【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及毫米波固态振荡源,特别涉及一种高频大功率impatt管振荡源的实现方法。
技术介绍
1、基于硅基材料的impatt管工作于高电场区的碰撞电离雪崩状态,在外部负载的作用下产生负阻效应,在一定条件下与外围电路相互作用产生振荡,可直接产生毫米波信号,用于毫米波振荡源;基于impatt管振荡源作为毫米波系统核心部件具有工作电压低、输出功率大、体积小、成本低可靠性高等优点,可广泛运用在无损检测、星间通信、导弹制导、安检成像等领域。
2、现有的基于impatt管振荡源主要包含波导谐振腔体、短路调节活塞、直流馈电与二极管位置调节装置等部分,其主要通过调节短路调节活塞以改变波导谐振腔体的大小实现振荡源阻抗匹配,impatt管在谐振腔内收到外部电源激励产生自由振荡,实现高频下大功率输出。但是这种模式下的振荡频率稳定度较差,随着工作频率的提升与长时间大功率应用场景的要求,毫米波系统对振荡源输出频率的稳定性提出了更高的要求,需要设计专门的稳频结构来保证振荡源工作输出频率的稳定性。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法,其特征在于,包括以下步骤流程:
2.根据权利要求1所述的高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法,其特征在于,所述同轴腔体内设置有用于二极管的固定、位置调节与直流供电的IMPATT二极管定位与馈电结构。
3.根据权利要求2所述的高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法,其特征在于,所述IMPATT二极管定位与馈电结构包括馈电电极(1)、绝缘套筒(2)、二极管卡槽(8)、二极管位置调节螺丝(9)、金属套筒(10)、第一弹簧(11)、金属导电杆(12)以及IMPATT二极管(13);在所述二极管卡槽
...【技术特征摘要】
1.一种高频大功率impatt管振荡源的实现方法,其特征在于,包括以下步骤流程:
2.根据权利要求1所述的高频大功率impatt管振荡源的实现方法,其特征在于,所述同轴腔体内设置有用于二极管的固定、位置调节与直流供电的impatt二极管定位与馈电结构。
3.根据权利要求2所述的高频大功率impatt管振荡源的实现方法,其特征在于,所述impatt二极管定位与馈电结构包括馈电电极(1)、绝缘套筒(2)、二极管卡槽(8)、二极管位置调节螺丝(9)、金属套筒(10)、第一弹簧(11)、金属导电杆(12)以及impatt二极管(13);在所述二极管卡槽(8)中,impatt二极管(13)的负极与金属导电杆(12)接触并与馈电电极(1)相连接,所述impatt二极管(13)的正极与二极管位置调节螺丝(9)接触,第一弹簧(11)施加给金属导电杆(12)压力,通过调节二极管位置调节螺丝(9)可对impatt二极管(13)的位置进行调节,所述绝缘套筒(2)与金属套筒(10)用于限制第一弹簧(11)、金属导电杆(12)在纵向位置移动。...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文翰,史一明,李泽瑞,潘结斌,陈婧瑶,王文婧,郁兆华,
申请(专利权)人:华东光电集成器件研究所,
类型:发明
国别省市:
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