一种低检测限氨气气体传感器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其首先通过水热法合成氧化铌包裹的氧化铈纳米颗粒，然后将干燥后的粉末添加到松香之中，最后将该含有传感材料的松香均匀的涂抹在陶瓷管上并将陶瓷管通过焊接制成气敏传感器。本方法制备的气敏传感器由两种纳米尺寸的半导体氧化物组成，由于氧化铌是通过原位还原在氧化铈表面制备成的复合纳米颗粒物材料，因此两种氧化物之间具有更高的接触面积和载流子迁移率，从而提高了材料的气敏传感性能；并且电子将重新分布形成电子耗尽层和电子富集层，使得材料更易与氧气反应产生氧负离子，从而提升材料对VOCs气体的气敏性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，属于气体浓度检测。

技术介绍

1、目前市场上针对气体污染物检测的传感器主要有pid光离子气体传感器、电化学式气体传感器以及半导体式气体传感器。应用于各种场合某种污染物气体的检测，pid光离子气体传感器主要是利用紫外线将有机物打成正负离子在电场下形成微弱的电流来反映该物质的含量；电化学式气体传感器是将测量的气体在电极处氧化或还原，在化学反应过程中传感材料中的载流子浓度会发生变化从而引起电流变化；半导体式气体传感器所用气敏传感材料多为半导体氧化物，是利用气体在半导体表面的氧化还原反应引起气敏材料阻值变化而制成的。

2、上述各种气体传感器存在的缺陷有：

3、1)目前市售的pid气体传感器可以做到ppb(十亿分之一)级别浓度的vocs气体检测，但其通常售价较高，限制了其大规模的应用。

4、2)目前市售的电化学式气体传感器以及半导体式气体传感器的价格相对较低，但是其对vocs气体的检测限多为ppm(百万分之一)级别浓度，距离半导体生产环境所要求的极低vocs气体浓度(ppb级甚至本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于制备步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的氧化铈纳米颗粒的合成，将4份的六水合硝酸铈，0.8份聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物和1份的氢氧化钠溶解在30份的蒸馏水中。

3.根据权利要求2所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的氧化铈纳米颗粒合成中，冲洗完在空气气氛中以350-500℃的温度加热1-2小时，其中升温速率为0.5℃/min。

4.根据权利要求3所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于制备步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的氧化铈纳米颗粒的合成，将4份的六水合硝酸铈，0.8份聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物和1份的氢氧化钠溶解在30份的蒸馏水中。

3.根据权利要求2所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的氧化铈纳米颗粒合成中，冲洗完在空气气氛中以350-500℃的温度加热1-2小时，其中升温速率为0.5℃/min。

4.根据权利要求3所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于，以450℃的温度加热2小时。

5.根据权利要求1所述的一种低检测限氨气气体传感器的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李许含，王哲，冯伟豪，朱蕾，陈玲，叶伟强，
申请(专利权)人：美埃中国环境科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：