【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种成像元件和电子设备，例如涉及一种被构造为可以实现动态范围扩展并且获得更高质量的图像的成像元件和电子设备。
技术介绍
1、通常，诸如cmos(互补金属氧化物半导体)图像传感器和ccd(电荷耦合器件)等成像元件被广泛应用于数码相机、数码摄像机等中。期望增强成像元件的特性，例如，期望动态范围扩展。在ptl 1中，提出了包括被构造为累积从光电二极管溢出的电荷的多个存储电容元件并且因此来实现动态范围扩展的方案。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利公开第2006-245522号
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、为了允许从光电二极管溢出的电荷累积在存储电容元件中，需要将被构造为传输来自光电二极管的电荷的传输晶体管的溢出势垒设定为低电平。在这种情况下，存在光电二极管的qs(饱和电荷量)降低的可能。期望可以在不降低光电二极管的饱和电荷量的情况下实现动态范围扩展。
3、本技术是鉴于这种情况而开发的...
【技术保护点】
1.一种成像元件，包括：
2.根据权利要求1所述的成像元件，
3.根据权利要求1所述的成像元件，
4.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：
5.根据权利要求1所述的成像元件，
6.根据权利要求5所述的成像元件，
7.根据权利要求5所述的成像元件，
8.根据权利要求1所述的成像元件，
9.根据权利要求1所述的成像元件，
10.根据权利要求1所述的成像元件，
11.根据权利要求2所述的成像元件，
12.一种成像元件，包括：
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种成像元件，包括：
2.根据权利要求1所述的成像元件，
3.根据权利要求1所述的成像元件，
4.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：
5.根据权利要求1所述的成像元件，
6.根据权利要求5所述的成像元件，
7.根据权利要求5所述的成像元件，
8.根据权利要求1所述的成像元件，
9.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：北野良昭，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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