微型LED芯片制备方法、微型LED芯片以及显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种微型LED芯片制备方法、微型LED芯片及显示装置。该方法包括：提供微型LED外延片，微型LED外延片自下而上依次包括第一半导体层、多量子阱和第二半导体层；从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层，得到台面结构，其中台面结构包括至少一个凸台；对每个凸台的侧壁进行保护处理，其中保护处理包括硫化处理，硫化处理用于对侧壁进行硫化以便形成硫化侧壁；在每个凸台的第二半导体层和暴露出的第一半导体层上设置金属层，得到中间结构；在中间结构上设置第一钝化层，并且在第一钝化层上开设多个接触孔以暴露出第一半导体层和第二半导体层上的金属层；在暴露出的金属层上设置金属块，得到微型LED芯片。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体led的，具体而言，涉及一种微型led芯片制备方法、微型led芯片以及显示装置。

技术介绍

1、随着显示技术的不断发展，虚拟现实(virtual reality，vr)和增强现实(augmented reality，ar)技术在不同领域的应用越来越广泛。micro-led显示技术可以在一个芯片上集成高密度的微小尺寸的led阵列，并且每个led都可以作为一个像素点且可被寻址和独立驱动，micro-led还具有体积小、结构简单、厚度薄、亮度高、能耗低等特点，在虚拟现实和增强现实等显示领域具有广泛的应用前景。

2、然而，由于微型led芯片尺寸的减小，芯片的表面体积比增加，在刻蚀形成台面结构后会造成侧壁损伤，由此会导致严重的侧壁缺陷，进而影响芯片的性能。

技术实现思路

1、为了解决
技术介绍
中提到的技术问题，本公开的方案提供了一种微型led芯片制备方法、微型led芯片以及显示装置。

2、根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型led芯片制备方法。所述方法包括：提供微型led外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微型LED芯片制备方法，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的微型LED芯片制备方法，其中，对所述台面结构的每个凸台的侧壁进行保护处理包括：

3.根据权利要求2所述的微型LED芯片制备方法，其中，以单原子膜的形式在所述硫化侧壁上设置侧壁保护层包括：

4.根据权利要求3所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述侧壁保护层包括第二钝化层，所述第二钝化层包括氧化铝层或二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的微型LED芯片制备方法，其中，以单原子膜的形式在形成有硫化侧壁的整个台面结构上设置第一保护层包括：通过原子层沉积方法，采用三甲基铝...

【技术特征摘要】

1.一种微型led芯片制备方法，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的微型led芯片制备方法，其中，对所述台面结构的每个凸台的侧壁进行保护处理包括：

3.根据权利要求2所述的微型led芯片制备方法，其中，以单原子膜的形式在所述硫化侧壁上设置侧壁保护层包括：

4.根据权利要求3所述的微型led芯片制备方法，其中，所述侧壁保护层包括第二钝化层，所述第二钝化层包括氧化铝层或二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的微型led芯片制备方法，其中，以单原子膜的形式在形成有硫化侧壁的整个台面结构上设置第一保护层包括：通过原子层沉积方法，采用三甲基铝、水和臭氧作为前驱体，在300℃的温度下在形成有硫化侧壁的整个台面结构上沉积氧化铝层作为第一保护层，

6.根据权利要求1所述的微型led芯片制备方法，其中，对所述台面结构的每个凸台的侧壁进行保护处理，其中所述保护处理包括硫化处理，所述硫化处理用于对所述侧壁进行硫化以便形成硫化侧壁包括：

7.根据权利要求1所述的微型led芯片制备方法，其中，在每个凸台的第二半导体层和所述台面结构的暴露出的第一半导体层上设置金属层，得到中间结构包括：

8.根据权利要求1至7中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱成峰，张珂，黄青青，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：