【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷雾化芯调阻，尤其是涉及一种陶瓷雾化芯调阻方法及其应用。
技术介绍
1、雾化芯是储存雾化液和产生雾化反应的主要部件，作为雾化芯的陶瓷多选为多孔陶瓷，使得其具有孔隙率高、储油性好、雾化液雾化口感好等优良特性。
2、多孔陶瓷经过镀膜印刷后，需要分切得到雾化芯产品，同时镀膜设备内不同区域的陶瓷面溅射发热膜的厚度有一定的误差，陶瓷表面粗糙度也会存在一定的误差，最终制成的雾化芯阻值会有差异，部分阻值偏小或者偏大。
3、因此，为了保障陶瓷雾化芯阻值一定，提升产品的良率，需要研究一种陶瓷雾化芯调阻方法，通过热处理使陶瓷雾化芯中的膜层结构发生变化，进而调节阻值，使阻值在一定范围内，使得陶瓷雾化芯整体阻值一致，符合产品合格要求，提高良品率，减少损耗。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述技术不足，解决现有技术中，陶瓷雾化芯在制备过程中容易因膜层结构变化、表面粗糙度变化等导致阻值变化，导致陶瓷雾化芯整体阻值不一致，降低良品率的问题。
2、本专利技术提出一种陶瓷雾化芯调阻方法，该方法通过热处理使得陶瓷中膜层结构会发生一系列变化：消除膜层内部应力、发生再结晶、部分氧化形成氧化物等；同时调节阻值，使得陶瓷雾化芯整体阻值一致，能够达到产品合格要求，提升产品合格率，减少损耗。并且上述方法操作简单高效，工业化程度高，可适用于大规模应用，可应用于制备陶瓷雾化芯。
3、具体的，本专利技术公开一种陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，对陶瓷材料进行热处
4、所述热处理为多段热处理，所述多段热处理的工艺参数为：600-500℃保温3-5h；500-400℃保温1-3h；
5、所述陶瓷材料依次包含：陶瓷、第一过渡层、发热膜、电极部位、抗氧化层。
6、优选的，所述陶瓷材料的制备过程，包括以下步骤:
7、用过渡层靶在陶瓷上溅射第一过渡层，然后用发热膜靶在第一过渡层上溅射发热膜，得到含发热膜的陶瓷；
8、在发热膜上印刷电极浆料，进行烧结，得到含电极部位的陶瓷；
9、将含电极部位的陶瓷上的电极部位遮蔽，用抗氧化层靶在热膜上溅射抗氧化层，得到陶瓷材料。
10、优选的，所述抗氧化层靶的材料选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽中的至少一种；所述溅射抗氧化层时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述抗氧化层的厚度为30-100nm。
11、优选的，所述发热膜靶的材料选自铜、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
12、优选的，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
13、优选的，所述陶瓷材料的制备过程，还包括：在将含电极部位的陶瓷材料上的电极部位遮蔽后、发热膜上溅射抗氧化层之前，用过渡层靶在发热膜上溅射第二过渡层。
14、优选的，所述过渡层靶的材料选自钛、氧化钛、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述溅射第一过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300w；所述第一过渡层厚度为200-600nm。
15、优选的，所述溅射第二过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300w；所述第二过渡层厚度为10-80nm。
16、优选的，所述降温为多段降温，所述多段降温的工艺参数为：400-300℃保温1-3h；300-200℃保温1-3h；200-100℃保温1-3h；然后静置冷却。
17、本专利技术还公开上述的陶瓷雾化芯调阻方法在制备陶瓷雾化芯方面的应用。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果包括：
19、(1)本专利技术的陶瓷雾化芯调阻方法，该方法通过热处理使得陶瓷中膜层结构会发生一系列变化：消除膜层内部应力、发生再结晶、部分氧化形成氧化物等；同时调节阻值，使得陶瓷雾化芯整体阻值一致，能够达到产品合格要求，提升产品合格率，减少损耗。并且上述方法操作简单高效，工业化程度高，可适用于大规模应用，可应用于制备陶瓷雾化芯。
20、(2)本专利技术的陶瓷雾化芯调阻方法能够用于制备陶瓷雾化芯，得到的陶瓷雾化芯整体阻值一致，能够达到产品合格要求，提升产品合格率，减少损耗。
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1.一种陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，对陶瓷材料进行热处理、降温，得到陶瓷雾化芯；
2.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，包括以下步骤:
3.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述抗氧化层靶的材料选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽中的至少一种；所述溅射抗氧化层时的工艺参数为：电源输入功率150-300W；所述抗氧化层的厚度为30-100nm。
4.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述发热膜靶的材料选自铜、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300W；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
5.如权利要求4所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
6.如权利要求5所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，还包括：在将含电极部位的
7.如权利要求6所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述过渡层靶的材料选自钛、氧化钛、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述溅射第一过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300W；所述第一过渡层厚度为200-600nm。
8.如权利要求6所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述溅射第二过渡层时的工艺参数为：电源输入功率为150-300W；所述第二过渡层厚度为10-80nm。
9.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述降温为多段降温，所述多段降温的工艺参数为：400-300℃保温1-3h；300-200℃保温1-3h；200-100℃保温1-3h；然后静置冷却。
10.如权利要求1-9任意一项所述的陶瓷雾化芯调阻方法在制备陶瓷雾化芯方面的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，对陶瓷材料进行热处理、降温，得到陶瓷雾化芯；
2.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述陶瓷材料的制备过程，包括以下步骤:
3.如权利要求2所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述抗氧化层靶的材料选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽中的至少一种；所述溅射抗氧化层时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述抗氧化层的厚度为30-100nm。
4.如权利要求1所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述发热膜靶的材料选自铜、钛、镍铬、钽、铬硅中的至少一种；所述溅射发热膜时的工艺参数为：电源输入功率150-300w；所述发热膜的厚度为0.5-10μm；所述电极浆料的厚度为50-120μm；所述烧结温度为600-850℃。
5.如权利要求4所述的陶瓷雾化芯调阻方法，其特征在于，所述陶瓷材料还包括，第二过渡层；所述第二过渡层设置于电极部位和抗氧化层之间。
6.如权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶正全，肖小朋，李俊辉，聂革，赵贯云，赵波洋，
申请(专利权)人：深圳市吉迩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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