【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及静电保护技术，尤其涉及一种静电泄放保护电路。
技术介绍
1、静电泄放保护电路通常采用栅氧耦合型mosfet(金属氧化物场效应晶体管)结构，为了释放静电泄放保护电路的能量，提高泄放能力，通常需要采用的mosfet通道面积较大，因此，mosfet会被设计成多finger的结构，增加了成本，且该结构存在触发不同步的缺陷，从而需要额外的non-salicide(非自对准金属硅化物)工艺步骤，以增加可靠性，进一步增加了mosfet的成本。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种静电泄放保护电路，其能够增强静电泄放能力，降低电路的成本。
2、静电泄放保护电路包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；
3、所述单向导通单元的第一端与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述单向导通单元的第二端与所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的基极与所述下拉单元的第一端连接，所述下拉单元的第二端接地；
4、所述单向导通单元用于限制电流的方向自所述单向导通单元的第一端向所述单向导通单元的第二端；
5、所述下拉单元用于下拉所述第一三极管的基极的电位。
6、可选的，所述第一三极管为npn型三极管。
7、可选的，所述单向导通单元包括二极管，所述二极管的阳极与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述二极管的阴极与所述第一三极管的集电极连接。
8、可选的，所述下拉单元包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第
9、可选的，静电泄放保护电路还包括触发电位下拉单元，所述触发电位下拉单元的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述触发电位下拉单元的第二端接地，所述触发电位下拉单元用于降低静电泄放保护电路的触发电位。
10、可选的，所述触发电位下拉单元包括第二下拉电阻，所述第二下拉电阻的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述第二下拉电阻的第二端接地。
11、可选的，静电泄放保护电路还包括负向电流泄放单元，所述负向电流泄放单元的第一端与所述静电泄放引脚连接，所述负向电流泄放单元的第二端接地，所述负向电流泄放单元用于泄放被保护器件中的负向电流。
12、可选的，所述负向电流泄放单元包括开启控制组件和泄放组件；
13、所述开启控制组件的第一端与所述静电泄放引脚连接，所述开启控制组件的第二端接地；
14、所述泄放组件的第一端与所述静电泄放引脚连接，所述泄放组件的第二端与所述开启控制组件的控制端连接，且所述泄放组件的第二端接地。
15、可选的，开启控制组件包括第一开关晶体管和第二开关晶体管；
16、所述第一开关晶体管的第一端与所述静电泄放引脚连接，所述第一开关晶体管的第二端与所述第二开关晶体管的第一端连接，所述第二开关晶体管的第二端接地，所述第一开关晶体管的控制端与所述泄放组件的第二端连接，所述第二开关晶体管的控制端用于连接控制信号，在所述静电泄放引脚为负电位时，所述控制信号控制所述第二开关晶体管导通。
17、可选的，所述泄放组件包括第二三极管、第三开关晶体管、第一电阻和第二电阻；
18、所述第二三极管的发射极与所述静电泄放引脚连接，所述第二三极管的集电极分别与所述第一开关晶体管的控制端和所述第一开关晶体管的第二端连接。
19、本专利技术提供的静电泄放保护电路，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元，单向导通单元的第一端与被保护器件的静电泄放引脚连接，单向导通单元的第二端与第一三极管的集电极连接，第一三极管的发射极接地，第一三极管的基极与下拉单元的第一端连接，下拉单元的第二端接地，单向导通单元用于限制电流的方向自单向导通单元的第一端向单向导通单元的第二端，下拉单元用于下拉第一三极管的基极的电位。本专利技术采用三极管作为泄放结构，相对于传统的mosfet，三极管的通道面积更小，但泄放能力更强，因此，可以降低电路的成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种静电泄放保护电路，其特征在于，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；
2.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管。
3.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述单向导通单元包括二极管，所述二极管的阳极与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述二极管的阴极与所述第一三极管的集电极连接。
4.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述下拉单元包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第一下拉电阻的第二端接地。
5.根据权利要求1-4任一所述的静电泄放保护电路，其特征在于，还包括触发电位下拉单元，所述触发电位下拉单元的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述触发电位下拉单元的第二端接地，所述触发电位下拉单元用于降低静电泄放保护电路的触发电位。
6.根据权利要求5所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述触发电位下拉单元包括第二下拉电阻，所述第二下拉电阻的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述第二下拉电阻的第二端接地。p>
7.根据权利要求1-4任一所述的静电泄放保护电路，其特征在于，还包括负向电流泄放单元，所述负向电流泄放单元的第一端与所述静电泄放引脚连接，所述负向电流泄放单元的第二端接地，所述负向电流泄放单元用于泄放被保护器件中的负向电流。
8.根据权利要求7所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述负向电流泄放单元包括开启控制组件和泄放组件；
9.根据权利要求8所述的静电泄放保护电路，其特征在于，开启控制组件包括第一开关晶体管和第二开关晶体管；
10.根据权利要求9所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述泄放组件包括第二三极管、第三开关晶体管、第一电阻和第二电阻；
...【技术特征摘要】
1.一种静电泄放保护电路，其特征在于，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；
2.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述第一三极管为npn型三极管。
3.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述单向导通单元包括二极管，所述二极管的阳极与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述二极管的阴极与所述第一三极管的集电极连接。
4.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述下拉单元包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第一下拉电阻的第二端接地。
5.根据权利要求1-4任一所述的静电泄放保护电路，其特征在于，还包括触发电位下拉单元，所述触发电位下拉单元的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述触发电位下拉单元的第二端接地，所述触发电位下拉单元用于降低静电泄放保护电路的触发电位。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王云，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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