一种用于低噪声放大器HPM毁伤效应的试验装置制造方法及图纸

技术编号:40101176 阅读:51 留言:0更新日期:2024-01-23 17:43
本说明书公开了一种用于低噪声放大器HPM毁伤效应的试验装置,涉及微波技术领域。包括:HPM源根据预设HPM输入参数特性,产生对应参数特性的HPM脉冲和HPM辐射能量;HPM注入系统向低噪声放大器输入端注入所述HPM脉冲;HPM辐射天线将HPM辐射能量辐照到低噪声放大器内部芯片;可移动式升降台对低噪声放大器位置和角度进行调节,以获取不同大小和角度的HPM辐照环境;状态监控系统实时监测低噪声放大器的状态变化参数;显示控制系统调节所述预设HPM输入参数特性,根据状态监控系统的状态变化参数,分析靶目标效应物的毁伤情况,得到低噪声放大器的毁伤情况和HPM输入参数特性的对应关系。解决电子元器件的高功率毁伤效果无法直观判断,毁伤评估困难的问题。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及微波,尤其涉及一种用于低噪声放大器hpm毁伤效应的试验装置。


技术介绍

1、高功率微波(high power microwave,hpm)可通过强电磁脉冲干扰毁伤装备内部敏感电子元器件达到作战意图,其原理是高功率微波脉冲辐射经由发射天线,从目标装备“前门”或“后门”耦合进入电子系统内部,对低噪声放大器等敏感电路产生扰乱甚至毁伤的效果,从而使目标装备电子系统呈现性能降级或功能失效。

2、传统的电子元器件的注入法试验无法模拟器件在高功率环境下的真实环境,存在电子元器件的高功率毁伤效果无法直观判断,毁伤评估困难,毁伤机理、毁伤效果与照射的微波特性参数之间对应关系不清晰的问题。


技术实现思路

1、本专利技术目的在于提供一种用于低噪声放大器hpm毁伤效应的试验装置,用以解决电子元器件的高功率毁伤效果无法直观判断,毁伤评估困难,毁伤机理、毁伤效果与照射的微波特性参数之间对应关系不清晰的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:

3、一方面,本说明书提供一种用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于低噪声放大器HPM毁伤效应的试验装置,其特征在于,包括HPM源(3)、HPM辐射天线(2)、HPM注入系统(12)、可移动式升降台(4)、状态监控系统(10)显示控制系统(11),其中:

2.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,还包括变频放大组件(7)和功能参数监控(8),其中:

3.根据权利要求2所述的试验装置,其特征在于,还包括低噪声放大器测试系统,其中:

4.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,还包括微波暗室(1),其中:

5.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,所述HPM注入系统(12)包括环形器(19...

【技术特征摘要】

1.一种用于低噪声放大器hpm毁伤效应的试验装置,其特征在于,包括hpm源(3)、hpm辐射天线(2)、hpm注入系统(12)、可移动式升降台(4)、状态监控系统(10)显示控制系统(11),其中:

2.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,还包括变频放大组件(7)和功能参数监控(8),其中:

3.根据权利要求2所述的试验装置,其特征在于,还包括低噪声放大器测试系统,其中:

4.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,还包括微波暗室(1),其中:

5.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,所述hpm注入系统(12)包括环形器(19)、衰减器(17)、定向耦合器(16)、示波器(20)、检波器(21)、固定衰减...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆定红傅小叶代诗远
申请(专利权)人:贵州航天计量测试技术研究所
类型:发明
国别省市:

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