【技术实现步骤摘要】
一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法，属于太赫兹近场系统成像领域，具体涉及太赫兹近场系统精度测量。
技术介绍
1、太赫兹近场成像系统是基于原子力显微镜系统，在原子力探针的针尖上耦合一定功率的太赫兹波进入待测样品内部，利用太赫兹波的穿透性和原子力探针针尖的衍射性，对待测样品的表面和内部同时实现的高分辨率的成像功能。太赫兹近场成像系统的成像精度一般为纳米级精度，具体为几十纳米精度，常取决于探针针尖的尖端的曲率半径，否则成像图形会失真。例如探针针尖的曲率半径为40纳米，那成像精度一般为40纳米，随着针尖的使用，针尖磨损曲率半径变为50纳米，那么成像精度为50纳米。原子力显微镜探针针尖的制作比较复杂，如果尖端曲率半径过小，在使用时和样品间作用力会导致针尖磨损。理论上探针针尖曲率半径可以做到很小，突破40纳米完全可以实现，但是对制作工艺、成本、使用条件提出很高要求，不利于推广使用。一般探针针尖曲率半径为40纳米，导致太赫兹近场成像系统的精度难以突破40纳米。
2、随着科技的发展，如半导体芯片工艺突破到11纳米甚至7纳米，需...
【技术保护点】
1.一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，太赫兹近场成像系统的太赫兹源功率最少为50毫瓦。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，步骤二中设置扫描参数的方法为，扫描范围为a纳米，扫描点数为n个，在扫描范围a固定的情况下，增加扫描点数n的值，或在扫描点数n固定的情况下，降低扫描范围a的值，在内部成像图中，设置a/n小于10纳米。
【技术特征摘要】
1.一种精度优于10纳米的太赫兹近场成像系统测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，太赫兹近场成像系统的太赫兹源功率最少为50毫瓦。
3.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文丙，彭承尧，江凤婷，余振春，崔洪波，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：发明
国别省市：
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