或nh3进行处理；其中，处理温度为1000℃～1200℃，处理时间为10s～60s；

7、(4)在处理后的aln层上生长si掺algan层，其生长温度≤1000℃；

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【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlN层的生长温度750℃～950℃，生长压力为300torr～500torr，V/III比为1500～3000。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述将AlN层采用H2和/或NH3进行处理的步骤中，采用H2和NH3的混合气体对AlN层进行处理，H2和NH3的体积比为1:0.1～1:0.3；

4.如权利要求3所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述H2和NH3的混合气体以脉冲形式通入包...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述aln层的生长温度750℃～950℃，生长压力为300torr～500torr，v/iii比为1500～3000。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述将aln层采用h2和/或nh3进行处理的步骤中，采用h2和nh3的混合气体对aln层进行处理，h2和nh3的体积比为1:0.1～1:0.3；

4.如权利要求3所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述h2和nh3的混合气体以脉冲形式通入包括通入3s～5s，停4s～6s。

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述si掺algan层的生长温度为950℃～1000℃，生长压力为200tor...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒俊，程龙，高虹，郑文杰，印从飞，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：