一种静电泄放保护电路制造技术

本发明专利技术公开一种静电泄放保护电路，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元，单向导通单元的第一端与被保护器件的静电泄放引脚连接，单向导通单元的第二端与第一三极管的集电极连接，第一三极管的发射极接地，第一三极管的基极与下拉单元的第一端连接，下拉单元的第二端接地，单向导通单元用于限制电流的方向自单向导通单元的第一端向单向导通单元的第二端，下拉单元用于下拉第一三极管的基极的电位。本发明专利技术采用三极管作为泄放结构，相对于传统的MOSFET，三极管的通道面积更小，但泄放能力更强，因此，可以降低电路的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电保护技术，尤其涉及一种静电泄放保护电路。

技术介绍

1、静电泄放保护电路通常采用栅氧耦合型mosfet(金属氧化物场效应晶体管)结构，为了释放静电泄放保护电路的能量，提高泄放能力，通常需要采用的mosfet通道面积较大，因此，mosfet会被设计成多finger的结构，增加了成本，且该结构存在触发不同步的缺陷，从而需要额外的non-salicide(非自对准金属硅化物)工艺步骤，以增加可靠性，进一步增加了mosfet的成本。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种静电泄放保护电路，其能够增强静电泄放能力，降低电路的成本。

2、静电泄放保护电路包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；

3、所述单向导通单元的第一端与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述单向导通单元的第二端与所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的基极与所述下拉单元的第一端连接，所述下拉单元的第二端接地；

4、所述单向导通单元用于限制电流的方向自所述单向导通单元的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电泄放保护电路，其特征在于，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；

2.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管。

3.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述单向导通单元包括二极管，所述二极管的阳极与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述二极管的阴极与所述第一三极管的集电极连接。

4.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述下拉单元包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第一下拉电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1-4任一所述的...

【技术特征摘要】

1.一种静电泄放保护电路，其特征在于，包括第一三极管、单向导通单元和下拉单元；

2.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述第一三极管为npn型三极管。

3.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述单向导通单元包括二极管，所述二极管的阳极与被保护器件的静电泄放引脚连接，所述二极管的阴极与所述第一三极管的集电极连接。

4.根据权利要求1所述的静电泄放保护电路，其特征在于，所述下拉单元包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第一下拉电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1-4任一所述的静电泄放保护电路，其特征在于，还包括触发电位下拉单元，所述触发电位下拉单元的第一端与所述单向导通单元的第二端连接，所述触发电位下拉单元的第二端接地，所述触发电位下拉单元用于降低静电泄放保护电路的触发电位。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：