【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
技术介绍
1、现有的gan基led均生长在异质衬底上，这导致衬底与外延层间存在较大晶格失配和热失配，使得外延材料在生长过程中形成了大量的位错缺陷，这些缺陷延伸进入多量子阱区后会形成非辐射复合中心，降低发光效率。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光效率。
2、本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高。
3、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种发光二极管外延片的制备方法，其包括以下步骤：
4、(1)提供衬底；
5、(2)生长aln层，其生长温度≤950℃；
6、(3)将aln层采用h2和/或nh3进行处理；其中，处理温度为1000℃～1200℃，处理时间为10s～60s；
7、(4)在处理后的aln层上生长si掺algan层，其生长温度≤1000℃；
8、(5)将si掺algan层采用h2和/或nh3进行处理；处理温度为1000℃～1200℃，处理时间为10s～60s；
9、(6)在处理后的si掺algan层上生长si掺gan层，其生长温度≥1120℃；
10、(7)周期性重复步骤(2)至步骤(6)3～15次，得到缓冲层；
11、(8)在所述缓冲层上依次生长n型gan层、多量子阱层、电
12、作为上述技术方案的改进，所述aln层的生长温度750℃～950℃，生长压力为300torr～500torr，v/iii比为1500～3000。
13、作为上述技术方案的改进，所述将aln层采用h2和/或nh3进行处理的步骤中，采用h2和nh3的混合气体对aln层进行处理，h2和nh3的体积比为1:0.1～1:0.3；
14、且h2和nh3的混合气体以脉冲形式通入。
15、作为上述技术方案的改进，所述h2和nh3的混合气体以脉冲形式通入包括通入3s～5s，停4s～6s。
16、作为上述技术方案的改进，所述si掺algan层的生长温度为950℃～1000℃，生长压力为200torr～500torr，v/iii比为2000～3000。
17、作为上述技术方案的改进，所述将si掺algan层采用h2和/或nh3进行处理的步骤中，采用h2对si掺algan层进行处理，且h2以脉冲形式通入。
18、作为上述技术方案的改进，所述si掺gan层的生长温度为1120℃～1200℃，生长压力为20torr～200torr，v/iii比为400～1000。
19、作为上述技术方案的改进，所述aln层的厚度为1～2nm；
20、所述si掺algan层的厚度为2nm～5nm，其al组分占比为0.25～0.75，si掺杂浓度为1×1015cm-3～3×1017cm-3；
21、所述si掺gan层的厚度为3nm～10nm，si掺杂浓度为1×1016cm-3～1×1018cm-3。
22、相应的，本专利技术还公开了一种发光二极管外延片，其由上述的发光二极管外延片的制备方法制备而得。
23、相应的，本专利技术还公开了一种发光二极管，其包括上述的发光二极管外延片。
24、实施本专利技术，具有如下有益效果：
25、本专利技术的发光二极管外延片的制备方法中，包括在衬底上生长aln层，采用h2和/或nh3进行高温处理，生长si掺algan层，采用h2和/或nh3进行高温处理，生长si掺gan层的步骤，其中，aln层和si掺algan层主要以三维岛状的生长方式生长，通过后期高温处理，可将晶体质量较差的部分分解，还可提升岛的分布均匀度，优化应力的释放；后期si掺gan层则主要呈二维层状生长模式，其有效合并了各岛，在岛与岛之间的合并过程中位错缺陷将会不断的偏折、合并，能够有效的减少外延层材料的位错密度，从而提高外延材料的质量，提升发光二极管外延片的发光效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlN层的生长温度750℃～950℃，生长压力为300torr～500torr，V/III比为1500～3000。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述将AlN层采用H2和/或NH3进行处理的步骤中，采用H2和NH3的混合气体对AlN层进行处理，H2和NH3的体积比为1:0.1～1:0.3；
4.如权利要求3所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述H2和NH3的混合气体以脉冲形式通入包括通入3s～5s，停4s～6s。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述Si掺AlGaN层的生长温度为950℃～1000℃，生长压力为200torr～500torr，V/III比为2000～3000。
6.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述将Si掺AlGaN层采用H2和/或NH3进行处理的步骤中，采用H2对Si掺AlG
7.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述Si掺GaN层的生长温度为1120℃～1200℃，生长压力为20torr～200torr，V/III比为400～1000。
8.如权利要求1～7任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlN层的厚度为1～2nm；
9.一种发光二极管外延片，其特征在于，其由如权利要求1～7任一项所述的发光二极管外延片的制备方法制备而得。
10.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求8所述的发光二极管外延片。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述aln层的生长温度750℃～950℃，生长压力为300torr～500torr，v/iii比为1500～3000。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述将aln层采用h2和/或nh3进行处理的步骤中，采用h2和nh3的混合气体对aln层进行处理，h2和nh3的体积比为1:0.1～1:0.3；
4.如权利要求3所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述h2和nh3的混合气体以脉冲形式通入包括通入3s～5s，停4s～6s。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述si掺algan层的生长温度为950℃～1000℃，生长压力为200tor...
【专利技术属性】
技术研发人员：舒俊，程龙，高虹，郑文杰，印从飞，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。